KR970018106A - 반도체 소자의 리페어를 용이하게 하기 위한 다층 절연막 제거 방법 - Google Patents
반도체 소자의 리페어를 용이하게 하기 위한 다층 절연막 제거 방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 방법에 따르면 리페어를 실시하기 위해 다층 절연막을 제거하기 위한 마스크 패턴을 형성하고 식각을 실시하고 포토레지스트를 제거하고 잔존 수분을 제거하기 위한 질소어닐 공정을 별도로 실시해야 한다는 단점을 보완하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
셀 영역에서 금속라인을 형성하기 위한 콘택홀 형성 공정과 동시에 주변 영역에서는 폴리실리콘 퓨즈 상의 다층 절연막을 제거하기 위한 마스크 형성 및 식각을 실시하여 보다 간단한 공정으로 리페어를 용이하게 하기 위해 다층 절연막을 제거하고자 함.
4. 발명의 주요한 용도
반도체 소자의 리페어를 용이하게 실시하기 위한 다층 절연막을 제거하는데 주로 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2B도는 본 발명의 반도체 소자의 리페어를 용이하게 하기 위한 다층 절연막 제거 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 리페어를 용이하게 실시하기 위한 다층 절연막을 제거하는 방법에 있어서, 반도체 기판의 주변 영역에 산화막 상에 폴리실리콘 퓨즈가 형성되고 폴리실리콘간 산화막, 보론-포스포러스-실리케이트-글레스막, 제1금속층간 산화막, 스핀온글래스막 및 제2금속층간 산화막으로 이루어진 다층 절연막이 형성된 구조 상에, 셀 영역에서 금속라인을 형성하기 위한 콘택홀을 형성하는 공정과 동시에, 상기 폴리실리콘 퓨즈의 일부 영역이 오픈된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 다층 절연막을 식각하는 단계와, 셀 영역에 금속라인을 형성하는 단계와, 셀 영역과 주변 영역에 제1페시베이션막과 제2페시베이션막을 차례로 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 리페어를 용이하게 실시 하기 위한 다층 절연막 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950029440A KR0165172B1 (ko) | 1995-09-05 | 1995-09-05 | 반도체 소자의 리페어를 용이하게 하기 위한 다층 절연막 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950029440A KR0165172B1 (ko) | 1995-09-05 | 1995-09-05 | 반도체 소자의 리페어를 용이하게 하기 위한 다층 절연막 제거 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970018106A true KR970018106A (ko) | 1997-04-30 |
KR0165172B1 KR0165172B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19426382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950029440A KR0165172B1 (ko) | 1995-09-05 | 1995-09-05 | 반도체 소자의 리페어를 용이하게 하기 위한 다층 절연막 제거 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0165172B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100284075B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체 소자의 퓨즈박스 형성방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101687658B1 (ko) | 2015-11-25 | 2016-12-19 | 한국항공우주연구원 | 처프-지 역변환 방법 및 시스템 |
-
1995
- 1995-09-05 KR KR1019950029440A patent/KR0165172B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100284075B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체 소자의 퓨즈박스 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0165172B1 (ko) | 1999-02-01 |
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