KR960002714A - 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960002714A
KR960002714A KR1019940013236A KR19940013236A KR960002714A KR 960002714 A KR960002714 A KR 960002714A KR 1019940013236 A KR1019940013236 A KR 1019940013236A KR 19940013236 A KR19940013236 A KR 19940013236A KR 960002714 A KR960002714 A KR 960002714A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating film
isolation insulating
forming
device isolation
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1019940013236A
Other languages
English (en)
Inventor
홍상기
여태정
이우봉
고재완
구영모
김세정
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940013236A priority Critical patent/KR960002714A/ko
Publication of KR960002714A publication Critical patent/KR960002714A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/012—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS]
    • H10W10/0125—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS] comprising introducing electrical impurities in local oxidation regions, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics
    • H10W10/0126—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS] comprising introducing electrical impurities in local oxidation regions, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics introducing electrical active impurities in local oxidation regions to create channel stoppers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/012—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS]
    • H10W10/0121—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS] in regions recessed from the surface, e.g. in trenches or grooves

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리 절연막 형성방법에 관한 것으로, 종래기술로 소자분리 절연막을 형성함으로써 고집적 반도체소자 형성시 발생되는 문제점을 해결하기 위하여, 반도체기판을 식각하여 트랜치를 형성하고 채널스토퍼를 형성한 다음, 열산화 공정으로 소자분리절연막을 형성함으로써 반도체소자의 신뢰성을 향상시키고 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 실시예로서 반도체소자의 소자분리 절연막 형성공정을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 패드산화막과 질화막을 순차적으로 증착하고 그 상부에 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 질화막 및 패드산화막을 순차적으로 식각한 다음, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 질화막을 식각장벽으로 하여 상기 반도체기판의 일정깊이를 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 질화막을 마스크로 하여 반도체기판에 불순물이온을 주입하여 채널스토퍼를 형성하는 공정과, 열산화 공정으로 소자분리절연막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트랜티의 깊이는 예정된 소자분리절연막의 두께의 50-60%로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
    ※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013236A 1994-06-13 1994-06-13 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 Ceased KR960002714A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940013236A KR960002714A (ko) 1994-06-13 1994-06-13 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940013236A KR960002714A (ko) 1994-06-13 1994-06-13 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960002714A true KR960002714A (ko) 1996-01-26

Family

ID=66685958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940013236A Ceased KR960002714A (ko) 1994-06-13 1994-06-13 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960002714A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100344771B1 (ko) * 1999-12-08 2002-07-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 소자격리방법
KR100428700B1 (ko) * 1996-07-23 2004-04-30 지멘스 악티엔게젤샤프트 반도체 기판 내부에 전도율이 높은 가로로 절연된 매립 구역을 만들기 위한 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100428700B1 (ko) * 1996-07-23 2004-04-30 지멘스 악티엔게젤샤프트 반도체 기판 내부에 전도율이 높은 가로로 절연된 매립 구역을 만들기 위한 방법
KR100344771B1 (ko) * 1999-12-08 2002-07-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 소자격리방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970030640A (ko) 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법
KR960012359A (ko) 실리콘 질화물의 에칭 방법
KR980006032A (ko) 반도체 소자의 격리영역 형성방법
KR970072295A (ko) 반도체 소자의 격리막 형성방법
KR970053546A (ko) 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법
KR100223278B1 (ko) 플래쉬 메모리 셀 제조방법
KR950021096A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR960030327A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR960002744A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR970053396A (ko) 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법
KR960002471A (ko) 실리콘-온-인슐레이터(soi) 소자의 제조방법 및 그 구조
KR960019650A (ko) 반도체장치의 격리방법
KR980005623A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR920008923A (ko) 반도체 집적회로의 소자격리영역 형성방법
KR970053462A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법
KR940010366A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 제조방법
KR960026221A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR960039272A (ko) 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법
KR960002741A (ko) 반도체 집적회로의 분리영역 제조방법
KR960026610A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성방법
KR950014973A (ko) 반도체소자의 미세콘택 형성방법
KR960005939A (ko) 반도체 소자분리막 형성 방법
KR950021401A (ko) 트렌치형 소자분리막 제조방법
KR980005474A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR970003520A (ko) 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000