KR970067646A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970067646A KR970067646A KR1019960009079A KR19960009079A KR970067646A KR 970067646 A KR970067646 A KR 970067646A KR 1019960009079 A KR1019960009079 A KR 1019960009079A KR 19960009079 A KR19960009079 A KR 19960009079A KR 970067646 A KR970067646 A KR 970067646A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact hole
- forming
- mask
- semiconductor device
- polysilicon layer
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 제공하는 것으로, 감광막을 실제로 형성하고자 하는 콘택홀의 크기보다 크게 패터닝하고, 감광막을 이용하여 폴리실리콘층을 슬로프 식각한 후 경사지게 패터닝된 폴리실리콘층을 이용하여 콘택홀을 형성하므로써 원하는 크기의 콘택홀을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 절연막, 폴리실리콘층 및 감광막을 순차적으로 형성하고, 상기 실리콘기판으로부터 일정거리 떨어진 위치에 마스크를 고정시킨 후 상기 마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막을 마스크로 이용하여 상기 폴리실리콘층을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 감광막을 제거하고, 상기 패터닝된 폴리실리콘층을 마스크로 이용하여 상기 절연막 및 실리콘기판을 순차적으로 패터닝하므로써 콘택홀을 형성하는 단계로 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크는 상기 마스크상에 형성되는 빛투과 영역이 형성하고자 하는 콘택홀의 크기보다 0.1㎛ 내지 0.2㎛ 크게 패턴하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 슬로프 식각으로 상부가 넓고 하부가 좁도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960009079A KR970067646A (ko) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960009079A KR970067646A (ko) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970067646A true KR970067646A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66222510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960009079A KR970067646A (ko) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970067646A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030050845A (ko) * | 2001-12-19 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1996
- 1996-03-29 KR KR1019960009079A patent/KR970067646A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030050845A (ko) * | 2001-12-19 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940010205A (ko) | 고집적 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970067646A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970077209A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR970051844A (ko) | 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| KR950034673A (ko) | 로우-케이 유전체를 사용하는 트랜지스터 분리 방법 및 장치 | |
| KR970052192A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR980003863A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970077456A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR970052224A (ko) | 반도체 장치의 접촉장 형성방법 | |
| KR940004836A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR980005543A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR970052317A (ko) | 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법 | |
| KR970077071A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR980005539A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR970018216A (ko) | 반도체 장치의 평탄화 방법 | |
| KR970077715A (ko) | 메탈 배선 형성방법 | |
| KR970077457A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR980005631A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR970077232A (ko) | 반도체 장치의 스몰콘택홀 형성방법 | |
| KR940010366A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR970067652A (ko) | 반도체소자의 배선막 식각방법 | |
| KR980005619A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026854A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026635A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR980005251A (ko) | Fed 패널의 스페이서 제조방법 및 그에 의한 스페이서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |