KR970052512A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 반도체 소자의 콘택홀 제조공정시, 콘택홀 하단에 식각 잔류물의 잔존을 방지하고, 접합 영역의 손상을 방지할 수 있는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로써, 본 발명에 의하면, 반도체 소자의 콘택홀 식각 공정시, 콘택홀 예정 영역에 감광막 패턴을 형성하고, 층간 절연막으로 평탄화 산화물인 SOG막을 도포한 다음, 감광막이 노출되도록 블랭킷 식각하고, 감광막을 제거하므로써, 콘택홀 하단에 식각 잔류물 및 노출되는 기판 하단의 손상에 최소화할 수 있다.
이로써, 소자의 금속 배선 신뢰성을 개선하고, 소자의 제조 수율을 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 내지 (라)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자를 구성하는 기본 전극의 구비된 반도체 기판상의 콘택홀 예정 부위 상부에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 전체 구조물 상부에 평탄화 산화물을 형성하는 단계; 상기 평탄화 산화물을 감광막 패턴 상부가 노출될때까지 블랭킷 식각하는 단계; 및 상기 노출된 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화 산화물은 SOG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴의 크기는 노광 한계 치수인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069581A KR970052512A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069581A KR970052512A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052512A true KR970052512A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66638728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950069581A KR970052512A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052512A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069581A patent/KR970052512A/ko not_active Application Discontinuation
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