KR970049088A - 하프톤 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

하프톤 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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유코 야코
나오키 다케야마
겐지 다카하시
아이. 콜레타르 가보
김형준
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쉬플리 리차드 씨.
쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨.
고사이 아키오
스미토모가가쿠고교 가부시키가이샤
로버트 케이.새러피언
베이어 코오포레이숀
김광호
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    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging

Abstract

높은 투과율을 가지며 제작이 용이한 하프톤 위상 시프트 마스크에 관하여 개시한다. 본 발명은 노출광에 대하여 투명한 기판, 상기 투명한 기판 위에 형성된 위상 시프터 패턴 및 상기 투명한 기판을 식각하여 형성한 위상 시프트용 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 시프트 마스크를 제공한다. 그리고 본 발명은 상기 하프톤 위상 시프트 마스크를 제조하는데 적합한 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의한 하트논 위상 시프트 마스크는 종래의 하프톤 위상 시프트 마스크에 비하여 투과율이 높고 위상 시프트용 홈의 표면도 균일하다. 따라서 단파장을 사용하여 콘트라스트가 뛰어난 미세 패턴을 형성할수 있다.

Description

하트톤 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 다른 하프톤 위상 시프트 마스크를 도시한 단면도이다.

Claims (25)

  1. 노출광에 대하여 투명한 기판; 상기 투명한 기판 위에 형성된 위상 시프터 패턴; 및 상기 투명한 기판을 식각하여 형성한 위상 시프트용 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상 시프터 패턴은 상기 노출광에 대하여 5∼30%의 투과율(T)을 가지도록 하는 두께(d)로 형성된 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 두께(d)는 하기식에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
    (여기서 k는 상기 위상 시프터 패턴에 의한 노출광의 감쇄 상수, 그리고 λ는 상기 노출광의 파장이다.)
  4. 제1항에 있어서, 상기 위항 시프터 패턴은 MOSiON, SiNX, 무정형 C 그리고 CrF 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  5. 제2항에 있어서, 상기 위상 시프트용 홈은 상기 위상 시프트용 홈을 통과한 노출광과 상기 위상 시프터 패턴을 통과한 노출광의 위상 차이(△)가 90∼270°가 되도록 하는 깊이(D)로 식각하여 형성된 것을 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  6. 제2항에 있어서, 상기 위상 시프트용 홈은 상기 위상 시프트용 홈을 통과한 노출광과 상기 위상 시프터 패턴을 통과한 노출광의 위상 차이(△)가 180°가 되도록 하는 깊이(D)로 식각하여 형성된 것을 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  7. 제5항에 있어서, 상기 깊이(D)는 하기식에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
    (여기서 N은 상기 기판의 굴절율, n은 위상 시프터 패턴의 굴절율, λ는 노출광의 파장, d는 위상 시프터 패턴의 두께이다.)
  8. 제1항에 있어서, 상기 위상 시프터 패턴의 소정 영역상에 차광막 패턴을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  9. 제8항에 있어서, 상기 차광막 패턴은 상기 노출광에 대하여 5∼30%의 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  10. 제8항에 있어서, 상기 차광막 패턴은 Cr, Al 그리고 MoSi 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  11. 노충광에 대하여 투명한 기판위에 위상 시프터 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 위상 시프터 패턴을 식각 마스크로하여 상기 기판을 식각하여 위상 시프트용 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  12. 제11항에 있어서, 상기 위상 시프터 패턴은 상기 노출광에 대하여 5∼30%의 투과율(T)을 가지도록 하는 두께(d)로 형성된 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 두께(d)는 하기식에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
    (여기서 k는 상기 노출광의 감쇄 상수, 그리고 λ는 상기 노출광의 파장이다.)
  14. 제11항에 있어서, 상기 위항 시프터 패턴은 MoSiON, SiNX, 무정형 C 그리고 CrF 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 위상 시프트용 홈은 상기 위상 시프트용 홈을 통과한 노출광과 상기 위상 시프터 패턴을 통과한 노출광의 위상 차이(△)가 20∼270°가 되도록 하는 깊이(D)로 식각하여 형성된 것을 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  16. 제2항에 있어서, 상기 위상 시프트용 홈은 상기 위상 시프트용 홈을 통과한 노출광과 상기 위상 시프터 패턴을 통과한 노출광의 위상 차이(△)가 180°가 되도록 하는 깊이(D)로 식각하여 형성된 것을 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 깊이D는 하기식에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
    (여기서 N은 상기 기판의 굴절율, n은 위상 시프터 패턴의 굴절율, λ는 노출광의 파장, d는 위상 시프터 패턴의 두께이다.)
  18. 노출광에 대하여 투명한 기판상에 위상 시프터막을 형성하는 단계; 상기 위상 시프터막위에 차광기능을 지니 물질막을 형성하는 단계; 상기 물질막 및 위상 시프터막을 식각하여 물질막 패턴 및 위상 시프터 패턴을 형성하는 단계; 상기 물질막 패턴 및 위상 시프터 패턴을 식각마스크로하여 상기 기판을 식각하여 위상 시프트용 홈을 형성하는 단계; 및 상기 위에 시프터 패턴위에 형성된 물질막 패턴을 패터닝하여 차광막 패턴으로 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 시프트 마스크의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 위항 시프터막은 MoSiON, SiNX, 무정형 C 그리고 CrF 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 차광기능을 지닌 물질막은 Cr, Al 그리고 MoSi 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 위상 시프터막은 상기 노출광에 대하여 5∼30%의 투과율(T)을 가지도록 하는 두께(d)로 형성된 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 두께(d)는 하기식에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
    (여기서 k는 상기 노출광의 감쇄 상수, 그리고 λ는 상기 노출광의 파장이다.)
  23. 제21항에 있어서, 상기 위상 시프트용 홈은 상기 위상 시프트용 홈을 통과한 노출광과 상기 위상 시프터 패턴을 통과한 노출광의 위상 차이(△)가 90∼270°가 되도록 하는 깊이(D)로 식각하여 형성된 것을 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 위상 시프트용 홈은 상기 위상 시프트용 홈을 통과한 노출광과 상기 위상 시프터 패턴을 통과한 노출광의 위상 차이(△)가 180°가 되도록 하는 깊이(D)로 식각하여 형성된 것을 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 깊이D는 하기식에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법.
    (여기서 N은 상기 기판의 굴절율, n은 위상 시프터 패턴의 굴절율, λ는 노출광의 파장, d는 위상 시프터 패턴의 두께이다.)
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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