JP2009042753A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 透明基板上に形成した半透光膜をパターニングすることによって所定のパターンを形成した、透光部と半透光部とを有するフォトマスクであって、該フォトマスクを透過した露光光によって、被転写体上に線幅３μｍ未満の転写パターンを形成するフォトマスクにおいて、前記透光部又は前記半透光部の少なくとも一方が３μｍ未満の線幅の部分を有する、前記透光部と前記半透光部とからなるパターンを含むことを特徴とするフォトマスク。
2. 前記パターンは、前記透光部の線幅が３μｍ未満である部分を有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記透明基板の露光光透過率を１００％とするとき、前記半透光膜の露光光透過率は、２０％〜６０％の範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスク。
4. 前記露光光の波長域は、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの範囲内の波長域を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のフォトマスク。
5. 前記半透光膜は、前記半透光部を透過する露光光の、前記透光部を透過する露光光に対する位相差が６０度以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載のフォトマスク。
6. 前記フォトマスクは、液晶表示装置製造用のフォトマスクであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載のフォトマスク。
7. 前記パターンが、前記透光部と前記半透光部からなるライン・アンド・スペース・パターンであって、前記透光部又は前記半透光部の少なくとも一方が３μｍ未満の線幅の部分を有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
8. 前記パターンが、前記透光部と前記半透光部からなるライン・アンド・スペース・パターンであって、前記透光部と前記半透光部のいずれも３μｍ未満の線幅の部分を有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
9. 前記半透光膜が、クロム化合物からなることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
10. 前記半透光膜は、前記半透光部を透過する露光光の、前記透光部を透過する露光光に対する位相差が５〜６０度となるものであることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
11. 透明基板上に形成した半透光膜をパターニングすることによって所定のパターンを形成した、透光部と半透光部とを有するフォトマスクであって、該フォトマスクを透過した露光光によって、被転写体上に線幅３μｍ未満の転写パターンを形成するフォトマスクの製造方法であって、前記透光部又は前記半透光部の少なくとも一方に３μｍ未満の線幅の部分を含む、前記透光部と前記半透光部とからなるパターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
12. 所定の露光条件下における、フォトマスク上の３μｍ未満の線幅部分を有する透光部又は半透光部の線幅と、それに対応する被転写体上に形成されたレジストパターンの線幅との相関関係をあらかじめ求めておき、該相関関係に基づき、前記フォトマスクに形成する透光部又は半透光部の線幅を決定し、該決定された線幅寸法に基づき、フォトマスク上に前記透光部と前記半透光部とからなるパターンを形成することを特徴とする請求項１１記載のフォトマスクの製造方法。
13. 請求項１乃至１０のいずれか一に記載のフォトマスク、または、請求項１１又は１２に記載の製造方法によるフォトマスクを使用し、３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長範囲の露光光によって、被転写体に露光し、線幅３μｍ未満のパターンを転写することを特徴とするパターン転写方法。
14. 前記透光部及び前記半透光部に３μｍ未満の線幅部分を有するライン・アンド・スペース・パターンが形成された請求項１乃至１０のいずれか一に記載のフォトマスクを使用し、ＬＣＤ用露光機を用いて３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域を含む露光光によって、被転写体上のポジ型レジストに前記ライン・アンド・スペース・パターンを転写するパターン転写方法において、
    前記半透光部の線幅がＡμｍ、前記透光部の線幅がＢμｍであるとき、被転写体上にＡμｍ未満の線幅を持つレジストのラインパターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。