KR930011111A - 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법에 관한 것으로, 콘택홀 상부의 스텝커버리지를 향상시키고, 안정한 금속층의 저항 및 콘택저항 특성을 유지시키기 위하여 콘택홀에 폴리실리콘층을 소정두께 채운다음, 폴리실리콘층 상부에 티나늄을 증착하고, 열처리 공정으로 폴리실리콘층을 티타늄 실리사이드로 형성시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F까지는 본 발명의 공정방법에 의하여 콘택(contact)를 제조하는 단계를 나타내는 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 콘택제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 절연층을 형성하고 절연층의 소정부분을 제거하여 실리콘 기판이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀 상부에 폴리실리콘층을 예정된 두께 형성한 다음, 에치백 공정으로 풀리실리콘층을 일정 두께 제거하여 콘택홀에 폴리실리콘층을 일정 두께 남겨놓은 단계와, 상기 콘택홀의 폴리실리콘층 및 노출된 절연층 상부에 티타늄층과 티타늄나이트라이드층을 각각 예정두께 적층하는 단계와, 열처리 공정으로 상기 티타늄층과 콘텍홀의 폴리실리콘층을 반응시켜 콘택홀에 티타늄 실리사이드를 형성하고 반응이 안된 티타늄층과 티타늄 나이트 라이드층을 제거하는 단계와, 티타늄 나이트 라이드층 상부에 금속층을 증착하여 하부의 실리콘 기판에 콘택하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀에 티타늄 실리사이드를 형성한 다음 다시 고온에서 열처리하여 안정한 티타늄실리사이드층을 형성한 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘기판 상부에 콘택홀을 형성하는 대신 도전층 상부에 콘택홀을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910019798A KR930011111A (ko) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910019798A KR930011111A (ko) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930011111A true KR930011111A (ko) | 1993-06-23 |
Family
ID=67348331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910019798A KR930011111A (ko) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930011111A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160057545A (ko) * | 2014-11-13 | 2016-05-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
| US9543401B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-01-10 | SK Hynix Inc. | 3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same |
-
1991
- 1991-11-08 KR KR1019910019798A patent/KR930011111A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9543401B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-01-10 | SK Hynix Inc. | 3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same |
| KR20160057545A (ko) * | 2014-11-13 | 2016-05-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
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