JP2008116862A - フォトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】露光工程で用いられ、露光に際してデフォーカスが生じた際にも、レジストパターンにおける長尺状の孤立パターンの端部付近の細りや後退を効果的に抑制できるフォトマスクを提供する。
【解決手段】フォトマスク１０は、露光光学条件の解像限界以上の寸法を有する長尺状の主パターン１１と、主パターン１１と平行に延在し、露光光学条件の解像限界未満の寸法を有する長尺状の補助パターン１２ａ，１２ｂとを有する。主パターン１１の端部に近い補助パターン１２ａ，１２ｂの部分には突起１４ａ，１４ｂが形成され、補助パターン１２ａ，１２ｂの他の部分よりも大きな幅を有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、フォトマスクに関し、更に詳細には、露光工程で用いられるフォトマスクに関する。

フォトマスク（レチクル）は、遮光領域と透光領域とを有するマスクであって、半導体装置や液晶表示パネルの製造プロセスにおける露光工程に際して用いられる。露光工程では、光源から出射した光をフォトマスク上に焦点を合せて照明し、また、フォトマスクを透過した光を、被照射体である感光性を有するフォトレジスト膜に転写している。近年、半導体装置や液晶表示パネルの高集積化に伴い、より微細なパターンを形成する必要があり、このため、露光工程における高い解像度が要請されている。

露光工程では、近年の超解像技術の適用により波長の１／２以下の微細パターンの形成が可能となってきた。特に、繰返しパターンでは、斜入射照明法の適用により微細パターンでも充分な焦点深度が得られるようになっている。斜入射照明法とはフォトマスクの照明に際して、照明光の垂直入射成分をカットし、斜入射成分のみを用いて照明を行う照明法である。

一般に、繰返しパターンの結像に際して、通常照明では、マスクパターンからの０次回折光と±１次回折光の３光束を投影レンズで集めて結像する。これを３光束干渉法による結像と呼ぶ。これに対して、斜入射照明では、＋１次回折光及び−１次回折光のうちの一方をカットし、０次回折光と、＋１次回折光及び−１次回折光のうちの一方の回折光とを含む２光束を投影レンズで集めて結像する。これを２光束干渉法による結像と呼ぶ。

３光束干渉法による結像状態と２光束干渉法による結像状態とをベストフォーカスで比較すると、２光束干渉法は、３光束干渉法に比して、＋１次回折光及び−１次回折光のうちの一方を捨てている分だけコントラストが低い。しかし、被照射体の結像面に対する入射角度は、３光束干渉法の１／２になる。このため、焦点深度が拡大し、露光に際してデフォーカスが生じた際の像のぼやけ（にじみ）が小さくなり、デフォーカスの許容範囲を広くできる。デフォーカスは、露光装置の光学系の誤差や、被照射体であるレジストパターンや基板の変形などによって生じるものである。

斜入射照明では、ハーフトーン位相シフトマスクを用いることで、繰返しパターンの焦点深度を更に拡大できることが知られている。ハーフトーン位相シフトマスクでは、遮光領域を２〜２０％程度の光を透過させる半遮光領域とし、且つ、この半遮光領域を透過した光の位相が透光領域を透過した光の位相と１８０°だけシフトするように構成している。

２光束を用いる斜入射照明では、平均の明るさの情報を持った０次回折光の光強度が、ピッチの情報を持った＋１次回折光又は−１次回折光の光強度に比して大きくなり過ぎ、それらの間の光強度のバランスが悪い。この場合、被照射体上に照射される露光光の光強度分布の振幅が小さく、高いコントラストが得られない。ハーフトーン位相シフトマスクを用いた斜入射照明を行うことによって、０次回折光の光強度と＋１次回折光又は−１次回折光の光強度とのバランスを改善し、これによって、コントラストを向上できると共に焦点深度を更に拡大できる。

ところで、上記繰返しパターンに対して、孤立パターンの焦点深度を拡大するには、照明光学系の開口数（ＮＡ）やコヒーレント・ファクター（σ）を小さくすることが好ましい。これは、ハーフトーン位相シフトマスクを用いる場合でも同様である。ところが、繰返しパターンでは、これらの条件はその解像度を低下させることになるため、従来は、繰返しパターン及び孤立パターンの双方の解像度を両立させることが困難という問題があった。この問題は、斜入射照明を行う際に特に顕著であり、特に孤立パターンの寸法が変動することが問題になっていた。

孤立パターンの寸法の変動を抑えるために、３光束を用いる通常照明では、転写された孤立パターンの形状を予測して、フォトマスク上の孤立パターンの形状を補正する光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）処理を行う手法が一般的に採用されている。しかし、斜入射照明では、通常照明に比して、繰返しパターンと孤立パターンとの間の焦点深度の差が大きく、ＯＰＣ処理だけでは、デフォーカスが生じた際の孤立パターンの寸法の変動を充分に抑制できなかった。

上記に対して、特許文献１は、長尺状の孤立パターンの形成に際して、孤立パターンと平行に延在する長尺状の補助パターンを配置することを提案している。同文献によれば、補助パターンを、その延在方向に沿って一様な線幅で配置することによって、デフォーカスが生じた際の孤立パターンの長さの変動を抑制できるものとしている。
特開平４−２６８７１４号公報（図５）

ところで、ＤＲＡＭでは、例えば孤立した長尺状の配線の端部にプラグを接続したい場合がある。この場合、レジストパターンにおける孤立パターンの端部付近の僅かな細りや後退が、ＤＲＡＭ回路上での接続不良を招くことになる。ところが、特許文献１のマスクパターンでは、孤立パターンの端部付近の細りや後退の抑制による、接続不良の防止が充分とは言えなかった。

本発明は、上記に鑑み、露光工程で用いられるフォトマスクであって、露光に際してデフォーカスが生じた際にも、レジストパターンにおける長尺状の孤立パターンの端部付近の細りや後退を効果的に抑制できるフォトマスクを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係るフォトマスクは、露光工程に用いられるフォトマスクであって、
露光光学条件の解像限界以上の寸法を有する長尺状の主パターンと、該主パターンと平行に延在し、露光光学条件の解像限界未満の寸法を有する長尺状の補助パターンとを有し、
前記主パターンの端部に隣接する補助パターンの部分が、該補助パターンの他の部分よりも、主パターンを被照射体上に転写させる際の焦点深度拡大機能が大きな形状に形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、露光に際してデフォーカスが生じた際にも、レジストパターンにおける孤立した長尺状の主パターンの端部付近の細りや後退を効果的に抑制できる。これによって、半導体装置の回路内での接続不良を抑制できる。

本発明では、前記主パターンの端部に隣接する補助パターンの部分が、該補助パターンの他の部分よりも大きな幅を有してもよく、或いは、前記主パターンの端部に隣接する補助パターンの部分が、該補助パターンの他の部分よりも前記主パターンに近い位置に形成されてもよい。

本発明の好適な態様では、前記補助パターンは、前記主パターンの片側に２本以上並んで配置され、該主パターンに近い側の補助パターンは、該主パターンから遠い側の補助パターンよりも小さな幅を有する。主パターンを被照射体上に転写させる際の焦点深度を効果的に拡大できる。

斜入射照明では、通常照明に比して、繰返しパターンおよび孤立パターンの双方の解像度を両立させることが容易ではなく、孤立パターンの寸法が変動し易い。従って、本発明は、斜入射照明を用いた露光工程に適用することによって、孤立パターンの寸法の変動を効果的に抑制できる。この場合、更に好適には、前記主パターン及び補助パターンのそれぞれが、露光光の一部を透過させる半遮光領域であり、前記主パターン及び補助パターン以外の領域が透光領域である。０次回折光と、＋１次回折光又は−１次回折光との光強度のバランスを改善し、コントラストを向上させると共に、主パターンを被照射体上に転写させる際の焦点深度を効果的に拡大できる。

本発明では、補助パターンの端部が、主パターンの端部よりも先へ延伸していることが好ましい。主パターンを被照射体上に転写させる際の、主パターンの端部付近に対する焦点深度拡大機能を効果的に高めることが出来る。なお、本発明では、主パターン及び補助パターンはそれぞれ、遮光領域、半遮光領域、及び、透光領域の何れの領域を構成してもよい。

以下に、図面を参照し、本発明の実施形態を詳しく説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る、露光工程に用いられるフォトマスクの構成を示す平面図である。フォトマスク１０は、ハーフトーン位相シフトマスクであって、透光領域と、光透過率が６％で、且つ、透過光の位相を１８０°だけシフトさせる半遮光領域とを有する。

フォトマスク１０は、それぞれが半遮光領域として構成される、ｙ方向に延びる孤立した長尺状の主パターン（ラインパターン）１１と、主パターン１１の周囲に配置された複数の補助パターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂとを有する。主パターン１１は、露光工程における光学条件の解像限界以上の寸法で形成され、補助パターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂは、露光工程における光学条件の解像限界未満の寸法で形成されている。

補助パターン１２ａ，１２ｂは、主パターン１１の両側に隣接し、主パターン１１を挟んで対称な形状を有する。また、主パターン１１に平行であって、主パターン１１の端部よりも先へ延伸している。補助パターン１３ａ、１３ｂは、主パターン１１の延長上に、主パターン１１と直交する方向に延びている。主パターン１１から見て、補助パターン１２ａ，１３ａは１列目の補助パターンであり、補助パターン１２ｂ，１３ｂは２列目の補助パターンである。

斜入射照明に際しては、２列目の補助パターン１２ｂ，１３ｂを配置すると、パターンの配列が密集パターンに近づき、主パターン１１の転写に際して焦点深度を効果的に拡大できる。なお、補助パターン１２ｂ，１３ｂの外側に、３列目の補助パターンを配置してもよい。しかし、補助パターンの配列を３列以上としても、２列の場合との間で、主パターン１１の焦点深度の差は僅かであるので、ここでは２列とした。

本実施形態では、補助パターン１２ａには、主パターン１１の端部の近くに、主パターン１１の側に向かって突出する矩形状の突起１４ａが形成され、補助パターン１２ｂには、主パターン１１の端部の近くに、主パターン１１とは逆の側に向かって突出する矩形状の突起１４ｂが形成されている。このように、補助パターン１２ａ，１２ｂは、主パターン１１の端部に近い部分が、他の部分よりも大きな幅を有する。なお、突起１４ｂが、突起１４ａとは逆の向きに突出しているのは、補助パターン同士の間隔が狭まると、対応するフォトレジスト膜上の部分の光強度が低下し、転写しやすくなるのを防ぐためである。

図１において、主パターン１１の幅は例えば１００ｎｍに設定されている。フォトマスク１０における各部の寸法は、下記表１に示す通りである。

補助パターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの配置に際しては、主パターン１１との間隔及び線幅が、主パターン１１の焦点深度に影響する。主パターン１１との間隔については、それらパターン１１，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの寸法及び露光光学条件により異なるが、解像限界値からその１．５倍程度の値までの範囲に設定される。このような範囲で補助パターンを配置することで、斜入射照明の条件下で２光束干渉の結像状態を作り出し、焦点深度を向上させることが出来る。

表１の寸法の決定に際しては、例えば、主パターン１１の転写に際して焦点深度が最も拡大する補助パターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの位置をそれぞれ決定した後、ＯＰＣ処理を行い、それら補助パターン１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの幅を決定するという手法を用いることが出来る。

主パターン１１から遠い側の補助パターン１２ｂ，１３ｂの幅が、近い側の補助パターン１２ａ，１３ａの幅よりも大きくなっているのは、遠い側の補助パターン１２ｂ，１３ｂは解像されにくいためである。但し、補助パターン１２ｂ，１３ｂが他の主パターン１１などに近接する場合には、解像を防ぐために、その幅を補助パターン１２ａ，１３ａよりも小さくすることもある。

本実施形態によれば、主パターン１１と平行に延在する補助パターン１２ａ，１２ｂが、主パターン１１の端部よりも先へ延伸すると共に、この端部に近い部分が、他の部分よりも大きな幅を有することによって、主パターン１１を被照射体上に転写させる際に、主パターン１１の端部付近に対する焦点深度拡大機能を高めることが出来る。従って、主パターン１１を被照射体上に転写させる際に、その端部付近における焦点深度が拡大し、露光に際してデフォーカスが生じた場合にも、レジストパターンにおける主パターン１１の端部付近の細りや後退を抑制できる。

図２は、第１実施形態に対応する第１比較例に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。フォトマスク３０は、突起１４ａ，１４ｂを有しないことを除いては、図１に示したフォトマスク１０と同様の構成を有している。フォトマスク３０における各部の寸法は、下記表２に示す通りであり、補助パターン１２ａ，１２ｂの端部付近を除いては、フォトマスク１０と同様である。

第１実施形態のフォトマスク１０、及び、第１比較例のフォトマスク３０について、斜入射照明を用いた露光工程における露光ステージ上での光強度を計算した。図３（ａ）、（ｂ）に結果を示す。同図中、０ｎｍが、主パターン１１の端部に、０ｎｍ以下の負の領域が、主パターン１１上にそれぞれ対応する。なお、計算に際して、フォトマスク１０，３０の主パターン１１に対してＯＰＣ処理を行った。

