JPH1092706A

JPH1092706A - 露光方法、及び該露光方法を用いた半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH1092706A
Application number: JP8238749A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Sekiguchi; 敦関口
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-09-10
Filing date: 1996-09-10
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】通常照明または斜入射照明等で、補助パター
ンを用いる場合に、補助パターンに裕度をもたせて、補
助パターンの効果である焦点深度の改善を実現する露光
方法、及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供
する。【解決手段】マスクに形成したパターンを被露光材
に投影して露光する際、マスクに形成した主パターン１
に沿って、解像限界を下回る寸法の補助パターン２を形
成するとともに、この補助パターンは微小パターン２
１，２２，２３・・・に区切って形成した露光方法。
上記を用いた半導体装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法、及び該
露光方法を用いた半導体装置の製造方法に関し、マスク
に形成した主パターンに沿って、微小パターンに区切っ
て形成した補助パターンを設けることにより、解像度と
焦点深度を改善した技術を提供するものである。特に本
発明は、斜入射照明法により、マスクに形成したパター
ンを被露光材に投影して露光する技術に好適に利用でき
る。また、このようなパターン転写を工程中に有する各
種の半導体装置の製造方法に適用することができる。

【０００２】

【従来の技術】露光技術は、各種の分野で利用されてお
り、たとえば、半導体装置製造等の分野においては、そ
のフォトリソグラフィー工程において、微細なパターン
を加工形成するために使用されている。このようなフォ
トリソグラフィー工程の光露光において、近年、露光方
法に、斜入射照明法を用いることで、より微細なパター
ンを形成することが試みられている。

【０００３】斜入射照明法は、通常の露光方法がマスク
面と垂直な光軸の照明を露光用に用いるのに対し、マス
ク面と垂直でない光軸の照明を露光用に用いることによ
り、斜めから露光光を入射させる技術である。この射入
射照明法によれば、光の干渉効果を用いることで、解像
度と焦点深度の向上が見込まれる。この種の斜入射照明
法については、ＴｏｈｒｕＯｇａｗａ，ｅｔ．ａ
ｌ．，“Ｓｕｂ−ｑｕａｒｔｅｒｍｉｃｒｏｎｏｐ
ｔｉｃａｌｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｗｉｔｈｐｒａ
ｃｔｉｃａｌｔｅｃｈｎｉｑｕｅ”ＳＰＩＥＶｏ
ｌ．２４４０，ｐｐ７７２−７８２に記載がある。

【０００４】しかし、斜入射照明法にはパターン依存性
があり、特に、孤立パターンや、孤立に近い形状のパタ
ーンでは、干渉の効果が期待できない。

【０００５】これに関して、補助パターン法と言われる
方法があり、これは、補助パターンを、主パターンであ
るたとえば孤立パターンに光干渉を生じさせるように配
置する。この方法により、解像度と焦点深度の向上が見
込まれる。（この種の補助パターン法については、１９
９５年秋期応用物理学会予稿集、２７ａ−ＺＳ−３、東
内ら「補助パターン法における孤立ラインの露光量マー
ジン確保とレイアウト最適化」参照。なお、一般的な補
助パターン利用技術として、特開平１−１６１３４８
号、同１−１４７５４６号に記載のものがある）。しか
しながらこの補助パターンは、擬似的なパターンであ
り、本来、設計上は必要としないパターンである。した
がって、この補助パターンは解像しないことが好まし
い。

【０００６】よって、補助パターンのサイズを小さくし
て、これを解像限界以下に設定することが考えられるわ
けであるが、補助パターンのサイズを小さくするほど、
主パターンの干渉効果が弱くなる。また、解像限界のぎ
りぎりのところでは、露光裕度が狭く、補助パターンの
解像によりスカム発生等の問題を生じる。よって、補助
パターンを解像させないことについての裕度を広げる手
法が望まれるのであり、補助パターンをなるべく大きく
して、しかも補助パターンの効果が得られる手法が望ま
れるわけである。

【０００７】従来技術における上記補助パターンの解像
の問題点について、図３及び図４を参照して説明する
と、次のとおりである。

【０００８】図３に、主パターン１であるラインパター
ンと、補助パターン２′とからなる斜入射照明露光用マ
スクを例示する。たとえば、図３の寸法ｃ（幅）が０．
２２μｍであるライン状主パターン１を解像するため、
従来なら、図３の寸法ａ（幅）が０．１０μｍの補助パ
ターンが、限界である。すなわち、補助パターン２′の
最大寸法を規定するのは、補助パターン２′が解像され
ない最大寸法によることになる。

