KR940010205A - 고집적 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 자기정렬 콘택홀 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 형성되어 있는 불순물 확산 영역(8)상에 산화막(1), 제1전도물질(2), 제1절연막(3), 제2전도물질(4), 제2전도물질(4), 제2절연막(5)이 차례로 형성되어 있는 고집적 반도체 소자의 자기정렬 콘택홀 형성 바업에 있어서, 감광막(9)을 패턴하여 상기 제2 전도물질(4)의 일부가 노출되도록 상기 제2절연막(5)을 소정의 크기로 식각하는 제 1단계, 상기 제1단계후에 상기 일부 노출된 제2전도물질(4)을 식각하여 제거하고 콘택홀 크기를 고려하여 제3절연막(6)을 증착한 다음에 상기 제2절연막(6)을 증착한 다음에 상기 제3절연막(6)을 비등방성 식각하여 절연막 스페이서(7)을 형성하는 제2단계, 상기 제2단계 후에 상기 절연막스페이서(7)을 형성하는 제2단계, 상기 제2단계 후에 상기 절연막 스페이서(7)를 따라 잔류된 제1절연막(3)을 식각하여 상기 불순물 확산 영역(8)상에 콘택홀을 형성하는 제3단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 자기정렬 콘택홀 형성 방법에 관한 것이다.

Description

고집적 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 일실시예에 콘택홀 형성 평면도,
제6도는 제5도의 절단선 A-A′의 단면을 따른 제조 공정도,
제7도는 본 발명에 다른 실시예의 콘택홀 제조 공정도.

Claims (3)

  1. 반도체 기판에 형성되어 있는 불순물 확산영역(8)상에 산화막(1), 제1전도물질(2), 제1절연막(3), 제2전도물질(4), 제2절연막(5)이 차례로 형성되어 있는 고집적 반도체 소자의 자기 정렬 콘택홀 형성 방법에 있어서, 감광막(5)을 패턴하여 상기 제2전도물질(4)의 일부가 노출되도록 상기 제2절연막(5)을 소정의 크기로 식각하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 상기 일부 노출된 제2전도물질(4)을 식각하여 제거하고 콘택홀 크기를 고려하여 제3절연막(6)을 증착한 다음에 상기 제3절연막(6)을 비등방성 식각하여 절연막 스페이서(7)을 형성하는 제2단계, 상기 제2단계 후에 상기 절연막 스폐이서(7)를 따라 잔류된 제1절연막(3)을 식각하여 상기 불순물 확산 영역(8)상에 콘택홀을 형성하는 제3단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 자기정렬 콘택홀 형성 방법.
  2. 반도체 기판에 형성되어 있는 불순물확산영역(8)상에 산화막(1), 제1전도물질(2), 제1절연막(3), 제2전도물질(4), 제2절연막(5)이 차례로 형성되어 있는 고집적 반도체 소자의 자기 정렬 콘택홀 형성 방법에 있어서, 상기 제2절연막(5)상에 식각장벽 물질(10)을 증착하고 감광막(9)을 패턴하여 상기 식각장벽 물질(10) 일정부위를 식각한 다음에 상기 제2전도물질 (4)의 일부가 노출되도록 상기 제2절연막(5)을 소정의 크기로 식각하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 상기 일부 노출된 제2전도물질(4)을 식각하여 제거하고 콘택홀 크기를 고려하여 제3절연막(6)을 증착한 다음에 상기 제3절연막(5)을 비등방성 절연막 스페이서(7)을 형성하는 제2단계, 상기 제2단계 후에 상기 절연막 스페이서(7)를 따라 잔류된 제1절연막(3)을 식각하여 상기 불순물 확산 영역(8)상에 콘택홀을 형성하는 제3단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 자기정렬 콘택홀 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 식각장벽 물질(10)은 폴리실리콘과 또는 실리콘 질화막중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 자기정렬 콘택홀 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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