計算に際して、斜入射照明の光源は、円形光源の中心部分を遮光した輪帯照明とした。輪帯照明は、開口数（ＮＡ）を０．８６、コヒーレント・ファクタ（σ）を０．８５、遮光率を７５％とした。露光光はＫｒＦレーザ光とした。フォーカスオフセットが０、１００、２００、３００ｎｍの場合について、それぞれ計算した。０ｎｍはデフォーカスが生じていないベストフォーカスの際の値であり、デフォーカスが大きくなり過ぎると主パターン１１自体が転写されなくなるため、フォーカスオフセットは３００ｎｍまでとした。光強度は、最大値を１．０とする相対光強度で示している。

図３（ａ）、（ｂ）の相対光強度に基づき、露光により形成されるレジストパターンの寸法を予測する計算を行った。計算により得られたレジストパターンについて、フォーカス・オフセットと、レジストパターンにおける主パターン１１端部の後退距離との関係を調べた。表３に結果を示す。主パターン１１端部の後退距離は、フォーカス・オフセットが０ｎｍの際の値を基準としている。計算に際しては、単純なエクスポージャ・スレシュホルドモデルを用い、所定の光強度以下の部分でレジストパターンが残るものとした。

同表より、第１実施形態のフォトマスク１０では、第１比較例のフォトマスク３０に比して、デフォーカスが生じた際の主パターン１１端部の後退距離が小さくなっている。これにより、主パターン１１の端部に近い補助パターン１２ａ，１２ｂの部分の幅を大きくすることによって、主パターン１１を被照射体上に転写させる際に、その端部付近の細りや後退を効果的に抑制できることが確認できた。

図４は、第１実施形態の変形例に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。フォトマスク１５では、補助パターン１２ａ，１２ｂは、ｙ方向に見て、その端部が主パターン１１の端部と揃っている。ｙ方向に見て、主パターン１１の端部よりも先には、主パターン１１と平行に延在する長尺状の補助パターン１６ａ，１６ｂがそれぞれ配置されている。補助パターン１６ａ，１６ｂは、ｙ方向と直交方向に見て、主パターン１１と補助パターン１２ａとの間、及び、補助パターン１２ａと補助パターン１２ｂとの間に、それぞれ配置されている。

つまり、第１比較例のフォトマスク３０において、補助パターン１３ａ，１３ｂを配置することなく、補助パターン１２ａ，１２ｂにおける主パターン１１端部に近い部分が、主パターン１１の側に近づくようにずらして配置されている。フォトマスク１５では、突起１４ａ，１４ｂが配置されていない。フォトマスク１５における各部の寸法は、下記表４に示す通りである。

本変形例によれば、主パターン１１の端部に近い補助パターン１６ａ、１６ｂが、他の補助パターン１２ａ，１２ｂよりも主パターン１１に近い位置に配置されていることによって、主パターン１１を被照射体上に転写させる際に、主パターン１１の端部付近に対する焦点深度拡大機能を高めることが出来る。

なお、ｓ_１は、補助パターン１６ａによって回折された＋１次回折光及び−１次回折光の何れか一方が、投影光学系の瞳面（アパーチャ）に入射する値であって、転写に際して主パターン１１端部付近の焦点深度が最も拡大する値に設定されている。主パターン１１の端部近くに配置する補助パターン１６ａ，１６ｂも、斜入射照明の焦点深度拡大機能が高まる位置に配置することで、デフォーカスが生じた際の主パターン１１の端部付近の光強度変動を小さくでき、レジストパターンにおけるその後退量を小さく出来る。

図３（ａ）、（ｂ）と同様に、フォトマスク１５について、斜入射照明を用いた露光工程における露光ステージ上での光強度を計算した。図５に結果を示す。計算に際して、図３（ａ）、（ｂ）と同様に、主パターン１１に対してＯＰＣ処理を行った。また、表３と同様に、図５の相対光強度に基づき、露光により形成されるレジストパターンの寸法を予測する計算を行うと共に、計算により得られたレジストパターンについて、フォーカス・オフセットと、レジストパターンにおける主パターン１１端部の後退距離との関係を調べた。表５に結果を示す。