【０００９】図４には、シミュレーション結果を示す
が、この図４には、光強度と、マスク上のパターンＰ
１，Ｐ２（クロム等による遮光部パターン。図中、ハッ
チングを付して示す）を示す。符号Ｓ１をもって主パタ
ーンＰ１の光強度を示し、Ｓ２をもって補助パターンＰ
２の光強度を示す。これら光強度Ｓ１，Ｓ２は、ジャス
トフォーカスでの光強度分布によるものである。この光
強度が存在する部分が解像される箇所であり、主パター
ン１による光強度Ｓ１だけでなく、補助パターン２′に
よる光強度Ｓ２が存在しており、よって、補助パターン
２′も解像していることがわかる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の斜入射照明の露光技術においては、補助パターンが解
像限界を下回るサイズとするには、補助パターンを微細
にする必要があり、補助パターンの効果である解像度と
焦点深度の向上が抑制されるという問題点がある。ま
た、干渉度を弱めることなく、解像されないようにする
ための裕度を広げることが望まれる。かつ、同様に通常
照明を用いる場合についても、焦点深度の改善が望まれ
る。

【００１１】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、マスクに形成し
たパターンを被露光材に投影して露光する露光方法にお
いて、補助パターンを用いるとともに、補助パターンに
裕度をもたせつつこの補助パターンを解像させることが
無いようにして、これにより解像度と焦点深度を改善す
る露光方法を提供することを目的とし、また、このよう
な露光方法を用いた半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る露光方法
は、マスクに形成したパターンを被露光材に投影して露
光する露光方法において、使用するマスクに形成した主
パターンに沿って、解像限界を下回る寸法の補助パター
ンを形成するとともに、この補助パターンは微小パター
ンに区切って形成したものであることを特徴とするもの
である。

【００１３】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、マスクに形成したパターンを被露光材である半導体
ウェハに投影して露光する工程を備える半導体装置の製
造方法において、使用するマスクは、これに形成した主
パターンに沿って、解像限界を下回る寸法の補助パター
ンを形成するとともに、この補助パターンは微小パター
ンに区切って形成したものであるマスクであることを特
徴とするものである。

【００１４】本発明によれば、主パターンであるたとえ
ば孤立パターンに沿って、微小パターンに区切って形成
した補助パターンを形成したので、解像度と焦点深度を
改善することができる。これは以下の理由と考えられ
る。区切って形成した微小パターンは、そのサイズに依
存するが、区切られないパターン（たとえばライン状パ
ターン）に比べて、一般に解像されにくい性質がある。
すなわち区切って形成した微細パターンは、同等の大き
さで区切らないで形成したパターンより解像されにく
い。このため、区切って形成した微細パターンであれ
ば、区切らない場合には解像する大きさでも、解像する
こと無く、補助パターンとしての機能を果たすことがで
きる。この結果、本発明のように区切って形成した補助
パターンを採用すれば、解像を避けつつ、主パターンの
解像度と、焦点深度を改善する大きさに設定できるので
ある。

【００１５】上記した、区切って形成した微小パターン
が、ライン状パターン等の区切られないパターンに比べ
て解像されにくいのは、光のコントラストが弱まること
と、露光後のレジスト成分（たとえばレジストの成分で
あるＰＡＣや、化学増幅レジストの光酸発生剤ＰＡＧな
ど）が、分散されるためと推定される。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
さらに詳細に説明し、また、本発明の好ましい実施の形
態の具体例について、図面を参照して説明する。但し当
然のことではあるが、本発明は図示実施の形態例に限定
されるものではない。

【００１７】本発明に用いる照明光は、通常照明でも、
斜入射照明でもよい。特に、斜入射照明の場合、従来の
斜入射照明法における問題点を良好に回避することがで
きる。

【００１８】本発明に係る補助パターンは、微細パター
ンに区切って形成したものである。この補助パターン
は、矩形状の残しパターンと、抜きパターンとに区切っ
て形成したものとすることができる。

