KR890007384A - 반도체 다층 배선장치의 제조방법 - Google Patents
반도체 다층 배선장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)∼(바)는 본 발명 반도체 다층 배선장치의 제조공정을 보인 단면도.
Claims (1)
- 제1저온 산화막(5) 상부에 제1알루미늄 금속층(6)을 형성하고 제2저온 산화막(7)과 감광액(8)을 도포한후, 제2사화막(7)의 평탄화를 위해 제1알루미늄 금속층 (6)상부 표면까지 에칭을 하며, 제1알루미늄 금속층(6) 표면에 있는 자연 산화막을 제거하기 위한 RF스퍼터 에칭 후 알루미늄 금속(9)을 증착하고 접촉창을 형성하기 위해 사진공정을 하는 한편, 접촉창의 크기와 같은 알루미늄 금속층(9)을 형성한 후에 제3저온 산화막(10)과 감광액(8)을 도포하고 제3저온 산화막(10)의 에칭을 통해 알루미늄 금속층(9)의 상부까지 평탄화를 이루며 알루미늄 금속층(9)을 RF스퍼터 에칭으로 표면 처리한후 제2알루미늄 금속층(11)을 형성하여 알루미늄 금속층 (9)을 통해 제1알루미늄 금속층(6)과 제2알루미늄 금속층(11)을 연결함을 특징으로 하는 반도체 다층 배선장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870011755A KR890007384A (ko) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 반도체 다층 배선장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870011755A KR890007384A (ko) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 반도체 다층 배선장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890007384A true KR890007384A (ko) | 1989-06-19 |
Family
ID=68344017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR870011755A KR890007384A (ko) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 반도체 다층 배선장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890007384A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450845B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2004-10-01 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
-
1987
- 1987-10-22 KR KR870011755A patent/KR890007384A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450845B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2004-10-01 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
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