KR950021048A - 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 패턴형성방법에 관한 것으로, 반도체 제조공정에서 다이(Die)가 형성되지 않는 지역의 웨이퍼 가장자리부분을 포함한 웨이퍼 전체를 노광하여 다이가 형성되는 웨이퍼 부분과 동일한 조건으로 패턴을 형성하므로써, 다이가 형성되는 부분에서 패턴 형상의 향상을 가져올 수 있는 반도체 웨이퍼의 패턴형상 방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 웨이퍼의 다이를 패턴화한 상태를 도시한 웨이퍼 평면도.
Claims (2)
- 반도체 공정에서 웨이퍼의 다이가 형성될 지역(B)에 패턴을 형성할시, 노광을 하지않는 부분인 하나의 다이가 완전히 형성될 수 없는 웨이퍼 가장자리 지역(A)과의 단차 차이로 패턴형성불량을 방지하기 위한 반도체 웨이퍼의 패턴형성방법에 있어서, 웨이퍼 가장자리 지역(A)을 포함한 웨이퍼 전체면을 노광시켜 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029811A KR950021048A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029811A KR950021048A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021048A true KR950021048A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66850752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930029811A KR950021048A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021048A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431527B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2004-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 웨이퍼 최외각 영역에 더미패턴을 포함하는반도체장치의 형성방법 |
-
1993
- 1993-12-27 KR KR1019930029811A patent/KR950021048A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431527B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2004-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 웨이퍼 최외각 영역에 더미패턴을 포함하는반도체장치의 형성방법 |
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