同表より、変形例のフォトマスク１５では、第１比較例のフォトマスク３０に比して、デフォーカスが生じた際の主パターン１１端部の後退距離が小さくなっている。これにより、主パターン１１の端部に近い補助パターン１６ａ，１６ｂを主パターン１１に近い位置に配置することによって、主パターン１１を被照射体上に転写させる際に、その端部付近の細りや後退を効果的に抑制できることが確認できた。

図６は、本発明の第２実施形態に係る、露光工程に用いられるフォトマスクの構成を示す平面図である。フォトマスク２０は、第１実施形態と同様に、ハーフトーン位相シフトマスクであって、透光領域と、光透過率が６％で、且つ、透過光の位相を１８０°だけシフトさせる半遮光領域とを有する。

フォトマスク２０は、それぞれが半遮光領域として構成される、ｙ方向に延びる複数の長尺状の主パターン（ラインパターン）２１と、ｘ方向に隣接する主パターン２１の間に配置されｙ方向に延びる複数の長尺状の補助パターン２２とを有する。主パターン２１は、ｘ方向及びｙ方向に所定のピッチで並び、補助パターン２２は、ｙ方向に沿って、複数の主パターン２１に隣接して延在している。本実施形態で、主パターン２１は繰返しパターンであるが、ｘ方向に隣接する主パターン２１間の間隔が露光光学条件に比して充分に大きいため、補助パターン２２を配置することによって、その焦点深度を拡大している。

本実施形態では、補助パターン２２は、ｙ方向に隣接する２つの主パターン２１の間の間隙部分に対応して幅が広く形成され、つまり、この間隙部分にｘ方向に突起する突起２３が形成されている。主パターン２１は、露光光学条件の解像限界以上の寸法で形成され、補助パターン２２は、露光光学条件の解像限界未満の寸法で形成されている。

図６において、主パターン２１の幅は１００ｎｍであり、ｘ方向のピッチは４００ｎｍである。ｙ方向に隣接する主パターン２１間の間隔は２００ｎｍである。フォトマスク２０における各部の寸法は、下記表６に示す通りである。同表の寸法の決定に際しては、例えばＯＰＣ処理を利用することが出来る。

本実施形態によれば、主パターン２１と平行に延在する補助パターン２２は、主パターン２１の端部よりも先へ延伸すると共に、主パターン２１の端部に近い部分が、他の部分よりも大きな幅を有するため、主パターン２１を被照射体上に転写させる際に、主パターン２１の端部付近に対する焦点深度拡大機能を高めることが出来る。従って、主パターン２１を被照射体上に転写させる際に、その端部付近における焦点深度が拡大し、露光に際してデフォーカスが生じた場合にも、レジストパターンにおける主パターン２１の端部付近の細りや後退を抑制できる。

図７は、第２実施形態の変形例に係るフォトマスク２４の構成を示す平面図である。フォトマスク２４では、補助パターン２２は、主パターン２１の端部付近で途切れており、ｙ方向に見て、その端部が主パターン２１の端部に揃っている。また、ｙ方向に隣接する２つの主パターン２１の間に別の補助パターン２５が配設されている。補助パターン２５は、補助パターン２２と平行に延在し、ｘ方向に見て、主パターン２１と両側の補助パターン２２との間にそれぞれ配置されている。

フォトマスク２４では、図６における突起２３は形成されていない。フォトマスク２４における各部の寸法は、下記表７に示す通りである。補助パターン２５の近傍を除いては図６における各部の寸法と同様である。

本変形例によれば、主パターン２１の端部に近い補助パターン２５が、他の補助パターン２２よりも主パターン２１に近い位置に配置されていることによって、主パターン２１を被照射体上に転写させる際に、主パターン２１の端部付近に対する焦点深度拡大機能を高めることが出来る。なお、Ｓ_２は、補助パターン２５によって回折された＋１次回折光及び−１次回折光の何れか一方が、投影光学系の瞳面（アパーチャ）に入射する値であって、転写に際して、主パターン２１端部付近の焦点深度が最も拡大する値に設定されている。

図８は、第２実施形態に対応する第２比較例に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。フォトマスク３１は、突起２３を有しないことを除いては、図６に示したフォトマスク２０と同様の構成を有している。フォトマスク３１における各部の寸法は、下記表８に示す通りであり、突起２３を有しないことを除いては、フォトマスク２０と同様である。

第２実施形態のフォトマスク２０、第２実施形態の変形例に係るフォトマスク２４、及び、第２比較例のフォトマスク３１について、斜入射照明を用いた露光工程を行った際の、レジストパターンの形状を計算で求めた。図９Ａ〜図９Ｃに結果を示す。同図中、フォトマスク２０，２４，３１中の各パターンを破線で模式的に示している。計算に際して、前述と同様に、主パターン２１に対してＯＰＣ処理を行った。

