KR950015575A - 감광막패턴의 형성방법 - Google Patents

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KR950015575A KR1019930024501A KR930024501A KR950015575A KR 950015575 A KR950015575 A KR 950015575A KR 1019930024501 A KR1019930024501 A KR 1019930024501A KR 930024501 A KR930024501 A KR 930024501A KR 950015575 A KR950015575 A KR 950015575A
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김근영
허익범
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

본 발명은 리소그레피 기술중에서 감광막의 형성방법에 관한 것으로, 단차가 있는 층의 상부에 실리레이트용 감광막을 도포하는 공정과, 선택적으로 일정부분의 상기 감광막을 실리레이트시키는 공정과, 플라즈마식각공정으로 노출된 실리레이트용 감광막을 산화시켜 산화막을 형성하고, 상기 산화막을 제거하여 단차가 있는 층의 상부에 정확한 감광막패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

Description

감광막패턴의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3E도는 본 발명의 실시예에 의한 감광막패턴을 형성하는 공정단계를 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 감광막패턴의 형성방법에 있어서, 단차를 갖는 물질층의 상부에 실리레이션용 감광막을 도포한 다음, 그 상부에 실리레이션물질을 주입하여 상기 감광막의 상부에 실리레이트 된 층을 형성하는 공정과, 살기 실레이트된 층의 상부에 얇은 감광막을 도포하고, 노광 및 현상공정으로 상층감광막패턴을 형성하는 공정과, 산소플라즈마 식각공정으로 노출된 실리레이트된 층을 산화시켜 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막을 제거하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 상층감광막패턴을 제거하는 공정과, 산소플라즈마 식각공정으로 노출된 실리레이트층은 산화막을 형성하는 동시에 상기 홈 저부의 실리레이트된 감광막을 식각하여 상기 물질층의 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 감광막패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리레이션 물질은 HMDS와 같이 실리콘을 함유한 물질인 것을 특징으로 하는 감광막 패턴의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화막을 제거하여 홈을 형성할 때, CHF3나 BOE(Buffer Oxide Ecthant)를 사용하여 산화막을 제거하는 것을 특징으로하는 감광막패턴의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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