KR970023816A - 멀티 레이어 식각 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 멀티 레이어(Mutil Layer) 식각 방법에 관한 것으로서, 특히 플로우린계 개스의 플라즈마를 이용한 멀티 레이어 식각 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 위한 반도체 장치의 게이트 형성시 다층 식각하는 방법에 있어서 산화막, 폴리실리콘, 및 폴리사이드를 인시투 식각시 플라즈마형 폴리실리콘 식각 장치에서 식각하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 갈이 본 발명에 의하면, 식각 공정을 한 식각 장치에서 인시투로 식각하여 공정 단순화를 달성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 반도체 장치의 게이트 형성시 다층식각하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 게이트산화막, 폴리사이드, 캡핑 산화막 및 포토레지스트를 증착하는 단계 ; 상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계 ; 상기 패터닝된 포토레지스트로 캡핑 산화막을 식각하는 단계 ; 상기 패터닝된 포토레지스트를 폴리사이드를 식각하는 단계 ; 상기 패터닝된 포토레지스터를 마스크로하여 게이트 산화막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 다층 식각 방법.
- 반도체 장치의 게이트 형성시 다층식각하는 방법에 있어서, 산화막, 폴리실리콘, 및 폴리사이드를 인시투 식각시 플라즈마형 폴리 실리콘 식각 장치에서 식각하는 것을 특징으로하는 다층 식각 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 산화막 식각시 플라즈마 개스의 조성비가 CF4: CHF3를 3:1 이상인 것을 특징으로 하는 다층 식각 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950038981A KR970023816A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 멀티 레이어 식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950038981A KR970023816A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 멀티 레이어 식각 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023816A true KR970023816A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950038981A KR970023816A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 멀티 레이어 식각 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023816A (ko) |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR1019950038981A patent/KR970023816A/ko not_active Application Discontinuation
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