KR970053120A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 미세 패턴 형성에 사용되는 포토레지스트 제거 공정에서 하부막질에 포토레지스트 잔류물을 남기지 않는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 소자분리영역을 형성한 후, 상기 반도체 기판상에 게이트산화막 및 게이트용 폴리실리콘막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 게이트용 폴리실리콘막상에 ARC막을 형성하는 공정과; 상기 ARC막상에 고온산화막을 형성하는 공정과; 상기 고온산화막상에 포토레지스트를 도포하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 고온산화막 및 ARC막의 패턴을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트를 제거하는 공정을 포함하고 있다. 이 방법에 의해서, 반도체 장치의 미세 패턴 형성 후 포토레지스트를 제거하는 공정에서 하부막질상에 포토레지스트 잔류물이 남지않도록 제거할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 제2B도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 보여주고 있는 순차 공정도.
Claims (1)
- 반도체 기판(10)에 소자분리영역(12)을 형성한 후, 상기 소자분리영역(12)을 포함하여 상기 반도체 기판(10)상에 게이트산화막(14) 및 게이트용 폴리실리콘막(16)을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 게이트용 폴리실리콘막(16)상에 ARC막(20)을 형성하는 공정과; 상기 ARC막(20)상에 고온산화막(18)을 형성하는 공정과; 상기 고온산화막(18)상에 포토레지스트 패턴(22)을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴(22)을 마스크로 사용하여 상기 고온산화막(18) 및 ARC막(20)의 패턴을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴(22)을마스크로 사용하여 상기 고온산화막(18) 및 ARC막(20)의 패턴을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴 (22)을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059245A KR970053120A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059245A KR970053120A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053120A true KR970053120A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950059245A KR970053120A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053120A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990061111A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059245A patent/KR970053120A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990061111A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
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