KR970022521A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

위상반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR970022521A
KR970022521A KR1019950036471A KR19950036471A KR970022521A KR 970022521 A KR970022521 A KR 970022521A KR 1019950036471 A KR1019950036471 A KR 1019950036471A KR 19950036471 A KR19950036471 A KR 19950036471A KR 970022521 A KR970022521 A KR 970022521A
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KR
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inversion mask
incident light
manufacturing
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KR1019950036471A
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최용석
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

위상반전 마스크 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 입사광이 180° 위상반전하는 제1영역과 입사광이 위상반전 없이 그대로 통과하는 제2영역을 구비하는 레벤손형 위상반전 마스크에 있어서, 제2영역에 빛의 투과율을 조절하기 위한 투과율 조절층이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 광 세기의 차이를 없앨수 있다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 위상반전 마스크를 도시한 단면도이다.

Claims (2)

  1. 입사광이 180° 위상반전하는 제1영역과 입사광이 위상반전 없이 그대로 통과하는 제2영역을 구비하는 레벤슨형 위상반전 마스크에 있어서, 상기 제2영역에 빛의 투과율을 조절하기 위한 투과율 조절층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  2. 입사광이 180° 위상반전하는 제1영역과 입사광이 위상반전 없이 그대로 통과하는 제2영역을 구비하는 레벤슨형 위상반전 마스크를 제조하는 제1단계; 상기 제2영역을 노출시키는 감광막 패턴을 상기 위상반전 마스크상에 형성하는 제2단계; 및 노출된 상기 제2영역의 위상반전 마스크 상에 투과율 조절층을 형성하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950036471A 1995-10-20 1995-10-20 위상반전 마스크 및 그 제조방법 KR970022521A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100844981B1 (ko) * 2006-12-14 2008-07-09 삼성전자주식회사 위상반전 마스크 및 이의 형성방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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