KR980005592A - 자기 정렬 콘택 홀 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 소자의 콘택 홀(Contact Hole) 형성방법에 관한 것으로, 특히 자기 정렬 콘택 홀(Self-Align Contact Hole)형성 방법에 관한 것이다. 건식 식각 공정으로 콘택 홀을 형성한 후 습식 식각 공정을 추가로 실시하여 자기 정렬 콘택 홀(Self-Align Contact Hole)을 형성한 것으로, 건식 식각시 생성되는 폴리머의 영향을 받지 않아 일정한 크기의 콘택홀을 형성할수 있고, 습식 식각 공정시 콘택 홀 상부의 지름을 크게 할수 있어 공정의 오 정렬마진을 크게할 수 있으며, 건식 식각에 의해 하부의 실리콘 기판이 손상되는 것을 줄일수 있다는 잇점이 있다.

Description

자기 정렬 콘택 홀 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 일 실시예를 나타낸 단면도들이다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판 상에 도전막 패턴을 형성하는 단계: 상기 도전막 패턴 상에 제1절연막을 증착하는 단계: 상기 결과물 전면에 제2절연막을 증착하여 층간 절연층을 형성하는 단계: 사진 및 건식 식각 공정으로 상기 도전막 패턴 사이의 상기 층간 절연층을 노출시키는 단계: 상기 제1절연막과 상기 층간 절연층의 식각율이 다른 식각액을 사용하여 습식 식각 공정을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자기 정렬 콘택 홀 (Self-Align Contact Hole) 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 상기 제2절연막은 습식식각 공정시 1:2 이상의 식각 선택비를 가지는 다른 종류인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자기 정렬 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 층간 절연층은 상기 제2절연막 상에 제3절연막을 증착하는 공정을 추가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자기 정렬 콘택홀 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제3절연막의 식각율은 습식 식각 공정시 상기 제2절연막의 식각율보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자기 정렬 콘택홀 형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제3절연막의 식각율은 제1절연막 및 상기 제2절연막과의 건식 식각 공정시 같은 식각율을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 자기 정렬 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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