【００１９】本発明において、使用するマスクは、通常
マスク（位相シフト作用を呈する部分の無いマスクを言
う）とすることができる。また、本発明において、使用
するマスクは、位相シフトマスクマスクとすることがで
きる。さらに、位相シフトマスクマスクとして、ハーフ
トーン位相シフトマスクを用いることができる。ハーフ
トーン位相シフトマスクは、形成するパターン部分以外
の領域を半透明（露光光の透過率を、たとえば１０％前
後程度の半透過性にした半透明）にし、かつその位相を
パターン部分より反転（１８０度シフト）させて、焦点
深度を拡大するようにしたものである。

【００２０】本発明において、使用する露光光は、ｇ
線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレ
ーザ光等を用いることができる。

【００２１】本発明の半導体装置の製造方法において
は、各種の半導体装置の製造方法にこれを適用できる
が、微細化・集積化した半導体装置の製造に好ましく適
用することができる。

【００２２】図１及び図２を参照して、本発明の１適用
例の作用について述べる。図１及び図２は、前記説明し
た従来技術の問題点を示す図３及び図４に対応するもの
である。前述のとおり、図１及び図２において符号２で
示す補助パターンの最大寸法を規定するのは、補助パタ
ーン２が解像されない最大寸法によるが、本発明では、
図に例示のように、孤立パターンであるここではライン
パターンの主パターン１の近傍にこれに沿って形成する
補助パターンを、区切って形成した（符号２１，２２，
２３・・・参照。以下、このように微細に区切ったパタ
ーンを、小パターンとか、ドットパターンと略称するこ
ともある。）ので、従来なら寸法ａが０．１０μｍが限
界であった場合（前記図３及び図４による説明参照）
に、この寸法ａが０．１４μｍでも解像を避けることが
でき、よって０．１４μｍの補助パターンを使用するこ
とができる。この結果、従来の補助パターン寸法より、
０．０４μｍ大きめのサイズの補助パターンが配置で
き、この分、補助パターンの効果を大きくして、解像度
と、焦点深度を改善できる。

【００２３】なお図１及び図２の符号は、図３及び図４
に対応している。図１中、符号１は主パターン（ここで
はライン状の孤立パターン）、符号２は補助パターンを
示し、この補助パターン２は、区切られた小パターン２
１，２２，・・・からなり、ここでは、矩形状の残しパ
ターンと、抜きパターンとに区切って形成されている。

【００２４】図２中、符号Ｐ１は主パターンを構成する
遮光パターン（クロム等からなる）、符号Ｐ２は補助パ
ターンを構成する遮光パターン（クロム等からなる）で
あって、これは区切られた小パターンＰ２１，Ｐ２２，
・・・からなる。Ｓ１は、主パターンの光強度である。
図４との対比から明らかなように、同等の条件で、補助
パターン２による光強度（図４の符号Ｓ２で示すもの）
は、生じない。よって、補助パターン２による解像は生
じないことがわかる。

【００２５】なお、同一の補助パターンサイズでの相対
光強度では、若干、干渉効果は弱まる傾向があるが、こ
れも０．１％以内に収まるもので、区切ったパターンに
する利点の方が大きい。

【００２６】以上より、斜入射照明において、補助パタ
ーンサイズを大きくすることが可能となり、主パターン
（たとえば孤立パターン）の解像度と、孤立・密集での
共通焦点深度の改善が実現される。さらに、本発明の手
法では、通常照明においても、孤立と密集パターンでの
寸法差修正に有効で、共通焦点深度の改善が見込まれ
る。

【００２７】次に、本発明の具体的な実施の形態例につ
いて、詳細に説明する。

【００２８】実施の形態例１この実施の形態例においては、微細化・集積化した半導
体装置のパターン形成について、本発明を具体化した
（以下の各例も同じ）。この実施の形態例では、マスク
として、ハーフトーン位相シフトマスクを用い、０．２
２μｍの孤立ラインを主パターンとし、ＫｒＦエキシマ
レーザー光（波長：２４８ｎｍ）を露光光として、この
孤立ラインの形成を行った。

【００２９】使用したハーフトーン位相シフトマスクの
半透明部の光透過率（ハーフトーン透過率）は、６％で
ある。また、露光機は、ニコン（株）製のステッパーで
あるＮＳＲ−ＥＸ１０Ｂを用い、開口数ＮＡ＝０．５、
σ＝０．８の条件で、露光を行った。

