JP2014102496A5 - - Google Patents

Claims (24)

1. 透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
   前記転写用パターンは、透光部からなる、径が４μｍ以下の主パターンと、
   前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
   前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は０度以上９０度以下であり、
   前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチＰ（μｍ）とするとき、
   前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±１次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチＰが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。
2. 透明基板上に成膜した遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
   前記転写用パターンは、透光部からなる、径が４μｍ以下の主パターンと、
   前記主パターンの周辺に配置された、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
   前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がなく、
   前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチＰ（μｍ）とするとき、
   前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±１次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチＰが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。
3. 前記補助パターンの幅Ａ（μｍ）は、前記露光に用いる露光機の解像限界がＢ（μｍ）、前記主パターンの径がＣ（μｍ）であるとき、Ａ≦Ｂ／２、かつＡ≦Ｃ／２を満たすことを特徴とする、請求項２記載の表示装置製造用フォトマスク。
4. 透明基板上に成膜した半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
   前記転写用パターンは、透光部からなる、径が４μｍ以下の主パターンと、
   前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有し、
   前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は９０度以下であり、
   前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチＰ（μｍ）とするとき、
   前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±１次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチＰが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。
5. 前記補助パターンの幅Ａ（μｍ）は、前記露光に用いる露光機の解像限界がＢ（μｍ）、前記主パターンの径がＣ（μｍ）であるとき、Ａ≦Ｂ、かつＡ≦Ｃを満たすことを特徴とする、請求項４記載の表示装置製造用フォトマスク。
6. 前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±２次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射しないように、前記ピッチＰが設定されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
7. 前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
8. 前記ピッチＰは、前記露光機の解像限界がＢ（μｍ）であるとき、０．７Ｂ≦Ｐ≦１．３Ｂであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
9. 前記遮光部は、光学濃度ＯＤが３以上の実質的遮光性、又は、露光光の透過率が２０％以下の一部透過性を有し、かつ、前記一部透過性を有する場合には、露光光に対する位相シフト量が９０度以下であることを特徴とする、請求項１〜８に記載の表示装置製造用フォトマスク。
10. 前記主パターンは、径が１μｍ以上４μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
11. 前記補助パターンの幅は、０．５μｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
12. 前記遮光部は、光学濃度ＯＤが３以上の実質的遮光性をもつことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
13. 透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
    前記転写用パターンは、透光部からなる、径が４μｍ以下の主パターンと、
    前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
    前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は０度以上９０度以下であり、
    前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチＰ（μｍ）とし、前記主パターンの透過光が、被転写体上に形成する光強度分布を示す光強度分布曲線において、主ピークと、前記主ピークに最も近い、第１サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をＱ（μｍ)とし、前記主ピークから２番目に近い第２サブピークと前記第１サブピークとの間の極小点の、主ピーク中心位置からの距離をＲ（μｍ）とするとき、
    Ｑ ≦ Ｐ ≦ Ｒ ・・・ （１）
    であることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。
14. 透明基板上に成膜した、遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
    前記転写用パターンは、透光部からなる、径が４μｍ以下の主パターンと、
    前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さく、かつ、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、
    前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光には、互いに実質的に位相差がないことを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置製造用フォトマスク。
15. 前記補助パターンの幅Ａ（μｍ）は、前記露光に用いる露光機の解像限界がＢ（μｍ）、前記主パターンの径がＣ（μｍ）であるとき、Ａ≦Ｂ／２、かつＡ≦Ｃ／２を満たすことを特徴とする、請求項１４記載の表示装置製造用フォトマスク。
16. 透明基板上に成膜した、半透光膜と遮光膜とをパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部と、半透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
    前記転写用パターンは、透光部からなる、径が４μｍ以下の主パターンと、
    前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ半透光部からなる補助パターンとを有することを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置製造用フォトマスク。
17. 前記補助パターンの幅Ａ（μｍ）は、前記露光に用いる露光機の解像限界がＢ（μｍ）、前記主パターンの径がＣ（μｍ）であるとき、Ａ≦Ｂ、かつＡ≦Ｃを満たすことを特徴とする、請求項１６記載の表示装置製造用フォトマスク。
18. 前記補助パターンの幅をＡ（μｍ）とするとき、
    Ｑ ≦ Ｐ±（Ａ／２） ≦ Ｒ ・・・ （２）
    であることを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
19. 前記補助パターンは、前記主パターンを囲んで形成されていることを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスク。
20. 前記主パターンは、径が１μｍ以上４μｍ以下であることを特徴とする、請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
21. 前記補助パターンの幅は、０．５μｍ以上であることを特徴とする、請求項１３〜２０のいずれか１項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
22. 前記遮光部は、光学濃度ＯＤが３以上の実質的遮光性、又は、露光光の透過率が２０％以下の一部透過性を有し、かつ、前記一部透過性を有する場合には、露光光に対する位相シフト量が９０度以下である、請求項１３〜２１のいずれか１項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
23. 前記遮光部は、光学濃度ＯＤが３以上の実質的遮光性をもつことを特徴とする、請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の表示装置製造用フォトマスク。
24. パターン転写方法であって、
    請求項１〜２３のいずれか記載の表示装置製造用フォトマスクを用い、表示装置用露光機によって被転写体上にパターン転写することを特徴とする、パターン転写方法。