KR970077232A - 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970077232A KR970077232A KR1019960015572A KR19960015572A KR970077232A KR 970077232 A KR970077232 A KR 970077232A KR 1019960015572 A KR1019960015572 A KR 1019960015572A KR 19960015572 A KR19960015572 A KR 19960015572A KR 970077232 A KR970077232 A KR 970077232A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- contact hole
- oxide film
- critical dimension
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Abstract
반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1산화막을 형성하는 단계와, 상기 제1산화막 상에 질화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막 상에 제2산화막을 형성하는 단계와, 상기 제2산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제2산화막, 질화막 제1산화막을 CHF3와 CO가스를 혼합된 가스로 고밀도 플라즈마 식각하여 상부 임계크기와 하부임계크기가 동일한 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법을 제공한다. 본 발명은 상기 제2산화막, 질화막 및 제1산화막을 CHF3가스에 CO가스를 첨가함으로써 콘택홀의 상부 임계크기와 하부 임계크기의 차이가 전혀 없는 스몰콘택을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.
Claims (1)
- 반도체 기판 상에 제1산화막을 형성하는 단계; 상기 제1산화막 상에 질화막을 형성하는 단계; 상기 질화막 상에 제2산화막을 형성하는 단계; 상기 제2산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제2산화막, 질화막 및 제1산화막을 CHF3와 CO가스가 혼합된 가스로 고밀도 플라즈마 식각하여 상부 임계크기와 하부 임계크기가 동일한 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015572A KR970077232A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015572A KR970077232A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077232A true KR970077232A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66220010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960015572A KR970077232A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077232A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100306374B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-10-19 | 박종섭 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
-
1996
- 1996-05-11 KR KR1019960015572A patent/KR970077232A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100306374B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-10-19 | 박종섭 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970077184A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970077232A (ko) | 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 | |
| KR950021178A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970023814A (ko) | 반도체 건식에칭방법 | |
| KR970072094A (ko) | 반도체 장치의 콘택 식각 방법 | |
| KR980005631A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR940016629A (ko) | 삼층감광막 패턴 형성방법 | |
| KR970077456A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR970077192A (ko) | 반도체장치의 비트라인 형성방법 | |
| KR950034602A (ko) | 반도체장치의 다층배선 형성방법 | |
| KR970067646A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970072134A (ko) | 반도체 장치의 실리콘 나이트라이드막 에칭 방법 | |
| KR970017955A (ko) | 패드 전극 패턴 형성방법 | |
| KR970052372A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR980006068A (ko) | 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 | |
| KR940004836A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970049003A (ko) | 보텀(bottom) 레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR970067552A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR980005619A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970053955A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970023816A (ko) | 멀티 레이어 식각 방법 | |
| KR980005466A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR970071128A (ko) | 반도체 장치의 고전도성막 패턴형성방법 | |
| KR970052258A (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR980005627A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |