JP5916680B2 - 表示装置製造用フォトマスク、及びパターン転写方法 - Google Patents
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Description
本発明の構成1は、透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は0度以上90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成2は、透明基板上に成膜した遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がなく、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成3は、前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B/2、かつA≦C/2を満たすことを特徴とする、構成2の表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成4は、透明基板上に成膜した半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成5は、前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B、かつA≦Cを満たすことを特徴とする、構成4の表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成6は、前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±2次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射しないように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、構成1〜5のいずれかの表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成7は、前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、構成1〜6のいずれかの表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成8は、前記ピッチPは、前記露光機の解像限界がB(μm)であるとき、0.7B≦P≦1.3Bであることを特徴とする、構成1〜7のいずれかの表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成9は、透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は0度以上90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とし、前記主パターンの透過光が、被転写体上に形成する光強度分布を示す光強度分布曲線において、主ピークと、前記主ピークに最も近い、第1サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をQ(μm)とし、前記主ピークから2番目に近い第2サブピークと前記第1サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をR(μm)とするとき、
Q ≦ P ≦ R ・・・ (1)
であることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成10は、透明基板上に成膜した、遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さく、かつ、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がないことを特徴とする、
構成9の表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成11は、前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B/2、かつA≦C/2を満たすことを特徴とする、構成10の表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成12は、透明基板上に成膜した、半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有することを特徴とする、
構成9の表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成13は、前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B、かつA≦Cを満たすことを特徴とする、構成12の表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成14は、前記補助パターンの幅をA(μm)とするとき、
Q ≦ P±(A/2) ≦ R ・・・ (2)
であることを特徴とする、構成9〜13のいずれかの表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成15は、前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、構成9〜14のいずれかの表示装置製造用フォトマスクである。
本発明の構成16は、パターン転写方法であって、
構成1〜15のいずれかの表示装置製造用フォトマスクを用い、表示装置用露光機によって被転写体上にパターン転写することを特徴とする、パターン転写方法である。
Q ≦ P ≦ R ・・・ (1)
を満たすことが好ましい。
Q ≦ P±(A/2) ≦ R ・・・ (2)
である。A(μm)は、補助パターンの幅である。
実施例1として、図1に示す転写用パターンをもつフォトマスク(本発明の第1のフォトマスク)を用い、露光を行った際の転写性につき、光学シミュレーションを行い、評価した。
露光機の光学系: 開口数(NA):0.085
コヒーレンスファクター(σ):0.9
露光光の波長(各波長の相対強度) g:h:i=1:0.8:0.95
主パターン(透光部): 正方形のホールパターン。一辺の長さ(径C)=2μm
補助パターン(透光部):主パターンを取り囲む、8角形帯。幅(A)=1μm
遮光部は、OD3以上の遮光性をもつ遮光膜によって形成。
ピッチPは、3.0〜5.0μm(図5(d))。
焦点深度(DOF)等、リソグラフィのパフォーマンスを評価する手法として、プロセスウィンドウを用いることが知られている。ここでは、横軸を焦点位置(μm)、縦軸を露光量(mJ/cm2など)とし、露光及びプロセスを行った結果、許容する線幅変動(目標線幅の±10%以内)となる領域をプロセス許容範囲とする。また、プロセス許容範囲内にて、基準焦点位置(0μm)において目標線幅どおりに転写されるための露光量をEop(基準露光量)とする。プロセス許容範囲内にて基準焦点位置かつ基準露光量を中心として、面積が最大となる長方形で焦点誤差許容量(フォーカスマージン)、及び露光量誤差許容量(露光量マージン)を表すことができる。このとき、長方形の幅はフォーカスマージン、高さは許容される露光量マージンとなる。
上記同様、プロセスウィンドウを用い、あるピッチPに対する、露光量マージンの(ELマージン)値を、ピッチPの値ごとにプロットしたものが図5(b)である。尚、後述する図6(b)も同様の図である。
プロセスウィンドウにおいて、基準焦点位置(0μm)で目標線幅にパターンが転写されるための露光量をEopとし、あるピッチPに対する、Eopの値をピッチPの値ごとにプロットしたものが図5(c)である。後述の図6(c)もグラフの構成は同じである。
図7には、本発明の第1のフォトマスクを用いて、被転写体上のレジスト膜(ポジ型フォトレジスト)を露光したときに、得られるレジストパターンの断面形状を示す。これは、プロセスウィンドウにおける、基準焦点位置かつ基準露光量(Eop)でのレジストパターン断面形状をピッチPごとに示したものである。尚、後述の図8も同じ指標でレジストパターン断面形状を示す。
図2に示す転写用パターンをもつフォトマスク(本発明の第2のフォトマスク)を用い、露光を行った際の転写性につき、光学シミュレーションを行い、評価した。
露光機の光学系: 開口数(NA):0.085
コヒーレンスファクター(σ):0.9
露光光の波長(各波長の相対強度) g:h:i=1:0.8:0.95
主パターン(透光部): 正方形のホールパターン。一辺の長さ(径C)=2μm
補助パターン(半透光部):主パターンを取り囲む、8角形帯。幅(A)=1μm
遮光部は、OD3以上の遮光性をもつ遮光膜によって形成。
半透光部に用いた半透光膜の露光光透過率は50%。
ピッチPは、3.0〜5.0μm(図6(d))。
図6(a)に示されるとおり、本発明の第2のフォトマスク(図6(d))によると、ピッチPが3〜5μmのいずれの場合にも、比較例1に示す補助パターンのないフォトマスク(図5(e))よりも、フォーカスマージンが大きいことがわかる。特にピッチPが3.5〜4.5μmのときに、フォーカスマージンが20μmを超え、非常に有利であることがわかる。
図6(b)に示すとおり、実施例2のフォトマスクの結果は、ピッチが4.0μm程度のとき、比較例1のフォトマスクよりも有利であることがわかる。
被転写体上に目標径(2μm)のパターンを形成するために必要な、露光機の照射光量は、図6(c)に示すとおり、実施例2のフォトマスクは、比較例1のフォトマスクに比較して10%以上少ない照射光量で転写できることがわかる。
図8には、本発明の第2のフォトマスクを用いて、被転写体上のレジスト膜(ポジ型フォトレジスト)を露光したときに、得られるレジストパターンの断面形状を示す。これによると、主パターンに対応する位置に、所定どおりの(径2.0μm)のホールパターンが形成されている。更に、補助パターンに起因する、主パターン周辺のレジストロスが実質的に生じていない。このため、被転写体の加工においては、極めて安定なエッチングが行える。
主パターンが被転写体上に形成する、露光光の光強度分布と、ピッチPの関係を調べるため、以下のシミュレーションを行った。尚、実験例1の目的は、主パターンの光強度分布に対する影響を明らかにすることなので、補助パターンを使用せずにシミュレーションを行った。
露光機の光学系: 開口数(NA):0.085
コヒーレンスファクター(σ):0.9
露光光の波長(各波長の相対強度) g:h:i=1:0.8:0.95
主パターン形状は、一辺の長さ(径C)2μmの正方形(上記比較例1と同じ)とした。尚、ここでは補助パターンは使用しなかった。
Q ≦ P ≦ R ・・・ (1)
とすることで、転写に有利な優れた条件を得ることができることが明確になった。また、発明者の検討によると、補助パターンの幅全体が、第1サブピークの幅に重なるとき、すなわち、
Q ≦ P±(A/2) ≦ R ・・・ (2)
のとき、より優れたフォーカスマージンを得ることがわかった。従って、上記式(1)又は(2)を満たすように転写用パターンの設計をすることが好ましいことがわかった。
実験例1において、主パターンの形状を、一辺の長さ(径C)3.5μmの正方形としたものにつき、実験例1と同様の方法で、光強度分布曲線の詳細を得た(図11)。この場合、実験例1に比べ、第1サブピークの位置が、主ピーク位置より若干遠い側に移動した。具体的には、Qが3.8μm、Rが6.2μm、第1サブピークの極大点は、4.4μmであった。
Claims (25)
- 透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は0度以上90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 透明基板上に成膜した遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がなく、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B/2、かつA≦C/2を満たすことを特徴とする、請求項2記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 透明基板上に成膜した半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B、かつA≦Cを満たすことを特徴とする、請求項4記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±2次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射しないように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記ピッチPは、前記露光機の解像限界がB(μm)であるとき、0.7B≦P≦1.3Bであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性、又は、露光光の透過率が20%以下の一部透過性を有し、かつ、前記一部透過性を有する場合には、露光光に対する位相シフト量が90度以下であることを特徴とする、請求項1〜8に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記主パターンは、径が1μm以上4μm以下であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンの幅は、0.5μm以上であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性をもつことを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記表示装置製造用フォトマスクが、等倍露光用であることを特徴とする、請求項1〜12に記載のいずれか1項に表示装置製造用フォトマスク。
- 透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は0度以上90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とし、前記転写用パターンを被転写体上に等倍露光するとき、前記主パターンの透過光が、被転写体上に形成する光強度分布を示す光強度分布曲線において、主ピークと、前記主ピークに最も近い、第1サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をQ(μm)とし、前記主ピークから2番目に近い第2サブピークと前記第1サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をR(μm)とするとき、
Q ≦ P ≦ R ・・・ (1)
であることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。 - 透明基板上に成膜した、遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さく、かつ、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がないことを特徴とする、請求項14に記載の表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B/2、かつA≦C/2を満たすことを特徴とする、請求項15記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 透明基板上に成膜した、半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有することを特徴とする、請求項14に記載の表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンの幅A(μm)は、前記露光に用いる露光機の解像限界がB(μm)、前記主パターンの径がC(μm)であるとき、A≦B、かつA≦Cを満たすことを特徴とする、請求項17記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンの幅をA(μm)とするとき、
Q ≦ P±(A/2) ≦ R ・・・ (2)
であることを特徴とする、請求項14〜18のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。 - 前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、請求項14〜19のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記主パターンは、径が1μm以上4μm以下であることを特徴とする、請求項14〜20のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記補助パターンの幅は、0.5μm以上であることを特徴とする、請求項14〜21のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性、又は、露光光の透過率が20%以下の一部透過性を有し、かつ、前記一部透過性を有する場合には、露光光に対する位相シフト量が90度以下である、請求項14〜22のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- 前記遮光部は、光学濃度ODが3以上の実質的遮光性をもつことを特徴とする、請求項14〜23のいずれか1項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
- パターン転写方法であって、
請求項1〜24のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスクを用い、等倍露光用の表示装置用露光機によって被転写体上にパターン転写することを特徴とする、パターン転写方法。
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