【００３０】照明方法は、斜入射の４重極照明に近いＭ
ＢＩ照明を用いた（この照明については、前掲のＴｏｈ
ｒｕＯｇａｗａ，ｅｔ．ａｌ．，“Ｓｕｂ−ｑｕａｒ
ｔｅｒｍｉｃｒｏｎｏｐｔｉｃａｌｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙｗｉｔｈｐｒａｃｔｉｃａｌｔｅｃｈ
ｎｉｑｕｅ”ＳＰＩＥＶｏｌ．２４４０，ｐｐ７７２
−７８２の記載参照）。レジストとしては、ベース樹脂
と光酸発生剤と酸により溶解性の変化する物質とを含有
する３成分系のポジ型ポリスチレン系化学増幅レジスト
を用いた。このレジストを、被露光材である半導体ウェ
ハ上に０．６６μｍ厚で塗布して使用した。プリベイク
（露光前ベイク）及び、ＰＥＢ（露光後ベイク）は、そ
れぞれ１１０℃、９０秒及び、９０℃、６０秒とした。
現像液は、２．３８ｗｔ％ＴＭＡＨ（テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド）を用いた。現像方法は、
パドル（液盛り）現像で、６０秒である。

【００３１】本例において、ハーフトーン位相シフトマ
スクに形成した補助パターンは、図１に符号２で示すも
ので、微小な矩形（ほぼ正方形）状のドットパターン２
１，２２，２３・・・からなる。これが、主パターン１
である孤立ラインパターンに沿って、形成される。補助
パターン２をなすドットパターン２１，２２，２３・・
・は、矩形状の残しパターンと、抜きパターンとに区切
って形成され、このドットパターン２１，２２，２３・
・・のサイズは、図の幅寸法ａが０．１２μｍ、ドット
間ピッチｂは０．１８μｍとしている。よって、ドット
（残しパターン）とスペース（抜きパターン）は、１：
０．５の比になるように配置する。

【００３２】図３に比較として示すのは、従来より知ら
れている通常の補助パターン２′であり、この補助パタ
ーン２′のサイズは、寸法ａを０．１２μｍとする。

【００３３】図５に、線幅と焦点深度との関係を、シミ
ュレーションで得られた結果で示す。スライスレベル
は、０．２２μｍラインアンドスペースが、丁度、設計
寸法に合うように、調整した。

【００３４】図５の結果から理解できるように、本発明
に係る補助パターン２（図５にＡｄｄｉｔｉｏｎａｌ−
ｄｏｔｔと記載）については、図５にグラフＩで示すよ
うに、グラフＩＩＩで示す孤立ライン（図５にＩｓｏｌ
ａｔｅｄ−ｌｉｎｅと記載）の場合と比較して、焦点深
度が１．０μｍから１．６μｍに向上することがわか
る。また、通常の補助パターン２′（図５にＡｄｄｉｔ
ｉｏｎａｌ−ｌｉｎｅと記載。グラフＩＩ）と比較して
も、遜色が無いことが認められる。すなわち、従来の補
助パターン２′と同等な効果が得られて、しかもその場
合に、マスク作成の際のパターン描画の裕度が向上す
る。

【００３５】実験結果では、解像については図４に示し
たのと同様な結果で、通常の補助パターンは解像するこ
とが認められるが、本発明にかかる補助パターン２（補
助ドットパターン）については、図２に示したのと同様
な結果が得られて、解像しない。実験結果によれば、焦
点深度は、孤立ラインと比較して、０．８μｍから１．
３μｍに向上する。

【００３６】本実施の形態例によれば、上記したよう
に、斜入射照明系における解像度と焦点深度の改善が実
現される。特に、本実施の形態例では、斜入射照明とハ
ーフトーン位相シフト法とを組み合わせた場合の、共通
焦点深度の改善を図ることができる。（なお、通常のマ
スクを用いる場合についても同様に実施して、効果を得
ることができた。他の実施の形態例についても同じ）。
かつ、補助パターンの解像について、設計が容易になる
という利点があり、マスク描画精度の裕度向上に有効で
ある。

