KR940012054A - 실리레이션을 이용한 사진식각방법 - Google Patents

실리레이션을 이용한 사진식각방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940012054A
KR940012054A KR1019920021641A KR920021641A KR940012054A KR 940012054 A KR940012054 A KR 940012054A KR 1019920021641 A KR1019920021641 A KR 1019920021641A KR 920021641 A KR920021641 A KR 920021641A KR 940012054 A KR940012054 A KR 940012054A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist layer
photoresist
layer
pattern
silized
Prior art date
Application number
KR1019920021641A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0170253B1 (ko
Inventor
김철홍
한우성
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920021641A priority Critical patent/KR0170253B1/ko
Priority to CN93112925A priority patent/CN1068442C/zh
Priority to EP93309162A priority patent/EP0599539B1/en
Priority to DE69308755T priority patent/DE69308755T2/de
Priority to US08/153,928 priority patent/US5427649A/en
Priority to JP5289414A priority patent/JPH0777809A/ja
Publication of KR940012054A publication Critical patent/KR940012054A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0170253B1 publication Critical patent/KR0170253B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조공정에서 다층 감광막 공정 (Multi-Layer Resist Process;이하 MLR공정)에 따른 해상도 증가효과를 지니면서 3층 감광막이 아닌 2층 감광막을 사용함으로써 공정의 간략화를 꾀할 수 있는 사진식각방법에 관한 것으로서, 기판상에 제1포토레지스트층을 적충시킨후 그 표면의 일부를 실리레이션시키는 제1공정; 상기 실리레이션된 제1포토레지스트층상에 제2포토 레지스트 층을 적충시킨 후 일정한 패턴을 지닌 포토마스크를 통하여 노광시키고, 현상시키는 제2공정; 상기 일정한 패턴으로 형성된 제2포토레지스트층을 마스크로 에치백하여 실리레이션된 제1포토레지스트의 패턴을 형성 시키는 제3공정; 상기 패턴형성된 실리레이션된 제1포토레지스트층을 산화시키고 이를 마스크로 하여 에치백하여 제1포토레지스트 패턴을 형성시키는 제4공정;을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 2층 감광막 구조의 공정만을 통해 종래 MLR 공정의 효과를 지닐수 있어 공정이 단순화 되었으며, 한편 원치 않는 폴리머 생성이 감소되어 소자의 신뢰성도 확보할 수 있다.

Description

실리레이션을 이용한 사진식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)-(바)는 본 발명에 의한 이층 감광막 사진식각공정을 나타내는 단면도,
제3도의 (가)-(다)는 감광막이 실리레이션화, 산화되는 화학적 반응도.

Claims (4)

  1. 기판상에 제1포토레지스트층을 적충시킨후 그 표면의 일부를 실리레이션시키는 제1공정; 상기 실리레이션된 제1포토레지스트층상에 제2포토 레지스트층을 적충시킨후 일정한 패턴을 지닌 포토마스트르 통하여 노광시키고, 현상시키는 제2공정; 상기 일정한 패턴으로 형성된 제2포토레지스트층을 마스크로 에치백하여 실리레이션된 제1포토지스트의 패턴을 형성 시키는 제3공정; 상기 패턴형성된 실리레이션된 제1포토레지스트층을 산화시키는 이를 마스크로 하여 에치백하여 제1포토레지스트 패턴을 형성시키는 제4공정;을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 사진 식각방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1포토레지스트층은 실리레이션이 가능한 유기화합물인 것을 특징으로 하는 사진식각방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1포토레지스트층은 화학 증폭형, NOVOLAC계 또는 폴리비닐 페놀계 레지스트인 것임을 특징으로 하는 사진식각방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1공정의 실리레이션 시 실리레이터로서 TMDS, HDMS, ATMS, DMSDMA, Silane중 어느하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 사진식각방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920021641A 1992-11-18 1992-11-18 실리레이션을 이용한 사진식각방법 KR0170253B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920021641A KR0170253B1 (ko) 1992-11-18 1992-11-18 실리레이션을 이용한 사진식각방법
CN93112925A CN1068442C (zh) 1992-11-18 1993-11-08 采用甲硅烷基化作用形成图形的方法
EP93309162A EP0599539B1 (en) 1992-11-18 1993-11-17 Method for forming a pattern by silylation
DE69308755T DE69308755T2 (de) 1992-11-18 1993-11-17 Verfahren zur Herstellung eines Musters durch Silylierung
US08/153,928 US5427649A (en) 1992-11-18 1993-11-18 Method for forming a pattern by silylation
JP5289414A JPH0777809A (ja) 1992-11-18 1993-11-18 シリレーションを利用したパターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920021641A KR0170253B1 (ko) 1992-11-18 1992-11-18 실리레이션을 이용한 사진식각방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940012054A true KR940012054A (ko) 1994-06-22
KR0170253B1 KR0170253B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=19343325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920021641A KR0170253B1 (ko) 1992-11-18 1992-11-18 실리레이션을 이용한 사진식각방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5427649A (ko)
EP (1) EP0599539B1 (ko)
JP (1) JPH0777809A (ko)
KR (1) KR0170253B1 (ko)
CN (1) CN1068442C (ko)
DE (1) DE69308755T2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100412139B1 (ko) * 2001-12-28 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 마스크패턴 형성방법
KR100866122B1 (ko) * 2002-06-29 2008-10-31 주식회사 하이닉스반도체 듀얼 다마신 공정을 이용한 금속배선 형성방법

