KR980005577A - 반도체 소자의 금속층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것으로, 알루미늄 합금에 함유된 실리콘(Sl)으로 인한 전도성저하를 방지하기 위하여 제1금속을 증착한 후 상기 제1 금속상에 실리콘(Sl)과의 반응이 가능한 제2금속을 증착하고 상기 제2금속상에 다시 제1금속을 증착한다. 그러므로 상기 제2금은 상기 제1금속에 함유된 실리콘과 반응하여 실리콘 흡수층을 변화되고, 이에 의해 금속층의 전도성이 향상되어 소자의 전기적 특성이 향상되며, 또한 금속층의 내구성 향상으로 힐록 현상 및 전자의 이동이 억제되어 소자의 신뢰성이 향상될 수 있는 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2a 내지 제2c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 있어서 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 베리어 금속층을 형성한 후 확산방지 효과를 증대시키기 위하여 열처리하는 단계와 상기 단계로부터 상기 베리어 금속층상에 제1금속을 증착한 후 상기 제1금속상에 실리콘과의 반응이 가능한 제2금속을 증착하는 단계와 상기 단계로부터 상기 제2금속상에 상기 제1금속을 증착하여 상기 제1금속의 사이에 실리콘 흡수층이 생성되도록 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 열처리는 400내지 500℃의 온도 및 질소(N2) 가스분위기하에서 20내지 40분동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 베리어 금속층은 티타늄(Ti) 및 티타늄 나이트라이드(TiN)가 순차적으로 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서 상기 제1금속은 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서 상기 제2금속은 TiAl3또는 TiSi중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024959A KR980005577A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024959A KR980005577A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005577A true KR980005577A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024959A KR980005577A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 금속층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005577A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440467B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-07-14 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 적층구조 형성 방법 |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960024959A patent/KR980005577A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440467B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-07-14 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 적층구조 형성 방법 |
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