KR930003254A - 반도체 장치의 금속배선 방법 - Google Patents
반도체 장치의 금속배선 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)∼(C)도는 이 발명에 따른 금속배선 공정도이다.
Claims (5)
- 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 소정의 기판 상부에 제1금속층, 제2금속층 및 감광막 패턴을 형성하는 제1공정과, 상기 제2금속층을 경사 식각하는 제2공정과, 상기 감광막 패턴과 제2금속층을 마스크로 하여 상기 노출된 제1금속층을 양극산화 한후 감광막을 제거하는 제3공정으로 이루어지는 반도체 장치의 금속배선 방법.
- 제1항에 있어서, 제1공정의 기판을 산화막이나 질화막 또는 유리재질의 절연 물질중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 금속배선 방법.
- 제1항에 있어서, 제1공정의 제1금속층을 Al또는 Ta중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 금속배선 방법.
- 제1항에 있어서, 제1공정 의 제2금속층을 Cu, Au, Cr또는 W중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 금속배선 방법.
- 제1항에 있어서, 제2공정상의 경사식각을 습식 또는 건식 식각중의 어느 하나로 실시하는 반도체 장치의 금속배선 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (9)
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---|---|---|---|
KR1019910011375A KR930003254A (ko) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 반도체 장치의 금속배선 방법 |
GB9127095A GB2255443B (en) | 1991-04-30 | 1991-12-20 | Fabricating a metal electrode of a semiconductor device |
GB9500395A GB2284710B (en) | 1991-04-30 | 1991-12-20 | Fabricating a metal electrode of a semiconductor device |
US07/810,848 US5240868A (en) | 1991-04-30 | 1991-12-20 | Method of fabrication metal-electrode in semiconductor device |
DE4143116A DE4143116C2 (de) | 1991-04-30 | 1991-12-23 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Metallelektrode |
TW080110030A TW237555B (ko) | 1991-04-30 | 1991-12-23 | |
FR9116244A FR2676143B1 (fr) | 1991-04-30 | 1991-12-27 | Procede pour fabriquer une electrode metallique dans un dispositif semi-conducteur. |
JP4035801A JPH0793420B2 (ja) | 1991-04-30 | 1992-01-28 | 半導体装置の金属電極形成方法 |
US08/065,562 US5306668A (en) | 1991-04-30 | 1993-05-21 | Method of fabricating metal-electrode in semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019910011375A KR930003254A (ko) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 반도체 장치의 금속배선 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR930003254A true KR930003254A (ko) | 1993-02-24 |
Family
ID=67440659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019910011375A KR930003254A (ko) | 1991-04-30 | 1991-07-05 | 반도체 장치의 금속배선 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR930003254A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100656295B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-12-11 | (주)웨이브닉스이에스피 | 선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지 및 그 제작방법 |
-
1991
- 1991-07-05 KR KR1019910011375A patent/KR930003254A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100656295B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-12-11 | (주)웨이브닉스이에스피 | 선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지 및 그 제작방법 |
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