KR930003254A - 반도체 장치의 금속배선 방법 - Google Patents

반도체 장치의 금속배선 방법 Download PDF

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KR930003254A
KR930003254A KR1019910011375A KR910011375A KR930003254A KR 930003254 A KR930003254 A KR 930003254A KR 1019910011375 A KR1019910011375 A KR 1019910011375A KR 910011375 A KR910011375 A KR 910011375A KR 930003254 A KR930003254 A KR 930003254A
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semiconductor device
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metal wiring
photosensitive film
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KR1019910011375A
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배병성
김남덕
김형택
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치의 금속배선 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)∼(C)도는 이 발명에 따른 금속배선 공정도이다.

Claims (5)

  1. 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 소정의 기판 상부에 제1금속층, 제2금속층 및 감광막 패턴을 형성하는 제1공정과, 상기 제2금속층을 경사 식각하는 제2공정과, 상기 감광막 패턴과 제2금속층을 마스크로 하여 상기 노출된 제1금속층을 양극산화 한후 감광막을 제거하는 제3공정으로 이루어지는 반도체 장치의 금속배선 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1공정의 기판을 산화막이나 질화막 또는 유리재질의 절연 물질중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 금속배선 방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1공정의 제1금속층을 Al또는 Ta중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 금속배선 방법.
  4. 제1항에 있어서, 제1공정 의 제2금속층을 Cu, Au, Cr또는 W중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 금속배선 방법.
  5. 제1항에 있어서, 제2공정상의 경사식각을 습식 또는 건식 식각중의 어느 하나로 실시하는 반도체 장치의 금속배선 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011375A 1991-04-30 1991-07-05 반도체 장치의 금속배선 방법 KR930003254A (ko)

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US07/810,848 US5240868A (en) 1991-04-30 1991-12-20 Method of fabrication metal-electrode in semiconductor device
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FR9116244A FR2676143B1 (fr) 1991-04-30 1991-12-27 Procede pour fabriquer une electrode metallique dans un dispositif semi-conducteur.
JP4035801A JPH0793420B2 (ja) 1991-04-30 1992-01-28 半導体装置の金属電極形成方法
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100656295B1 (ko) * 2004-11-29 2006-12-11 (주)웨이브닉스이에스피 선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지 및 그 제작방법

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