KR960032608A - 콘택홀 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조공정 중 콘택홀 형성방법에 있어서, 소정 패턴이 형성된 반도체 기판(11) 전체구조 상부에 절연층(12)을 형성하는 제1단계; 상기 절연층(12)의 예정된 부위를 일정 두께 제거하는 제2단계; 및 예정된 콘택 부위가 노출될 때까지 전체구노를 전면식각하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하여, 콘택홀(14) 입구를 볼록한 상태로 형성함으로써 후속의 전도층 증착시 단차 피복성(step coverage)을 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 소자의 오버행이나 보이드의 발생을 억제하여 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 특유의 효과가 있는 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 콘택홀의 형성 공정도.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조공정 중 콘택홀 형성방법에 있어서, 소정 패턴이 형성된 반도체 기판 전체구조 상부에 절연층을 헝성하는 제1단계; 상기 절연층의 예정된 부위를 일정 두께 제거하는 제2단계; 및 예정된 콘택 부위가 노출될 때까지 전체구조를 전면식각하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 절연층은 비등방성 식각을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3단계에서, 상기 전면식각은 비등방성 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950003737A KR960032608A (ko) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950003737A KR960032608A (ko) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960032608A true KR960032608A (ko) | 1996-09-17 |
Family
ID=66548892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950003737A KR960032608A (ko) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960032608A (ko) |
-
1995
- 1995-02-24 KR KR1019950003737A patent/KR960032608A/ko not_active Application Discontinuation
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