KR960002683A - 금속배선 형성방법 - Google Patents

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KR960002683A
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KR1019940015539A
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김춘환
황성보
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 전면적 증착법에 의한 금속배선 형성시 콘택 저항을 감소시키는 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 금속배선 형성부위에 금속접합층(4)을 일정두께 형성한 다음, 전면적 금속막(5)을 형성하는 단계; 어닐링 공정을 통해 콘택 기저부에 금속접합층실리사이드막(6)을 형성하는 단계; 상기 전면적 금속막(5)을 전면 식각한 후 스퍼터링 방법으로 금속배선(6)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명에 따른 금속배선 형성 공정 단면도.

Claims (3)

  1. 전면적 증착법에 의한 금속배선 형성시 콘택 저항을 감소시키는 금속배선 형성방법에 있어서, 금속배선 형성부위에 금속접합층(4)을 일정두께 형성한 다음, 전면적 금속막(5)을 형성하는 단계; 어닐링 공정을 통해콘택 기저부에 금속접합층실리사이드막(6)을 형성하는 단계; 상기 전면적 금속막(5)을 전면 식각한 후 스퍼터링 방법으로 금속배선(7)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 어닐링 공정은 500 내지 800℃의 온도에서 급속열처리(rapid thermal process, RTP)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전면적 금속막(5)은 텅스텐(W)막인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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