KR980005623A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 불순물 접합층, 소자분리 절연막 및 게이트 전극을 형성하고 전체표면 상부에 제1 식각정지층인 제 1절연막을 소정두께 형성한 다음, 상기 제1절연막 상부에 제2식각정지층을 일정두께 형성하고 전체 표면상부를 평탄화시키는 제2 절연막을 형성한 다음, 상기 제2절연막 상부에 콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하고 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 상기 제2절연막을 식각하되, 상기 제2식각정지층을 노출시킨 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제2식각정지층을 식각하고 상기 감광막 패턴을 제거한 다음, 전체 표면 상부에 제3 절연막을 형성하고 상기 제3절연막을 전면 식각하되, 과도식각하여 상기 제2절연막을 동시에 식각함으로써 콘택홀과 제3 절연막 스페이서를 형성하여 미스얼라인 유발시에도 하부구조물의 손상없이 상기 콘택홀의 절연특성을 향상시키는 콘택홀을 형성하여 반도체 소자의 수율, 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제 1e도는 본 발명의 실시예에 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (9)
- 반도체 기판에 불순물 접합층, 소자분리절연막 및 게이트 전극을 형성하는 공정과, 전체 표면상부에 제1식각정지층인 제1절연막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 상부에 제2식각정지층을 일정두께 형성하는 공정과, 전체 표면 상부를 평탄화시키는 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 상부에 콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 상기 제2절연막을 식각하되, 상기 제2식각정지층을 노출시키는 공정과, 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 상기 제2식각정지층을 식각하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 상기 제2식각정지층을 식각하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 제거하는 공정과, 전체 표면 상부에 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기 제3절연막을 전면식각하되, 과도식각하여 상기 제1절연막을 동시에 식각함으로써 콘택홀과 제3절연막 스페이서를 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 LPCVD 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 LPCVD 산화막은 TEOS,LTO,MTO 또는 HTO 등인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2식각정지층은 상기 제2절연막 및 제1절연막과의 식각선택비 차이를 갖는 도전체 또는 절연체로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2식각정지층은 다결정 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 상기 제1절연막과 유사한 식각선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 LPCVD 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 LPCVD 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제6항 내지 제8항중 어느 한항에 있어서, 상기 제3절연막은 상기 제1절연막보다 2~10배정도 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025788A KR980005623A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025788A KR980005623A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005623A true KR980005623A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025788A KR980005623A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005623A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333353B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2002-04-18 | 박종섭 | 반도체장치의 콘택홀 및 그 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025788A patent/KR980005623A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333353B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2002-04-18 | 박종섭 | 반도체장치의 콘택홀 및 그 형성방법 |
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