JP5409238B2 - フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置用画素電極の製造方法 - Google Patents
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Description
フォトマスク100は、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを有し、該ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを被加工体103上に形成されたレジスト膜104に転写するものである。フォトマスク100の転写パターンは、透明基板110上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で形成することができる。また、フォトマスク100のライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンが半透光部101で設けられ、スペースパターンが透光部102で設けられている。
次に、上述したフォトマスク100を用いたパターン転写方法について説明する。
フォトマスク100のライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンは、透明基板110上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成することができる。この際、フォトマスク100のライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンとなる部分は透明基板110上に成膜された半透光膜を残存させて半透光部とし、スペースパターンとなる部分は半透光膜を除去して透光部とすればよい。
レジスト膜:Positive−Novolak Type
レジスト膜の初期膜厚:1.5μm
バイアス部:+0.5μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:6.0μm(ライン幅:3.5μm、スペース幅:2.5μm)、5.0μm(ライン幅:3.0μm、スペース幅:2.0μm)、4.4μm(ライン幅:2.7μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:3%〜20%
バイアス部:+0.8μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:8.0μm(ライン幅:4.3μm、スペース幅:2.7μm)、6.0μm(ライン幅:3.8μm、スペース幅:2.2μm)、5.0μm(ライン幅:3.3μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:3%〜20%
バイアス部:+0.5μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:8.0μm(ライン幅:4.5μm、スペース幅:3.5μm)、7.0μm(ライン幅:4.0μm、スペース幅:3.0μm)、6.0μm(ライン幅:3.5μm、スペース幅:2.5μm)、5.0μm(ライン幅:3.0μm、スペース幅:2.0μm)、4.4μm(ライン幅:2.7μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:0%
バイアス部:+0.8μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:8.0μm(ライン幅:4.8μm、スペース幅:3.2μm)、7.0μm(ライン幅:4.3μm、スペース幅:2.7μm)、6.0μm(ライン幅:3.8μm、スペース幅:2.2μm)、5.0μm(ライン幅:3.3μm、スペース幅:1.7μm)、4.4μm(ライン幅:2.7μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:0%
101 半透光部
102 透光部
103 被加工体
104 レジスト膜
105 レジストパターン
106a バイアス部
106b バイアス部
110 透明基板
Claims (14)
- エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ピッチ幅が2.0μm以上7.0μm未満であるライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、
前記転写パターンは、透明基板上に成膜された、露光光の透過率が1%以上15%以下である半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部により設けられ、
前記半透光膜は、前記転写パターンにおいて、半透光部と透光部の露光光に対する位相差が90度以下となる膜厚で形成され、
前記透明基板上に形成される前記ライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンが前記半透光部により設けられ、前記スペースパターンが前記透光部により設けられているフォトマスク。 - 前記フォトマスクは、i線、h線及びg線を含む露光光を用いた露光に用いられるものであることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅をLM、スペース幅をSM、前記エッチング加工後に前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅をLP、スペース幅SPとするとき、LM>LP且つSM<SPの関係を満たす、請求項1又は請求項2に記載のフォトマスク。
- 前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LPとスペース幅SPが等幅である場合、前記透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LMとスペース幅SMがLM>SMの関係を満たす、請求項3に記載のフォトマスク。
- 前記透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LMとスペース幅SMの差の1/2をバイアス値とするとき、前記バイアス値が0.2μm〜1.0μmである、請求項4に記載のフォトマスク。
- 前記転写パターンは、画素電極製造用パターンであることを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれか一に記載のフォトマスク。
- 被加工体上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを介して露光光を照射した後、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記被加工体をエッチングすることにより、前記被加工体の少なくとも一部をライン・アンド・スペース・パターンに形成する工程と、を有し、
前記フォトマスクとして、請求項1から請求項6のいずれか一に記載のフォトマスクを用いるパターン転写方法。 - 前記フォトマスクのライン・アンド・スペース・パターンのライン幅をLM、スペース幅をSMとするとき、前記エッチング加工後に前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LPを前記LMより小さくし、スペース幅SPを前記SMより大きくする、請求項7に記載のパターン転写方法。
- 前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LPとスペース幅SPを等幅に形成する場合に、前記フォトマスクの前記ライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LMをスペース幅SMより大きくする、請求項8に記載のパターン転写方法。
- 前記エッチングとして、ウエットエッチングを行う、請求項7から請求項9のいずれか一に記載のパターン転写方法。
- 前記レジスト膜として、前記ウエットエッチングにおける前記被加工体とのエッチング選択比が10倍以上となる材料を用いる、請求項10に記載のパターン転写方法。
- 前記露光光照射の際に、前記転写パターンにおける前記半透光部が遮光部である場合に必要とする露光光照射量に比べて、小さな照射量を用いることを特徴とする、請求項8に記載のパターン転写方法。
- 請求項7から請求項12のいずれか一に記載されたパターン転写方法を用いて、透明導電膜をエッチング加工することにより画素電極を形成する、表示装置用画素電極の製造方法。
- エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ピッチ幅が2.0μm以上7.0μm未満であるライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクの製造方法であって、
透明基板上に形成された半透光膜をパターニングすることにより、透光部と半透光部からなる前記転写パターンを形成する工程を有し、
前記透光部の透過率を100%とするとき、前記半透光膜の透過率を1%以上15%以下とし、かつ、
前記半透光膜は、前記転写パターンにおいて、半透光部と透光部の露光光に対する位相差が90度以下となる膜厚で形成されており、
前記転写パターンを形成する工程では、前記透明基板上に形成される前記ライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを前記半透光部により形成し、スペースパターンを前記透光部により形成する、フォトマスクの製造方法。
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