KR960026867A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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KR960026867A
KR960026867A KR1019940039247A KR19940039247A KR960026867A KR 960026867 A KR960026867 A KR 960026867A KR 1019940039247 A KR1019940039247 A KR 1019940039247A KR 19940039247 A KR19940039247 A KR 19940039247A KR 960026867 A KR960026867 A KR 960026867A
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KR
South Korea
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nitride film
peripheral circuit
semiconductor substrate
film pattern
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019940039247A
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English (en)
Inventor
여태정
이우봉
홍흥기
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01Manufacture or treatment
    • H10B12/09Manufacture or treatment with simultaneous manufacture of the peripheral circuit region and memory cells

Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판에서 주변회로 영역으로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 산화막 및 질화막 패턴을 형성하고, 상기 질화막 패턴을 마스크로 노출되어 있는 주변회로 영역상에 형성하고자 하는 소자의 두께와 대응되는 두께를 갖는 실리콘 성장막을 형성하고, 상기 질화막 및 산화막패턴을 제거한 후, 후속공정, 예를 들어 워드선과 비트선 및 캐패시터등의 예정된 각종 구조물들을 형성하였으므로, 메모리 셀 영역과 주변회로 영역간의 단차가 감소되어 금속배선 형성 공정에서의 촛점심도 여유도가 증가되고, 단차피복성이 향상되며, 반도체기판의 표면이 손상되지 않아 공정수율 및 소자동작의 신뢰성이 향상된다.

Description

반도체소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조공정도.

Claims (1)

  1. 반도체기판에서 주변회로 영역을 노출시키며 중첩되어 있는 산화막 및 질화막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 질화막 패턴을 마스크로 노출되어 있는 반도체기판상에 예정된 두께의 실리콘 성장막을 형성하는 공정과, 상기 산화막 및 질화막 패턴을 제거하는 공정을 구비하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940039247A 1994-12-30 1994-12-30 반도체소자의 제조방법 KR960026867A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980030446A (ko) * 1996-10-29 1998-07-25 김영환 반도체 기판 및 그의 형성방법
KR100761655B1 (ko) * 2001-06-27 2007-09-27 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법

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