KR950015593A - 반도체 소자의 확산방지용 티타늄나이트라이드 박막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 확산방지용 티타늄나이트라이드 박막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950015593A KR950015593A KR1019930024969A KR930024969A KR950015593A KR 950015593 A KR950015593 A KR 950015593A KR 1019930024969 A KR1019930024969 A KR 1019930024969A KR 930024969 A KR930024969 A KR 930024969A KR 950015593 A KR950015593 A KR 950015593A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- titanium nitride
- forming
- titanium
- preventing diffusion
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 11
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 확산방지용 티타늄 나이트라이드 (TiN) 박막을 형 성 하는 방법에 관한 것으로, 고집적 반도체 소자의 금속배선 공정중에서 확산방지 금속층으로 널리 이용하고 있는 티타늄 나이트라이드 박막을 티타늄 실리사이드 (Titanium filicide)의 자기정렬 특성을 이용하여 실리콘이 노출된 부위만 선택적으로 티타늄 실리사이드를 형성하고, 이를 다시 소정온도와 암모니아 개스 분위기 에서 플라즈마(plasma) 열처리하여 티타늄 나이트라이드 박막을 형성하므로, 반도체 소자의 제조공정에의 적응성을 항상시킴과 아울러 후속의 금속배선 공정시 금속배선의 단차 피복성(stepcoverage)을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 확산방지용 티타늄 나이트라이드 박막을 형성하는 방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제IA도 내지 제ID도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 확산방지용 티타늄 나이트라이드 박막을 형성하는 단계를 설명하기 위해 도시한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 확산방지용 티타늄 나이트리이드 박막 형성방법에 있어서, 소정의 단위 셀이 구비된 실리콘 기관(1)상에 층간 절연막(2)을 형성하고, 이 층간 절연막(2)의 소정부위를 사진식각공정으로 실리콘 기판(1)의 소정부위가 노출되는 접촉홈(6)을 형성한 다음, 전체 구조 상부에 티타늄박막(3)을 형성하는 단계와. 상기 단계로부터 상기 티타늄 박막(3)을 소정온도로 열처리하이 접촉홈(7) 저면부의 실리콘 기판(1) 노출부위에서 실리콘과 티타늄을 반응시켜 티타늄 실리사이드(4)를 형성한 다음 NH4OH : H2O2: H2O=1:1:5의 비율로 된 SCI 용액으로 습식식각 공정의 실시하여 층간 절연막(2) 상부의 티타늄 박막(3)을 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 암모니아 개스 분위기에서 소정온도로 플라즈마 열처리공정을 실시하여 상기 티타늄 실리사이드(7)를 티타늄 나이트라이드박막(3)으로 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산방지용 티타늄 나이트 라이드 박막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024969A KR0124489B1 (ko) | 1993-11-23 | 1993-11-23 | 반도체 소자의 확산방지용 티타늄나이트라이드 박막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930024969A KR0124489B1 (ko) | 1993-11-23 | 1993-11-23 | 반도체 소자의 확산방지용 티타늄나이트라이드 박막 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950015593A true KR950015593A (ko) | 1995-06-17 |
| KR0124489B1 KR0124489B1 (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=19368703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930024969A KR0124489B1 (ko) | 1993-11-23 | 1993-11-23 | 반도체 소자의 확산방지용 티타늄나이트라이드 박막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0124489B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455367B1 (ko) * | 1997-06-10 | 2005-01-17 | 삼성전자주식회사 | 암모니아플라즈마를사용하는자기정렬된실리사이드막형성방법 |
| KR100484253B1 (ko) * | 1998-06-27 | 2005-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 타이타늄막 형성방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101704544B1 (ko) | 2014-11-06 | 2017-02-08 | 황성원 | 절첩 및 조립식 낚시대 지지구 |
| KR102602044B1 (ko) | 2021-02-08 | 2023-11-13 | 이서진 | 낚시로드 거치대 |
-
1993
- 1993-11-23 KR KR1019930024969A patent/KR0124489B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455367B1 (ko) * | 1997-06-10 | 2005-01-17 | 삼성전자주식회사 | 암모니아플라즈마를사용하는자기정렬된실리사이드막형성방법 |
| KR100484253B1 (ko) * | 1998-06-27 | 2005-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 타이타늄막 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0124489B1 (ko) | 1997-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR870000767A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR960005801A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| KR950015593A (ko) | 반도체 소자의 확산방지용 티타늄나이트라이드 박막 형성방법 | |
| US7166232B2 (en) | Method for producing a solid body including a microstructure | |
| KR960042961A (ko) | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 | |
| KR960026205A (ko) | 금속 배선 콘택 제조방법 | |
| KR930003278A (ko) | 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법 | |
| KR950021102A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970003542A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR960012321A (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | |
| KR930011111A (ko) | 티타늄 실리사이드를 이용한 콘택제조방법 | |
| KR970067633A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR960042965A (ko) | 반도체소자의 콘택 제조방법 | |
| KR980005532A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960026925A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970063484A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 | |
| KR910010629A (ko) | 금속 배선막 형성방법 | |
| KR970063500A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR980005502A (ko) | 반도체장치의 콘택영역 형성방법 | |
| KR930018689A (ko) | 반도체장치의 소자분리 영역의 제조방법 | |
| KR980005878A (ko) | 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법 | |
| KR960035875A (ko) | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 | |
| KR900003978A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR980005577A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR950025879A (ko) | 반도체장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100825 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |