JP2653292B2 - フォトマスク、その製造方法およびそれを使用したｌｓｉの製造方法 - Google Patents
フォトマスク、その製造方法およびそれを使用したｌｓｉの製造方法Info
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- JP2653292B2 JP2653292B2 JP26935291A JP26935291A JP2653292B2 JP 2653292 B2 JP2653292 B2 JP 2653292B2 JP 26935291 A JP26935291 A JP 26935291A JP 26935291 A JP26935291 A JP 26935291A JP 2653292 B2 JP2653292 B2 JP 2653292B2
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- phase shifter
- photomask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩ製造工程で使用さ
れるフォトマスクに関し、とくに位相シフタを備えたフ
ォトマスク、その製造法およびそれを使用したＬＳＩの
製造方法に関するものである。
れるフォトマスクに関し、とくに位相シフタを備えたフ
ォトマスク、その製造法およびそれを使用したＬＳＩの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在提案されている位相シフタを有する
マスクを使用した露光法は、マスクの開口部を通過した
光は位相シフタ部を通過してきた光の影響で、パターン
形成に関与する光強度分布のピーク値が上がり、かつ半
値幅が小さくなる。その結果解像度が向上するという優
れた性能を有している。
マスクを使用した露光法は、マスクの開口部を通過した
光は位相シフタ部を通過してきた光の影響で、パターン
形成に関与する光強度分布のピーク値が上がり、かつ半
値幅が小さくなる。その結果解像度が向上するという優
れた性能を有している。
【０００３】第６図（Ａ）は現在提案されているフォト
マスク100 の一部分を示す図であり、第６図（Ｂ）はそ
の部分の側面図である。１は透明基板、２はＣr などに
よる遮光パターン、３は位相シフタで周辺部と180 °位
相がシフトしている領域，3aは位相シフタ３と透明基板
１との境界部である。第７図は第６図のＹ−Ｙ軸上に沿
った光強度分布である。第８図は第６図のフォトマスク
100 で露光した場合得られるレジストパターンの例で、
2pは個々のパターン、2bはブリッジである。
マスク100 の一部分を示す図であり、第６図（Ｂ）はそ
の部分の側面図である。１は透明基板、２はＣr などに
よる遮光パターン、３は位相シフタで周辺部と180 °位
相がシフトしている領域，3aは位相シフタ３と透明基板
１との境界部である。第７図は第６図のＹ−Ｙ軸上に沿
った光強度分布である。第８図は第６図のフォトマスク
100 で露光した場合得られるレジストパターンの例で、
2pは個々のパターン、2bはブリッジである。
【０００４】第５図は従来およびこの発明の転写工程で
用いられる光学系の概略図を示し、200 はランプ、300
は集光レンズ、100 はフォトマスク、400 は投影レン
ズ、500 はウェハである。
用いられる光学系の概略図を示し、200 はランプ、300
は集光レンズ、100 はフォトマスク、400 は投影レン
ズ、500 はウェハである。
【０００５】次に動作について説明する。第５図におい
て、ランプ200 より発生した光は集光レンズ系300 によ
ってフォトマスク100 を照明する。マスク100 から出射
した光は投影レンズ400 によってウェハ500 へ投影され
る。このようにして得られた現像パターン2pを第８図に
示す。
て、ランプ200 より発生した光は集光レンズ系300 によ
ってフォトマスク100 を照明する。マスク100 から出射
した光は投影レンズ400 によってウェハ500 へ投影され
る。このようにして得られた現像パターン2pを第８図に
示す。
【０００６】この第８図のパターン2pからわかるよう
に、現在提案されているフォトマスク100 では、第６図
（Ａ）のように基板１のＸ軸方向で位相シフタ３が透明
部分に対して一つおきに形成されているのでＸ軸方向に
は第８図に示すようにコントラストの良好なパターンが
形成される。しかし、位相シフタ３と透明基板１とのＹ
軸方向の境界部分3aでは位相が反転した部分が接してい
るため光強度は互いにうちけしあう。そのため、第６図
のＹ−Ｙ軸上の光強度分布は第７図のようになり、位相
シフタ３の境界部分3aでは光強度は０付近にまで減少す
る。そのため、現像パターンは第８図に示すようにな
り、隣り合う個々のパターン2pがつながってブリッジ2b
を生じたものとなっていた。
に、現在提案されているフォトマスク100 では、第６図
（Ａ）のように基板１のＸ軸方向で位相シフタ３が透明
部分に対して一つおきに形成されているのでＸ軸方向に
は第８図に示すようにコントラストの良好なパターンが
形成される。しかし、位相シフタ３と透明基板１とのＹ
軸方向の境界部分3aでは位相が反転した部分が接してい
るため光強度は互いにうちけしあう。そのため、第６図
のＹ−Ｙ軸上の光強度分布は第７図のようになり、位相
シフタ３の境界部分3aでは光強度は０付近にまで減少す
る。そのため、現像パターンは第８図に示すようにな
り、隣り合う個々のパターン2pがつながってブリッジ2b
を生じたものとなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスクは
以上のように構成されているので、隣り合うレジストパ
ターンがつながってしまい、真に所望のパターンを形成
することができないという問題点があった。本発明は上
記のような問題点を解消するためになされたもので、位
相シフト法を適用することによるＸ軸方向の解像力改善
効果を損なうことなく微細パターンを形成できるととも
に、従来の問題点であったＹ軸方向パターンの端がつな
がってしまうという現象をなくすことのできるフォトマ
スクを安価に製造する方法を提供することを目的とす
る。
以上のように構成されているので、隣り合うレジストパ
ターンがつながってしまい、真に所望のパターンを形成
することができないという問題点があった。本発明は上
記のような問題点を解消するためになされたもので、位
相シフト法を適用することによるＸ軸方向の解像力改善
効果を損なうことなく微細パターンを形成できるととも
に、従来の問題点であったＹ軸方向パターンの端がつな
がってしまうという現象をなくすことのできるフォトマ
スクを安価に製造する方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るフォトマ
スクは、透明基板、遮光パターンおよび位相シフタ上に
中間位相シフタを形成し、上記位相シフタと透明基板と
の境界部分における上記中間位相シフタの厚さが、漸次
変化するものとしたものである。 また、請求項２に係る
ＬＳＩの製造方法は、その転写工程に、請求項１記載の
フォトマスクを使用したものである。 また、請求項３に
係るフォトマスクの製造方法は、その中間位相シフタ
を、粘性透明液体を塗布することによって形成するもの
である。 また、請求項４に係るＬＳＩの製造方法は、そ
の転写工程に、請求項３記載の製造方法により製造され
たフォトマスクを使用したものである。
スクは、透明基板、遮光パターンおよび位相シフタ上に
中間位相シフタを形成し、上記位相シフタと透明基板と
の境界部分における上記中間位相シフタの厚さが、漸次
変化するものとしたものである。 また、請求項２に係る
ＬＳＩの製造方法は、その転写工程に、請求項１記載の
フォトマスクを使用したものである。 また、請求項３に
係るフォトマスクの製造方法は、その中間位相シフタ
を、粘性透明液体を塗布することによって形成するもの
である。 また、請求項４に係るＬＳＩの製造方法は、そ
の転写工程に、請求項３記載の製造方法により製造され
たフォトマスクを使用したものである。
【０００９】本発明に係るフォトマスクは、位相シフタ
と透明基板との境界部分における中間位相シフタの厚さ
が、漸次変化するので、位相シフタ部と透明基板部を出
射した光は打ち消し合うことがなく、従来例の如く、Ｙ
軸方向のパターン端がつながることがない。 また、中間
位相シフタを、粘性透明液体を塗布することによって形
成するので、厚さが漸次変化する中間位相シフタを容易
確実に形成することができる。
と透明基板との境界部分における中間位相シフタの厚さ
が、漸次変化するので、位相シフタ部と透明基板部を出
射した光は打ち消し合うことがなく、従来例の如く、Ｙ
軸方向のパターン端がつながることがない。 また、中間
位相シフタを、粘性透明液体を塗布することによって形
成するので、厚さが漸次変化する中間位相シフタを容易
確実に形成することができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例を図について説明する。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例によって得られたフォ
トマスク100aの斜視図である。第１図（Ｂ）は上面図、
第１図（Ｃ）は第１図（Ｂ）のＹ−Ｙ軸の断面図であ
る。第２図は第１図（Ｃ）つまり第１図（Ｂ）のＹ−Ｙ
軸に沿った光強度分布を示す図である。第３図は第１図
に示すマスク100aによるレジストパターン12pを示す図
である。図において、11は透明基板、12は遮光パター
ン、12p はレジストパターン、13は位相シフタ、13a は
境界部、14は透明薄膜である中間位相シフタである。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例によって得られたフォ
トマスク100aの斜視図である。第１図（Ｂ）は上面図、
第１図（Ｃ）は第１図（Ｂ）のＹ−Ｙ軸の断面図であ
る。第２図は第１図（Ｃ）つまり第１図（Ｂ）のＹ−Ｙ
軸に沿った光強度分布を示す図である。第３図は第１図
に示すマスク100aによるレジストパターン12pを示す図
である。図において、11は透明基板、12は遮光パター
ン、12p はレジストパターン、13は位相シフタ、13a は
境界部、14は透明薄膜である中間位相シフタである。
【００１１】第４Ａ図ないし第４Ｃ図はこの発明にかか
るフォトマスクの製造方法の一実施例を示す断面図であ
る。透明基板11上にスパッタ法や電子ビーム蒸着法によ
ってクロム膜を堆積する。そして、所定の遮光パターン
12p に対応してクロム膜を選択的に除去して、第４Ａ図
に示すように、遮光パターン12，12を形成する。次に、
第４Ｂ図に示すように、遮光パターン12および透明基板
11上にSiO2膜13b をＣＶＤ法等により堆積する。さらに
そのSiO2膜13b 上に電子ビームポジ型レジスト膜20をス
ピンコート法により塗布した後、位相シフタ13のパター
ンに対応するレジスト領域20a を選択的に電子ビームＥ
Ｂにより露光する。そして、現像処理によって、電子ビ
ームＥＢが照射されたレジスト領域20a を選択的に除去
して、レジストパターンを形成する。それに続いて、そ
のレジストパターンをエッチングマスクとしてＲＩＥに
よってSiO2膜13b をエッチング除去して、位相シフタ13
を形成する。その後、O2プラズマアッシングによってレ
ジストパターンを除去し、さらに透明基板11，遮光パタ
ーン12および位相シフタ13上に透明薄膜のＳＯＧ（スピ
ンオングラス）の中間位相シフタ14を塗布する。
るフォトマスクの製造方法の一実施例を示す断面図であ
る。透明基板11上にスパッタ法や電子ビーム蒸着法によ
ってクロム膜を堆積する。そして、所定の遮光パターン
12p に対応してクロム膜を選択的に除去して、第４Ａ図
に示すように、遮光パターン12，12を形成する。次に、
第４Ｂ図に示すように、遮光パターン12および透明基板
11上にSiO2膜13b をＣＶＤ法等により堆積する。さらに
そのSiO2膜13b 上に電子ビームポジ型レジスト膜20をス
ピンコート法により塗布した後、位相シフタ13のパター
ンに対応するレジスト領域20a を選択的に電子ビームＥ
Ｂにより露光する。そして、現像処理によって、電子ビ
ームＥＢが照射されたレジスト領域20a を選択的に除去
して、レジストパターンを形成する。それに続いて、そ
のレジストパターンをエッチングマスクとしてＲＩＥに
よってSiO2膜13b をエッチング除去して、位相シフタ13
を形成する。その後、O2プラズマアッシングによってレ
ジストパターンを除去し、さらに透明基板11，遮光パタ
ーン12および位相シフタ13上に透明薄膜のＳＯＧ（スピ
ンオングラス）の中間位相シフタ14を塗布する。
【００１２】この一実施例による透明薄膜のＳＯＧ１４
は粘性液体なので、位相シフタ１３と透明領域のＹ軸方
向の境界部分１３ａにおいて連続した曲線をなすように
形成されることになる。すなわち、境界部分１３ａにお
ける中間位相シフタ１４の厚さが漸次変化する。従っ
て、この境界部分１３ａは位相差が０゜から１８０゜ま
で連続的に変化する領域となっている。すなわち、この
実施例では境界部分１３ａにおいて０゜と１８０゜の中
間位相の領域が形成されているので、この実施例で得ら
れたフォトマスクの境界部分１３ａの光強度は０とはな
らず、約半分程度の強度が確保される。そのため従来例
にみられたようなブリッジは発生せず、第３図に示すよ
うな良好なレジストパターン１２ｐを得るフォトマスク
を安価にかつ容易な製造法で提供することができる。な
お本発明の実施例では透明薄膜をＳＯＧ（スピンオング
ラス）を塗布する例を示したが、サイトップ（旭硝子Ｋ
・Ｋ製商品名）などの他の物質であってもよい。また位
相シフタ１３をＳＯＧまたはサイトップで形成してもよ
い。
は粘性液体なので、位相シフタ１３と透明領域のＹ軸方
向の境界部分１３ａにおいて連続した曲線をなすように
形成されることになる。すなわち、境界部分１３ａにお
ける中間位相シフタ１４の厚さが漸次変化する。従っ
て、この境界部分１３ａは位相差が０゜から１８０゜ま
で連続的に変化する領域となっている。すなわち、この
実施例では境界部分１３ａにおいて０゜と１８０゜の中
間位相の領域が形成されているので、この実施例で得ら
れたフォトマスクの境界部分１３ａの光強度は０とはな
らず、約半分程度の強度が確保される。そのため従来例
にみられたようなブリッジは発生せず、第３図に示すよ
うな良好なレジストパターン１２ｐを得るフォトマスク
を安価にかつ容易な製造法で提供することができる。な
お本発明の実施例では透明薄膜をＳＯＧ（スピンオング
ラス）を塗布する例を示したが、サイトップ（旭硝子Ｋ
・Ｋ製商品名）などの他の物質であってもよい。また位
相シフタ１３をＳＯＧまたはサイトップで形成してもよ
い。
【００１３】次にこの製造法によって得られたフォトマ
スクの動作について述べる。従来例と同様に第５図にお
いて、ランプ２００より発生した光は集光レンズ３００
によって、マスク１００を照明する。マスク１００から
出射した光は投影レンズ４００によってウェハ５００へ
投影される。このとき本実施例によるフォトマスクでは
第１図（Ｂ）のように、Ｘ軸方向に透明部分の一つおき
に位相シフタ１３が配置されているので、Ｘ軸方向には
もちろんコントラストの良好な光学像が得られるもので
ある。
スクの動作について述べる。従来例と同様に第５図にお
いて、ランプ２００より発生した光は集光レンズ３００
によって、マスク１００を照明する。マスク１００から
出射した光は投影レンズ４００によってウェハ５００へ
投影される。このとき本実施例によるフォトマスクでは
第１図（Ｂ）のように、Ｘ軸方向に透明部分の一つおき
に位相シフタ１３が配置されているので、Ｘ軸方向には
もちろんコントラストの良好な光学像が得られるもので
ある。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば基板上
の位相シフタ，遮光パターンの上に設けられた中間位相
シフタは、上記位相シフタと上記基板との境界部におい
て、その厚さが漸次変化するものであるので、透明領域
と位相反転領域が接することによる光の打消しで光の強
度が０となるという現象を緩和することができ、レジス
トパターンのブリッジ発生をなくすることができるとい
う効果がある。また、中間位相シフタを、粘性透明液体
を塗布することにより形成するので、上記形状の中間位
相シフタを容易、安価、確実に実現することができる。
の位相シフタ，遮光パターンの上に設けられた中間位相
シフタは、上記位相シフタと上記基板との境界部におい
て、その厚さが漸次変化するものであるので、透明領域
と位相反転領域が接することによる光の打消しで光の強
度が０となるという現象を緩和することができ、レジス
トパターンのブリッジ発生をなくすることができるとい
う効果がある。また、中間位相シフタを、粘性透明液体
を塗布することにより形成するので、上記形状の中間位
相シフタを容易、安価、確実に実現することができる。
【図１】（Ａ）はこの発明の一実施例によって作製され
たフォトマスクの斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は断
面図である。
たフォトマスクの斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は断
面図である。
【図２】光強度分布図。
【図３】レジストパターン図。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例の製造方
法のフロー図である。
法のフロー図である。
【図５】光学系を示す略図。
【図６】（Ａ）は従来のフォトマスクの上面図、（Ｂ）
は側面図。
は側面図。
【図７】従来の光強度分布図。
【図８】従来の現像パターン上面図。
11 透明基板 12 遮光パターン 13 位相シフタ 13a 境界部 14 中間位相シフタ 100a フォトマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−293667（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−34854（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−45950（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−15652（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−76550（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板と、上記透明基板上に所定の間
隙を介して併設された遮光パターンと、上記遮光パター
ン間の間隙を埋めるように形成された位相シフタとを備
えたフォトマスクにおいて、 上記透明基板、遮光パターンおよび位相シフタ上に中間
位相シフタを形成し、上記位相シフタと透明基板との境
界部分における上記中間位相シフタの厚さが、漸次変化
するものとしたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 転写工程に、請求項１記載のフォトマス
クを使用したことを特徴とするＬＳＩの製造方法。 - 【請求項３】 中間位相シフタを、粘性透明液体を塗布
することによって形成することを特徴とする請求項１記
載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 転写工程に、請求項３記載の製造方法に
より製造されたフォトマスクを使用したことを特徴とす
るＬＳＩの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26935291A JP2653292B2 (ja) | 1990-10-22 | 1991-10-17 | フォトマスク、その製造方法およびそれを使用したｌｓｉの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-285466 | 1990-10-22 | ||
| JP28546690 | 1990-10-22 | ||
| JP26935291A JP2653292B2 (ja) | 1990-10-22 | 1991-10-17 | フォトマスク、その製造方法およびそれを使用したｌｓｉの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362948A JPH04362948A (ja) | 1992-12-15 |
| JP2653292B2 true JP2653292B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=26548731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26935291A Expired - Lifetime JP2653292B2 (ja) | 1990-10-22 | 1991-10-17 | フォトマスク、その製造方法およびそれを使用したｌｓｉの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653292B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960015788B1 (ko) * | 1993-06-15 | 1996-11-21 | 엘지반도체 주식회사 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP26935291A patent/JP2653292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04362948A (ja) | 1992-12-15 |
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