KR980003795A - 위상반전 마스크의 결함 수정방법 - Google Patents

위상반전 마스크의 결함 수정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크에 관한 것으로 특히 위상반전 마스크의 결함 수정방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 위상반전 마스크의 결함 수정방법은 기판상에 에치스토퍼층 및 위상반전층을 차례로 형성하는 스텝; 상기 위상반전층상에 복수개의 오픈영역을 갖는 차광층 패턴을 형성하는 스텝; 상기 차광층 패턴 사이의 노출된 위상반전층중 위상반전 영역을 정의하는 스템; 상기 위상반전 영역의 위상반전층을 위상반전 두께만큼 선택적으로 제거하는 스텝; 그리고 상기 선택적으로 제거된 위상반전층에 결함이 발생하였을때 상기 차광층 사이의 노출된 위상반전층을 동시에 일정두께로 식각하여 결함을 제거하는 스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

위상반전 마스크의 결함 수정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (a) 내지 (f)는 본 발명 제1실시예의 위상반전 마스크의 결함 수정방법을 나타낸 단면순서도.
제4도(a) 내지 (g)는 본 발명 제2실시예의 위상반전 마스크의 결함 수정방법을 나타낸 단면순서도.

Claims (26)

  1. 기판상에 에치스토퍼층 및 위상반전층을 차례로 형성하는 스텝; 상기 위상반전층상에 복수개의 오픈영역을 갖는 차광층 패턴을 형성하는 스텝; 상기 차광층 패턴 사이의 노출된 위상반전층중 위상반전 영역을 정의하는 스텝; 상기 위상반전 영역의 위상반전층을 위상반전 두께만큼 선택적으로 제거하는 스텝; 그리고 상기 선택적으로 제거된 위상반전층에 결함이 발생하였을때 상기 차광층 사이의 노출된 위상반전층을 동시에 일정두께로 식각하여 결함을 제거하는 스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 투광성기판인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 위상반전 영역은 오픈영역에 교대로 정의함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 차광층 패턴은 크롬 또는 은(Ag)이 함유된 무기질 레지스트 중 어느 하나를 사용하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 위상반전층은 SOG 또는 SiO₂중 어느 하나를 사용하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  6. 제1항에 있어서, 사이 위상번전 두께를 d라 하고 노광원의 파장을 λ라 하고 위상반전층의 굴절율을 n이라 했을때 다음의 공식이 설립하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 위상반전층을 시에 식각할때 건식식각법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 위상번전 두께를 d라 했을때 차광층 패턴아래의 위상반전층의 두께는 1.5d~3d로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  9. 기판상에 에치스토퍼층, 위상반전층, 차광층 및 포토레지스트를 차례로 형성하는 스텝; 전자빔 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 전자빔용 레지스트를 패터닝 하는 스텝; 상기 패터닝된 전자빔용 레지스트를 마스크로 이용하여 상기 차광층을 식각하여 오픈영역을 갖는 차광층 패턴으로 형성하는 스텝; 상기 위상반전층중 위상반전 영역을 정의하는 스텝; 상기 위상반전 영역의 위상반전층을 위상반전 두께만큼 선택적으로 제거하는 스텝; 그리고 상기 선택적으로 제거된 위상반전층 결함이 발생하였을 경우 상기 차광층 사이의 노출된 위상반전층을 동시에 일정두께로 식각하여 결함을 제거하는 스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판은 투광성기판인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 위상반전영역은 오픈영역에 교대로 정의하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 차광층 패턴은 크롬(Cr)을 사용하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 위상반전층은 SOG 또는 SiO₂중 어느 하나를 사용하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 위상반전 두께를 d라 하고 노광원의 파장을 λ라 하고 위상반전층의 굴절율을 n이라 했을때 다음의 공식이 설립하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 결함 수정방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 위상반전층을 동시에 식각할 때 건식식각법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 위상반전의 두께를 d라 했을때 차광층 패턴아래의 위상반전층의 두께를 1.5d~3d로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  17. 기판상에 에치스토퍼층, 위상반전층, 레지스트 및 불순물함유층을 차례로 형성하는 스텝; 차광층 패턴 형성영역에 선택적으로 전자선을 조사하여 불순물함유층의 불순물을 레지스트에 확산시켜 차광층 패턴을 형성하는 스텝; 상기 차광층 패턴을 제외한 불순물함유층 및 레지스트를 제거하여 위상반전층을 노출시키는 스텝; 상기 위상반전층중 위상반전 영역을 정의하는 스텝; 상기 위상반전 영역의 위상반전층을 위상반전 두께반캄 선택적으로 제거하는 스텝; 그리고 상기 선택적으로 제거된 위상반전층에 결함이 발생하였을때 상기 차광층 사이의 노출된 위상반전층을 동시에 일정두께로 식각하여 결함을 제거하는 스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기판은 투광성기판인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 위상반전 영역은 오픈영역에 교대로 정의함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 차광층 패턴은 은(Ag)이 함유된 무기질 레지스트를 사용하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 위상반전층은 SOG 또는 SiO₂중 어느 하나를 사용하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  22. 제17항에 있어서, 상기 위상반전 두께를 d라 하고 노광원의 파장을 λ라 하고 위상반전층의 굴절율을 n이라 했을때 다음의 공식이 설립하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  23. 제17항에 있어서, 상기 위상반전층을 동시에 식각할 때 건식식각법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  24. 제17항에 있어서, 상기 위상반전의 두께를 d라 했을때 차광층 패턴아래의 위상반전층의 두께를 1.5d~3d로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  25. 제17항에 있어서, 상기 불순물함유층은 은(Ag)을 함유하고 있음을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
  26. 제17항에 있어서, 상기 레지스트는 무기질 레지스트로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 결함 수정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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