計算に際して、フォーカスオフセットは３００ｎｍとした。レジストパターンの輪郭の決定に際しては、前述と同様に、単純なエクスポージャ・スレシュホルドモデルを用い、所定の光強度以下の部分でレジストパターンが残るものとした。

図９Ａ及び図９Ｂと、図９Ｃとを比較すると、図９Ａ及び図９Ｂのレジストパターンでは、図９Ｃのレジストパターンに比して、主パターン４１の端部付近の細りや後退が抑制されている。特に、図９Ｂのレジストパターンで、細りや後退が効果的に抑制されていることが判る。ｙ方向に見て、隣接する２つの主パターン４１間の間隔は、図９Ａでは２２４ｎｍであるのに対して、図９Ｃでは２３２ｎｍであった。なお、フォーカスオフセットが０ｎｍの際には何れも２００ｎｍであった。

これらによって、主パターン２１の端部に近い補助パターン２２の部分の幅を大きくし、或いは、主パターン２１の端部に近い補助パターン２２の部分を主パターン２１に近づけることによって、主パターン２１を被照射体上に転写させる際に、その端部付近の細りや後退を効果的に抑制できることが確認できた。

なお、上記第１、第２実施形態では、補助パターンを長尺状のパターンとしたが、露光光学条件の解像限界未満の寸法を有する点状（ドット状）のパターンを並べてもよい。また、上記第１、第２実施形態では、主パターンが半遮光領域であるものとしたが、遮光領域、或いは、スリットパターンやホールパターンなどの透光領域である場合にも同様に適用できる。

以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明のフォトマスクは、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。 第１比較例のフォトマスクの構成を示す平面図である。 図３（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態及び第１比較例のフォトマスクを用いた際の、露光ステージ上での光強度をそれぞれ示すグラフである。 第１実施形態の変形例に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。 第１実施形態の変形例に係るフォトマスクを用いた際の、露光ステージ上での光強度を示すグラフである。 本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。 第２実施形態の変形例に係るフォトマスクの構成を示す平面図である。 第２比較例のフォトマスクの構成を示す平面図である。 第２実施形態のフォトマスクを用いて形成したレジストパターンを示す平面図である。 第２実施形態の変形例に係るフォトマスクを用いて形成したレジストパターンを示す平面図である。 第２比較例のフォトマスクを用いて形成したレジストパターンを示す平面図である。

符号の説明

１０：フォトマスク
１１：主パターン
１２ａ，１２ｂ：補助パターン
１３ａ，１３ｂ：補助パターン
１４ａ，１４ｂ：突起
１５：フォトマスク
１６ａ，１６ｂ：補助パターン
２０：フォトマスク
２１：主パターン
２２：補助パターン
２３：突起
２４：フォトマスク
２５：補助パターン
３０：フォトマスク
３１：フォトマスク
４１：（レジストパターンにおける）主パターン

Claims (6)

1. 露光工程に用いられるフォトマスクであって、
   露光光学条件の解像限界以上の寸法を有する長尺状の主パターンと、該主パターンと平行に延在し、露光光学条件の解像限界未満の寸法を有する長尺状の補助パターンとを有し、
   前記主パターンの端部に隣接する補助パターンの部分が、該補助パターンの他の部分よりも、主パターンを被照射体上に転写させる際の焦点深度拡大機能が大きな形状に形成されていることを特徴とするフォトマスク。
2. 前記主パターンの端部に隣接する補助パターンの部分が、該補助パターンの他の部分よりも大きな幅を有する、請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記主パターンの端部に隣接する補助パターンの部分が、該補助パターンの他の部分よりも前記主パターンに近い位置に形成されている、請求項１に記載のフォトマスク。
4. 前記補助パターンは、前記主パターンの片側に２本以上並んで配置され、該主パターンに近い側の補助パターンは、該主パターンから遠い側の補助パターンよりも小さな幅を有する、請求項１〜３の何れか一に記載のフォトマスク。
5. 斜入射照明を用いた露光に際して用いられる、請求項１〜４の何れか一に記載のフォトマスク。
6. 前記主パターン及び補助パターンのそれぞれが、露光光の一部を透過させる半遮光領域であり、前記主パターン及び補助パターン以外の領域が透光領域である、請求項５に記載のフォトマスク。

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