KR950001915A - 위상반전 마스크의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크의 제조방법에 관한 것으로, 유리기판(21)상에 차광층패턴(22)을 형성하는 공정과, 상기 차광층패턴(22)의 길이방향으로의 엣지부분에 레지스트 패턴(24A)을 형성하는 공정, 결과물 전면에 SOG막을 형성한 후 소정패턴으로 패터닝하여 위상반전층(25)을 형성하는 공정, 상기 레지스트 패턴(24A)을 제거하는 공정 및 열처리에 의해 상기 SOG막으로 된 위상반전층(25)을 플로우시키는 공정으로 이루어지는 위상반전 마스크의 제조방법을 제공함으로써 용이한 공정에 의해 우수한 특성의 위상반전 마스크의 제조를 가능하게 한다.

Description

위상반전 마스크의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 위상반전 마스크의 원리를 설명하기 위한 도면, 제3도는 통상의 마스크와 위상반전 마스크를 비교 설명하기 위한 도면.

Claims (5)

  1. 유리기판(21)상에 차광층패턴(22)을 형성하는 공정과, 상기 차광층패턴(22)의 길이방향으로의 엣지부분에 레지스트패턴(24A)을 형성하는 공정과, 결과물 전면에 SOG막을 형성한 후 소정패턴으로 패터닝하여 위상반전층(25)을 형성하는 공정과, 상기 레지스트패턴(24A)을 제거하는 공정 및 열처리에 의해 상기 SOG막으로 된 위상반전층(25)을 플로우시키는 공정을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차광층패턴(22)은 유리기판(21)상에 크롬층을 형성하고 전자선 레지스트(23)를 도포한 후 전자선묘화장치를 이용하여 패터닝하고 이 패터닝된 레지스트를 마스크로 하여 상기 크롬층을 식각하므로서 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레지스트패턴(24A)은 전자선용 레지스트임을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레지스트패턴(24A)은(n은 위상반전층 재료의 굴절율, λ는 투과되는 빛의 파장)의 두께로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열처리는 200∼400℃ 정도에서 행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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