KR950034748A - 포토레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

포토레지스트 패턴 형성방법 Download PDF

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KR950034748A
KR950034748A KR1019940011973A KR19940011973A KR950034748A KR 950034748 A KR950034748 A KR 950034748A KR 1019940011973 A KR1019940011973 A KR 1019940011973A KR 19940011973 A KR19940011973 A KR 19940011973A KR 950034748 A KR950034748 A KR 950034748A
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photoresist pattern
axis
forming
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KR1019940011973A
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배상만
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정중의 포토 리소그래피 공정을 통한 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, 형성하고자 하는 패턴의 세로열 패턴이 형성된 Y축 포토마스크(10); 및 형성하고자 하는 패턴의 가로열 패턴이 형성된 X축 포토마스크(20); 의 두개의 분리된 마스크를 이용한 중복노광 공정으로 포토레지스트패턴을 형성하는 것을 특징으로 함으로서 빛의 회절현상을 감소시켜, 포토마스크 상의 패턴을 그대로 웨이퍼 위에 전사할 수 있으며, 라인/스페이스 패턴의 장점을 콘택홀 형성에 적용할 경우 사각패턴의 콘택홀을 형성할 수 있다.

Description

포토레지스트 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 및 제3B도는 콘택홀 형성용 포토마스크의 평면도, 제4도는 제3A도 및 제3B도의 마스크를 이용한 중복 노광에 의해 웨이펴 위에 형성된 포토레지스트 패턴.

Claims (1)

  1. 포토마스크를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 형성하고자 하는 패턴의 세로열 패턴이 형성된 Y축 포토마스크(10); 및 형성하고자 하는 패턴의 가로열 패턴이 형성된 X축 포토마스크(20); 의 두개의 분리된 마스크를 이용한 중복노장 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011973A 1994-05-30 1994-05-30 포토레지스트 패턴 형성방법 KR950034748A (ko)

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