KR920001248A - O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정 - Google Patents

O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정 Download PDF

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KR920001248A
KR920001248A KR1019900008258A KR900008258A KR920001248A KR 920001248 A KR920001248 A KR 920001248A KR 1019900008258 A KR1019900008258 A KR 1019900008258A KR 900008258 A KR900008258 A KR 900008258A KR 920001248 A KR920001248 A KR 920001248A
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권광호
윤선진
박병선
전영진
강상원
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경상현
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

O2/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 3층 감광막 공정의 순서를 나타낸 개략도.
제2도는 본 발명의 공정순서를 나타낸 개략도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 플라즈마 마스크 감광막
5 : 실리레이션 에이전트 확산층

Claims (3)

  1. 기판(1)위에 색소가 포함된 플라즈마스크 감광막(2)을 4100 rpm에서 1.6~1.8㎛의 두께로 증착하는 단계와, 플라즈마스크 감광막(2)을 110℃의 온도로 60초 동안 소프트 베이킹한 소프트 베이킹하고 부분적인 노광을 하는 단계와, 플라즈마스크 감광막(2)의 노광된 부분(3)과 노광되지 않은 부분(4)을 160℃의 온도에서 60초 동안 프리실리베이션 베이킹 하는 단계와, 실리레이션 에이전트를 희석시킨 증기에서 143℃의 온도로 7분 동안 실리레이션 하여 노광된 부분(3)에 실리레이션 에이전트 확산층(5)을 형성하는 단계와, 노광되지 않은 부분(4)을 건식식각으로 제거하는 단계들에 의하여 감광막 마스크층을 형성하도록 함을 특징으로 하는 O2/He플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트의 RIE건식현상공정.
  2. 제1항에 있어서, 실리레이션 에이전트 확산층(5)을 형성할때 실리레이션 에이전트를 공기 또는 N2로 희석시킨 증기내에서 실리레이션을 수행하도록 한 O2/He플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트의 RIE건식현상공정.
  3. 제1항에 있어서, 건식식각을 수행할때 O2에 He를 첨가한 상태에서 RIE를 이용한 건식식각을 수행하도록 한 O2/He플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트의 RIE건식현장공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008258A 1990-06-05 1990-06-05 O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정 KR920005782B1 (ko)

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JP3131421A JPH05343307A (ja) 1990-06-05 1991-06-03 Ｏ２ ／Ｈｅプラズマを利用したシリレーテッドフォトレジストのＲＩＥ乾式現像方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476378B1 (ko) * 1997-06-26 2005-07-07 주식회사 하이닉스반도체 탑표면이미지프로세스에의해형성된레지스트패턴제거방법

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