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970002427B1 (en) * 1994-01-14 1997-03-05 Lg Semicon Co Ltd Fine patterning method of photoresist film
EP0783727A4 (en) * 1994-09-09 1998-01-14 Univ Louisiana State MICROSTRUCTURES AND METHOD FOR MANUFACTURING MICROSTRUCTURES
US5925494A (en) * 1996-02-16 1999-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Vapor deposition of polymer films for photolithography
KR980003848A (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 김주용 반도체 장치의 미세패턴 형성방법
US5922516A (en) * 1997-06-04 1999-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bi-layer silylation process
US5877076A (en) * 1997-10-14 1999-03-02 Industrial Technology Research Institute Opposed two-layered photoresist process for dual damascene patterning
US5935762A (en) * 1997-10-14 1999-08-10 Industrial Technology Research Institute Two-layered TSI process for dual damascene patterning
US5877075A (en) * 1997-10-14 1999-03-02 Industrial Technology Research Institute Dual damascene process using single photoresist process
KR100474544B1 (ko) * 1999-11-12 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 조성물
US6451512B1 (en) 2000-05-01 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists
US20040018450A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 United Microlectronics Corp. Method for transferring patterns
US6780782B1 (en) * 2003-02-04 2004-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bi-level resist structure and fabrication method for contact holes on semiconductor substrates
US7468227B2 (en) * 2004-11-16 2008-12-23 Applied Materials, Inc. Method of reducing the average process bias during production of a reticle
US7309659B1 (en) 2005-04-01 2007-12-18 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon-containing resist to pattern organic low k-dielectrics
CN100570485C (zh) * 2006-07-07 2009-12-16 中国科学院半导体研究所 二维纳米结构深刻蚀方法
US8003537B2 (en) * 2006-07-18 2011-08-23 Imec Method for the production of planar structures
CN101452225B (zh) * 2007-12-07 2011-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻胶掩模图形的显影方法
US8822347B2 (en) * 2009-04-27 2014-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wet soluble lithography
US8304179B2 (en) 2009-05-11 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a modified photosensitive layer
US8647796B2 (en) * 2011-07-27 2014-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoactive compound gradient photoresist
CN103035512B (zh) * 2012-11-02 2015-08-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法
CN103839770B (zh) * 2012-11-21 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种同时在深沟槽底部和顶部形成图形的工艺方法
KR101295251B1 (ko) * 2012-12-04 2013-08-09 주식회사 라온이노텍 투명 디스플레이부 이미지 멀티 증착 방법
CN103871847A (zh) * 2014-03-19 2014-06-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种干法刻蚀方法
US9741586B2 (en) 2015-06-30 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating package structures
CN115132591B (zh) * 2022-09-02 2022-11-29 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262150A (ja) * 1984-06-11 1985-12-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 三層レジスト用中間層材料及びそれを用いた三層レジストパタン形成方法
US4782008A (en) * 1985-03-19 1988-11-01 International Business Machines Corporation Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof
JPS61231549A (ja) * 1985-04-06 1986-10-15 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパタ−ン形成方法
US4751170A (en) * 1985-07-26 1988-06-14 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Silylation method onto surface of polymer membrane and pattern formation process by the utilization of silylation method
US4816112A (en) * 1986-10-27 1989-03-28 International Business Machines Corporation Planarization process through silylation
JPH02304922A (ja) * 1989-05-19 1990-12-18 Nec Corp 微細パターンの形成方法
JPH04176123A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5286607A (en) * 1991-12-09 1994-02-15 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Bi-layer resist process for semiconductor processing
US5270151A (en) * 1992-03-17 1993-12-14 International Business Machines Corporation Spin on oxygen reactive ion etch barrier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100412139B1 (ko) * 2001-12-28 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 마스크패턴 형성방법
KR100866122B1 (ko) * 2002-06-29 2008-10-31 주식회사 하이닉스반도체 듀얼 다마신 공정을 이용한 금속배선 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0599539B1 (en) 1997-03-12
DE69308755D1 (de) 1997-04-17
EP0599539A3 (en) 1995-03-29
EP0599539A2 (en) 1994-06-01
DE69308755T2 (de) 1997-06-26
US5427649A (en) 1995-06-27
CN1068442C (zh) 2001-07-11
JPH0777809A (ja) 1995-03-20
KR0170253B1 (ko) 1999-03-20
CN1089369A (zh) 1994-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940012054A (ko) 실리레이션을 이용한 사진식각방법
KR0122315B1 (ko) 고집적 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
KR100498716B1 (ko) 미세 패턴 형성방법
KR100338098B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JP2009109768A (ja) レジストパターン形成方法
JP2002207300A (ja) 半導体の製造方法及び半導体
KR0125315B1 (ko) 다층 레지스트 미세패턴 형성방법
KR100567874B1 (ko) 반도체 소자의 패터닝 방법
JP2002207299A (ja) 半導体の製造方法及び半導体
KR100515372B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR960010054B1 (ko) 반도체소자의 콘택형성방법
US20090181327A1 (en) Method of manufacturing semiconductor devices
KR960006564B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
KR960019517A (ko) 반도체 소자의 콘택 홀 제조방법
KR100956596B1 (ko) 반도체 소자의 미세 게이트 형성방법
KR960011550A (ko) 이중 식각 단면 형성방법
KR20030002665A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR950025927A (ko) 반도체장치 제조방법
KR960005750A (ko) 리소그라피 공정방법
KR970023816A (ko) 멀티 레이어 식각 방법
KR970022536A (ko) 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR19990004859A (ko) 반도체 장치의 정렬키 제조 공정
JPH03268427A (ja) 有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法
KR950034602A (ko) 반도체장치의 다층배선 형성방법
KR960035879A (ko) 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081001

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee