KR970022536A - 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 다중 포토마스크를 이용하여 듀얼다마신 구조를 갖는 반도체 장치의 접촉구와 배선부를 동시에 형성하는 공정의 단순화에 관한 것이다. 듀얼다마신 구조를 갖는 반도체 장치의 접촉구와 배선부 형성에 있어서, 특정 파장의 빛에만 반응하여 현상되는 제1포토레지스트와 특정 파장 및 다른 파장에 모두 반응하여 현상되는 제2포토레지스트를 이중적층한 반도체 장치상에, 모든 파장의 빛을 투과시키는 유리기판, 특정 파장의 빛을 투과시키지 않은 재질의 층, 그리고 모든 파장의 빛을 투과시키지 않는 재질의 층을 순차 적층한 마스크를 사용하여 패터닝한 후, 이방성 식각공정을 수행하면, 종래와 같은 포토공정과 식각공정의 반복작업 없이 포토공정과 식각공정을 한번만 수행하여 듀얼다마신 구조를 갖는 반도체 장치의 접촉구와 배선부를 동시에 형성할 수 있다.

Description

포토마스크 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3A도 내지 제3C도는 본 발명에 따른 접촉구와 배선부의 형성 공정도.

Claims (5)

1. 투광영역(TR), 선택적 투광영역(HR) 및 차광영역(SR)으로 나뉘어진 기판(20)과; 상기 투광영역(TR)을 제외한 상기 기판(20)상에 형성된 다중 마스킹층을 구비한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 다중 마스킹층은 상기 투광영역(TR)을 제외한 상기 석영기판(20)상에 형성되어 특정파장의 빛을 투과시키는 제1마스킹층(22)과, 상기 제1마스킹층(22)상의 차광영역(SR)에 해당되는 부분에 형성되어 모든 파장의 빛을 차단하는 제2마스킹층(24)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크.
3. 반도체 기판(30)상에 절연막(32)을 형성하는 공정과; 상기 절연막(32)상에 제1포토레지스트(34)를 도포하는 공정과; 상기 제1포토레지스트(34)상에 제2포토레지스트(36)를 도포하는 공정과; 상기 제1, 제2포토레지스트(34,36)를 서로 다른 투과성의 재질로 이루어진 다중 마스크를 이용하여 상기 제1, 제2포토레지스트(34,36)를 패터닝하는 공정과; 상기 제1, 제2포토레지스트(34,36)를 식각마스크로 사용하여 상기 절연막(32)을 이방성 식각하여 접촉구(A)와 배선부(B)를 동시에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 마스크를 이용한 반도체 장치의 제조 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 제1포토레지스트(34)는 특정 파장의 빛에만 반응하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
5. 제3항에 있어서, 상기 제2포토레지스트(36)는 상기 특정 파장및 그 이외 파장의 빛에 반응하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.