【００３７】実施の形態例２この実施の形態例では、補助パターンのドット間ピッチ
を変えて、本発明の効果を検証した。この実施の形態例
では、マスクとして、ハーフトーン位相シフトマスクを
用い、０．２２μｍの孤立ラインを主パターンとし、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー光（波長：２４８ｎｍ）を露光光
として、この孤立ラインの形成を行った。

【００３８】その他、ハーフトーン透過率、使用レジス
ト、露光装置及び照明方法、現像条件等の実験条件は、
実施の形態例１と同様にした。

【００３９】本実施の形態例で使用した補助パターン２
（補助ドットパターン）は、図１におけるドット間ピッ
チｂが、０．２４μｍのものと、０．１８μｍのもので
ある。寸法ａは、０．１２μｍとした。よって、ドット
間ピッチｂが０．２４μｍの場合は、ドットとスペース
は、１：１になるように配置する。また、主パターン１
である孤立パターンとの間隔を、０．４０μｍと狭めて
配置した。ドット間ピッチｂが０．１８μｍの場合は、
ドットとスペースは、１：０．５になるように配置す
る。

【００４０】評価は、上記ドット間ピッチｂを変えた２
種の補助ドットパターンと、従来の通常の補助パターン
との３者により、比較して行う。シミュレーション結果
を、図６に示す。図６に、ドット間ピッチｂが０．２４
μｍのものを１：１ｄｏｔ−ｌｉｎｅと記し、そのデー
タをグラフＩＢで示す。ドット間ピッチｂが０．１８μ
ｍのものを１：０．５ｄｏｔ−ｌｉｎｅと記し、そのデ
ータをグラフＩＡで示す。また、従来の通常の補助パタ
ーンをＩｓｏｌａｔｅｄｌｉｎｅと記し、そのデータ
をグラフＩＩＩで示す。

【００４１】図６より、グラフＩＢで示す１：１ｄｏｔ
−ｌｉｎｅ（ドット間ピッチｂが０．２４μｍ）におい
て、１．８μｍの焦点深度が得られることが予測され
る。グラフＩＡで示す１：０．５ｄｏｔ−ｌｉｎｅ（ド
ット間ピッチｂが０．１８μｍ）については、その露光
裕度（解像裕度）は、グラフＩＢの１：１ｄｏｔ−ｌｉ
ｎｅよりは狭かった。

【００４２】実験結果によれば、焦点深度は、１．５μ
ｍに改善された。本実施の形態例によれば、上記例と同
様、斜入射照明系における解像度と焦点深度の改善が実
現され、斜入射照明とハーフトーン位相シフト法とを組
み合わせた場合の、共通焦点深度の改善を図ることがで
きる。かつ、補助パターンの解像について、設計が容易
になり、マスク描画精度の裕度向上に有効である。

【００４３】実施の形態例３この実施の形態例では、通常照明で、露光を行った。ま
たここではマスクとして、ハーフトーン位相シフトマス
クを用い、０．２２μｍの孤立ラインを主パターンと
し、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長：２４８ｎｍ）を
露光光として、この孤立ラインの形成を行った。

【００４４】使用したハーフトーン位相シフトマスクの
半透明部の光透過率（ハーフトーン透過率）は、６％で
ある。また、露光機は、ニコン（株）製のステッパーで
あるＮＳＲ−ＥＸ１０Ｂを用い、開口数ＮＡ＝０．５、
σ＝０．８の条件で、露光を行った。照明方法は上述の
とおり、通常照明である。その他の各種の条件は、実施
の形態例１と同様にした。

【００４５】使用した本発明に係る補助パターン２（補
助ドットパターン）は、図１において、寸法ａが０．１
２μｍ、ドット間ピッチｂが０．２４μｍとしたもので
ある。また、比較として、従来の通常の補助パターン
と、ラインアンドスペース（図７にＬ／Ｓと表記）、孤
立ライン（図７にＩｓｏｌａｔｅｄｌｉｎｅと表記）
を用いて、これらの評価も行った。従来の通常の補助パ
ターンは、寸法ａを０．１２μｍとする。

【００４６】図７に、この結果を示す。ただし、従来の
通常の補助パターンは、補助パターン自体が解像するの
で、図中に示さなかった。図７より、ラインアンドスペ
ース（図７のグラフＩＶ）に露光量を合わせると、孤立
ラインＩｓｏｌａｔｅｄｌｉｎｅ（図７のグラフＩＩ
Ｉ′）の焦点深度が０．０μｍになる。一方、グラフＩ
Ａ′で示す本発明の補助ドットパターンＡｄｄｉｔｉｏ
ｎａｌ−ｄｏｔにより、共通焦点深度が１．２μｍに改
善された。

【００４７】本実施の形態例によれば、通常照明系にお
ける、共通焦点深度の改善がなされるという効果がもた
らされる。

【００４８】実施の形態例４この実施の形態例では、露光光として、ｉ線（波長：３
６５ｎｍ）を用いた。またマスクとして、ハーフトーン
位相シフトマスクを用い、０．２２μｍの孤立ラインを
主パターンとし、上記ｉ線によりこれを形成した。

【００４９】使用したハーフトーン位相シフトマスクの
半透明部の光透過率（ハーフトーン透過率）は、８％で
ある。また、露光機は、キャノン（株）製のステッパー
であるＣａｎｏｎｉ３を用い、開口数ＮＡ＝０．６、
σ＝０．７の条件で、露光を行った。

【００５０】照明方法は、斜入射の４重極照明に近いＭ
ＢＩ照明を用いた（前掲論文参照）。レジストは、ｉ線
用レジストである東京応化（株）製のＴＨＭＲ−ｉｐ３
３００を用い、現像液は２．３８ｗｔ％ＴＭＡＨ（テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）を用いた。
現像方法は、パドル（液盛り）現像で、６０秒である。

【００５１】使用した本発明に係る補助パターン２（補
助ドットパターン）は、図１において、寸法ａが０．１
８μｍ、ドット間ピッチｂが０．３６μｍとしたもので
ある。

【００５２】上記構成により評価を行った結果、孤立ラ
インの焦点深度が１．１μｍから１．６μｍに改善され
た。

【００５３】本実施の形態例により、ｉ線についても上
記各実施の形態例におけると同様の効果が得られること
がわかる。このように本発明は、いずれの波長の露光光
にも適用できるのであって、汎用性がある。かつ、いず
れの露光装置についても実施でき、装置の延命化を図る
こともできる。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、マスクに形成したパタ
ーンを被露光材に投影して露光する露光方法において、
補助パターンを用いるとともに、補助パターンに裕度を
もたせつつこの補助パターンを解像させることが無いよ
うにして、これにより解像度と焦点深度を改善する露光
方法を提供することができる。また、このような露光方
法を用いた半導体装置の製造方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を説明するための図であり、マスク上
の主パターンと補助パターンを示す図である。

【図２】本発明の適用例の光強度分布を説明する図で
ある。

【図３】従来技術を説明するための図である。

【図４】従来技術の光強度分布を説明する図である。

【図５】実施の形態例１における線幅と焦点深度の関
係を示す図である。

【図６】実施の形態例２における焦点深度のドットパ
ターン間隔差による比較を示す図である。

【図７】実施の形態例３における焦点深度の改善を示
す図である。

【符号の説明】

１・・・主パターン、２・・・補助パターン（ドットパ
ターン）、２１，２２，２３・・・補助パターンを構成
する各区切られた微小パターン。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクに形成したパターンを被露光材に投
影して露光する露光方法において、使用するマスクに形成した主パターンに沿って、解像限
界を下回る寸法の補助パターンを形成するとともに、こ
の補助パターンは微小パターンに区切って形成したもの
であることを特徴とする露光方法。
【請求項２】斜入射照明法により露光することを特徴と
する請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】補助パターンは、矩形状の残しパターン
と、抜きパターンとに区切って形成したものであること
を特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項４】マスクが、通常マスクであることを特徴と
する請求項１に記載の露光方法。
【請求項５】マスクが、位相シフトマスクであることを
特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項６】マスクが、ハーフトーン位相シフトマスク
であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項７】露光波長は、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマ
レーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光のいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項８】露光する工程においては、斜入射照明法に
より露光を行うことを特徴とする請求項１に記載の露光
方法。
【請求項９】マスクに形成したパターンを被露光材であ
る半導体ウェハに投影して露光する工程を備える半導体
装置の製造方法において、使用するマスクは、これに形成した主パターンに沿っ
て、解像限界を下回る寸法の補助パターンを形成すると
ともに、この補助パターンは微小パターンに区切って形
成したものであるマスクであることを特徴とする半導体
装置の製造方法。