KR890007390A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR890007390A
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silicide
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aluminum
metal
manufacturing
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KR870012162A
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이수천
김병준
김원철
김원주
Original Assignee
강진구
삼성반도체통신 주식회사
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내용 없음

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2 (A)-(D)도는 본 발명에 따른 일실시예의 제조공정도.

Claims (3)

  1. 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체 기판상의 절연막상에 상기 반도체 기판에 형성된 소자의 소정부분과 접속을 하기 위한 제1금속층을 도포하는 제1공정과, 상기 제1금속층상에 상기 금속층의 힐록방지를 위한 내열성 금속 또는 실리사이드의 힐록 방지막을 도포하는 제2공정과, 상기 제1금속층과 힐록 방지막의 2층으로 이루어지는 금속배선 패턴을 형성하는 제3공정과, 상기 금속 배선패턴상에 절연막을 형성하는 제4공정을 구비하여 상기 공정의 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제도방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1금속층은 알루미늄, 알루미늄과 실리콘의 합금 및 알루미늄과 실리콘의 구리의 합금중 하나로 형성됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 있어서, 상기 실리사이드막은 텅스펜 실리사이드, 타이타늄 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드 및 탄탈륨 실리사이드중 하나로 형성됨을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870012162A 1987-10-31 1987-10-31 반도체 장치의 제조방법 KR890007390A (ko)

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