KR970023705A - 반도체장치의 개구부형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 폭이 작은 개구부를 갖는 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서, 그 방법은 반도체 기판(10)상에, 제1절연막(12)과 제2절연막(12) 및 감광막(13)을 차례로 형성하는 공정과; 사진공정에 의해서 상기 감광막(13)을 패턴화하여 감광막패턴을 형성하는 공정과; 상기 감광막패턴을 마스크로 사용하여 상기 제2절연막(12)과 상기 제1절연막(11)을 차례로 제거하여 개구부(14)를 형성하는 공정과; 상기 감광막(13)의 제거후, 유기물질을 상기 개구부(14)내로 충전시키면서 상기 제2절연막(12)상에 퇴적하여 유기물층(15)을 형성하는 공정과; 상기 제1절연막(11)상에 있는 상기 유기물층(15)과 상기 제2절연막(12)을 에치백하여 제거하는 공정과; 상기 개구부(14)내에 있는 유기물층(15)을 제거하는 공정을 포함한다. 상술한 본 발명 의 반도체 장치의 개구부 형성 방법은, 종래의 기술에 비해서 상대적으로 개구폭이 작은 개구부를 형성할 수 있다.

Description

반도체장치의 개구부형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 제조방법에 따라 반도체장치의 개구부를 형성하는 공정들을 보인 순차적인 공정도.

Claims (4)

1. 폭이 작은 개구부를 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(10)상에, 제1절연막(11)과 제2절연막(12) 및 감광막(13)을 차례로 형성하는 공정과; 사진공정에 의해서 상기 감광막(13)을 패턴화하여 감광막패턴을 형성하는 공정과; 상기 감광막패턴을 마스크로 사용하여 상기 제2절연막(12)과 상기 제1절연막(11)틀 차례로 제거하여 개구부(14)를 형성하는 공정과; 상기 감광막(13)의 제거후, 유기물질을 상기 개구부(14)내로 충전시키면서 상기 제2절연막(12)상에 퇴적하여 유기물층(5)을 형성하는 공정과; 상기 제1절연막(11)상에 있는 상기 유기물층(15)과 상기 제2절연막(12)을 에치백하여 제거하는 공정과; 상기 개구부(14)내에 있는 유기물층(15)을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 개구부형성방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기물층(15)은 약 0.2-2㎛범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 개구부형성방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 에치백공정은 유기물질과 절연막의 선택비가 0.7-1.4의 범위내에서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 개구부형성방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 에치백공정은 유기물질의 식각량이 절연막의 식각량의 1.5배이상이 범위에서 일정량을 먼저 실행하는 공정과, 유기물과 잘연막의 선택비 0.7-1.4의 범위내에서 나머지를 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 개구부형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.