KR960039420A - 3극 필드 에미터 제조방법 - Google Patents

3극 필드 에미터 제조방법 Download PDF

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KR960039420A
KR960039420A KR1019950008326A KR19950008326A KR960039420A KR 960039420 A KR960039420 A KR 960039420A KR 1019950008326 A KR1019950008326 A KR 1019950008326A KR 19950008326 A KR19950008326 A KR 19950008326A KR 960039420 A KR960039420 A KR 960039420A
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KR1019950008326A
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Inventor
최영환
Original Assignee
김준성
사단법인 고등기술연구원 연구조합
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Abstract

3극 필드 에미터를 제작할때, 공정을 단순화 시키고, 소자제작 공정시간을 단축시키며, 에미터 팁의 손상을 방지하기 위해, 실리콘층 상부에 열산화막을 형성하지 않는 공정을 사용함으로써, 공정이 단순하고, 열처리에 의한 팁의 손상을 방지할 수 있다.

Description

3극 필드 에미터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명에 의한 3극 필드 에미터의 제조공정을 순차적으로 나타내기 위한 정단면도.

Claims (2)

  1. 기판 상부에 제1포토레지스트층을 코팅한후 제1마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 마스크 패턴 하부의 기판을 식각하여 팁을 형성한후 상부의 마스크패턴을 제거하는 단계와; 상기 팁 상부에 제2포토레지스트층을 코팅하고, 상기 제1마스크 패턴과 동일한 마스크 패턴을 이용하여, 하부의 제2포토레지스트층을 제거하여 제2마스크 패턴을 형성하는 단계와; 전체구조 상부로 부터 절연층과 게이트 전극층을 증착시키는 단계와; 상기 팁 상부의 제2포토레지스트층과 그 상부의 절연층과 게이트 전극층을 제거하는 단계를 포함하는 3극 필드 에미터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 등의 반도체 재료, 금속 또는 실리사이드중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 3극 필드 에미터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950008326A 1995-04-11 1995-04-11 3극 필드 에미터 제조방법 KR960039420A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546581B1 (ko) * 1999-06-14 2006-01-26 엘지전자 주식회사 전계방출소자의 제조방법

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