KR940010278A - 반도체장치의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 금속배선 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940010278A
KR940010278A KR1019920018787A KR920018787A KR940010278A KR 940010278 A KR940010278 A KR 940010278A KR 1019920018787 A KR1019920018787 A KR 1019920018787A KR 920018787 A KR920018787 A KR 920018787A KR 940010278 A KR940010278 A KR 940010278A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal wiring
forming
insulating layer
contact opening
etching
Prior art date
Application number
KR1019920018787A
Other languages
English (en)
Inventor
박선후
배대록
박영욱
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920018787A priority Critical patent/KR940010278A/ko
Publication of KR940010278A publication Critical patent/KR940010278A/ko

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 블랭킷(Blanket)텅스텐을 이용한 반도체장치의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체기판상에 콘택개구부를 갖는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 콘택개구부를 갖춘 절연막상에 블랭킷 텅스텐을 침적하여 상기 콘택개구를 매몰시키는 공정, 상기 콘택개구부 이외의 절연막상에 형성된 텅스텐막을 에치백공정에 의해 제거하는 공정, 상기 결과물상에 절연층을 형성하는 공정, 건식식각에 의해 상기 절연층을 전면식각하고 이어서 절연층 하부의 상기 절연막의 윗부분을 전면식각하는 공정, 및 상기 결과물상에 금속배선층을 형성한 후 이를 소정 패턴으로 패터닝하여 금속배선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 금속배선과 콘택플러그와의 단락을 방지하고 금속배선층의 스텝커버리지를 향상시킴으로써 반도체장치의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다.

Description

반도체장치의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제8도는 본 발명에 의한 블랭킷 CVD텅스텐 공정을 이용한 금속배선 형성방법을 도시한 공정순서도.

Claims (5)

  1. 반도체기판상에 콘택개구부를 갖춘 절연막을 형성하는 공정과, 상기 콘택개구부를 갖춘 절연막상에 블랭킷 텅스텐을 침적하여 상기 콘택개구를 매몰시키는 공정, 상기 콘택개구부 이외의 절연막상에 형성된 텅스텐막을 에치백공정에 의해 제거하는 공정, 상기 결과물상에 절연층을 형성하는 공정, 건식식각에 의해 상기 절연층을 전면식각하고 이어서 절연층 하부의 상기 절연막의 윗부분을 전면식각하는 공정, 및 상기 결과물상에 금속배선층을 형성한 후 이를 소정 패턴으로 패터닝하여 금속배선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 SOG막과 포토레지스터 및 CVD법에 의해 형성된 산화막중에서 선택한 최소한 하나임을 특징으로 하는 반도제장치의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연층을 전면식각하고 이어서 절연층하부의 상기 절연막의 윗부분 일부를 전면식각하는 공정후에 잔존하는 상기 절연층을 습식 식각에 의해 제거하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 습식식각은 100 : 1로 순수에 희석된 HF를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.
  5. 반도체기판상에 콘택개구부를 갖춘 절연막을 형성하는 공정과, 상기 콘택개구부를 갖춘 절연막상에 블랭킷 텅스텐을 침적하여 상기 콘택개구를 매몰시키는 공정, 상기 콘택개구부 이외의 절연막상에 형성된 텅스텐막을 에치백공정에 의해 제거하는 공정, 건식식각에 의해 상기 절연막의 윗부분을 전면식각하는 공정 및 상기 결과물상에 금속배선층을 형성한 후 이를 소정 패턴으로 패터닝하여 금속배선을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920018787A 1992-10-13 1992-10-13 반도체장치의 금속배선 형성방법 KR940010278A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920018787A KR940010278A (ko) 1992-10-13 1992-10-13 반도체장치의 금속배선 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920018787A KR940010278A (ko) 1992-10-13 1992-10-13 반도체장치의 금속배선 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940010278A true KR940010278A (ko) 1994-05-24

Family

ID=67210344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920018787A KR940010278A (ko) 1992-10-13 1992-10-13 반도체장치의 금속배선 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940010278A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6165889A (en) Process for forming trenches and contacts during the formation of a semiconductor memory device
KR940016687A (ko) 반도체 접속장치 및 그 제조방법
KR970067640A (ko) 반도체 소자의 금속층 형성 방법
KR940010278A (ko) 반도체장치의 금속배선 형성방법
KR970051844A (ko) 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법
KR970052439A (ko) 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법
KR100587036B1 (ko) 반도체소자의 컨택 형성방법
KR960002486A (ko) 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법
KR980005592A (ko) 자기 정렬 콘택 홀 형성 방법
KR100256241B1 (ko) 반도체장치의 경사면을 갖는 콘택홀 형성방법
KR930011116A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970072316A (ko) 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법
KR950021130A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 제조방법
KR960002759A (ko) 반도체 소자의 다중 금속배선 형성방법
KR0137980B1 (ko) 텅스텐 플러그 제조방법
KR950015587A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR0167243B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR100244404B1 (ko) 반도체소자의 콘택홀 형성방법
KR960012324A (ko) 반도체소자의 게이트전극 콘택 및 그 제조방법
KR960002714A (ko) 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
KR960026234A (ko) 반도체 소자의 텅스텐-플러그 형성방법
TW430924B (en) Method for forming contact hole in semiconductor device
KR970030361A (ko) 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
KR19990005533A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR19980056112A (ko) 반도체 장치의 금속콘택 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination