KR940016687A - 반도체 접속장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 접속장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 접속장치 및 그 제조방법에 관한 것으로 하부의 제 1 전도선에 제 2 전도선을 접속할때 제 1 전도선에 형성되는 콘택에 전도물질 패드와 식각장벽물질을 자기정렬형으로 형성함으로써 제 2 전도선 콘택과 제 2 전도선의 오버랩(overlap)을 최소화하여 접속부분의 면적을 감소시키는 반도체 접속장치 제조방법이다.

Description

반도체 접속장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 의해 접속장치를 형성할 때의 레이아웃도, 제3A도 내지 제3C도는 종래의 방법에 의하여 접속장치를 형성하는 단면도, 제4A도 내지 제4C도는 본 발명의 제1실시예에 의하여 접속장치를 형성한 단면도, 제5A도 내지 제5C도는 본 발명의 제 2 실시예에 의하여 접속장치를 형성한 단면도.

Claims (5)

  1. 제 2 전도선은 층간절연막의 소정부분이 제거된 콘택홀을 통하여 제 1 전도선에 콘택하되 제 2 전도선이 콘택홀을 완전히 오버랩하지 않을 경우 제 2 전도선 패턴을 형성할때 노출되는 제 1 전도선이 손상되는 것을 방지하기 위하여 절연층의 소정부분이 제거된 콘택홀 상부에 전도물질 패드가 형성되되, 노출된 제 1 전도선에 접속되어 전도물질 패드가 형성되고, 전도물질 패드 상부의 홈에 식각장벽물질이 형성되고, 그 상부에 제 2 전도선 패턴이 식각장벽물질 일정상부에서 전도물질 패드에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 접속장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 식각장벽물질은 제 2 전도선과 전도물질 패드에 대하여 식각 선택비가 큰 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 접속장치.
  3. 비트선이 층간절연막이 제거된 콘택홀을 통해 트랜지스터의 드레인 전극에 콘택하되, 비트선이 상기 노출된 드레인 전극을 오버랩하지 않을 경우 비트선 패턴 공정에서 노출되는 드레인 전극이 손상되는 것을 방지하기 위하여, 실리콘 기판에 소자분리절연막, 드레인 전극을 형성하고 전체적으로 층간절연막을 적층한 다음 소정부분의 층간절연막을 제거하여 드레인 전극이 노출되는 비트선 콘택홀을 형성하는 단계와, 그 상부에 패드용 전도물질을 적층하고 콘택홀의 홈에 식각장벽물질로 매립하는 단계와, 전체적으로 비트선용 전도물질을 적층하고 비트선 마스크용 감광막을 형성하되 비트선 마스크용 감광막이 비트선 콘택홀을 완전히 오버랩(overlap)되지 않도록 형성하는 단계와, 노출된 비트선용 전도물질을 식각하되, 하부의 식각장벽물질과 층간절연막을 식각정지점으로 하여 드레인 전극이 손상되지 않도록 비트선을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 접속장치의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 비트선 콘택홀은 측면벽이 예각(90°이하)이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는반도체 접속장치의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 전도물질 패드 상부의 식각장벽물질은 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 접속장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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