KR950021108A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950021108A KR950021108A KR1019930030793A KR930030793A KR950021108A KR 950021108 A KR950021108 A KR 950021108A KR 1019930030793 A KR1019930030793 A KR 1019930030793A KR 930030793 A KR930030793 A KR 930030793A KR 950021108 A KR950021108 A KR 950021108A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor device
- film
- metal wiring
- depositing
- vapor deposition
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 실리콘기판(1) 상에 형성된 콘택홀에 의해 소정부위가 노출되어 있는 접합부(2)에 금속배선을 형성하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식을 통한 폴리실리콘막(7)을 증착하는 단계; PVD(Physical Vapor Deposition) 방법으로 Ti막(3)을 스퍼터링 하는 단계; N2분위기에서 RTP(Rapid Thermal Process)처리 하는 단계; 주금속배선을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, TiSi2막/Ti막/TiN 막을 70%이상의 양호한 스텝커버리지를 갖는 금속배선으로 형성함으로써 초고집적 반도체 소자의 제조를 가능하게 하고 금속 저항을 감소시켜 반도체 소자의 속도를 향상시키며 금속배선의 단락등에 의한 소자의 불량률을 감소시켜 반도체 소자의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 따른 금속배선 형성 공정도.
Claims (4)
- 실리콘기판(1)상에 형성된 콘택홀에 의해 소정부위가 노출되어 있는 접합부(2)에 금속배선을 형성하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식을 통한 폴리실리콘막(7)을 증착하는 단계; PVD(Physical Vapor Deposition) 방법으로 Ti막(3)을 스퍼터링 하는 단계; N2분위기에서 RTP(Rapid Thermal Process)처리 하는 단계; 주금속배선을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막(7)은 후속 공정에서 증착할 Ti두께의 약 0.5 내지 1.5배의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 N2분위기에서 RTP(Rapid Thermal Process)처리 단계는 Ti막(3)의 하부가 폴리실리콘막(7)과 반응하여 TiSi2막(4)을 형성하고 Ti막(3)의 상부는 질소(N2)와 반응하여 TiN막(5)을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 주금속배선은 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030793A KR100256238B1 (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030793A KR100256238B1 (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021108A true KR950021108A (ko) | 1995-07-26 |
| KR100256238B1 KR100256238B1 (ko) | 2000-05-15 |
Family
ID=19373775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930030793A KR100256238B1 (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100256238B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990030794A (ko) * | 1997-10-06 | 1999-05-06 | 윤종용 | 반도체장치의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 반도체장치 |
| KR100445412B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040038147A (ko) * | 2002-10-31 | 2004-05-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 배리어 형성방법 |
-
1993
- 1993-12-29 KR KR1019930030793A patent/KR100256238B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445412B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
| KR19990030794A (ko) * | 1997-10-06 | 1999-05-06 | 윤종용 | 반도체장치의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 반도체장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100256238B1 (ko) | 2000-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970052233A (ko) | 메탈 콘택 형성방법 | |
| KR960035843A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR950009926A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950021108A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR930002672B1 (ko) | 비정질 질화티타늄막을 이용한 금속배선 형성방법 | |
| KR960030372A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR100336655B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR19990059074A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR19980060526A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR100214273B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950034693A (ko) | 반도체 다층박막 금속배선 형성방법 | |
| KR960035888A (ko) | 치밀한 티타늄 질화막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
| TW200514166A (en) | Silicide formation using a metal-organic chemical vapor deposited capping layer | |
| KR960032643A (ko) | 치밀한 티타늄 질화막 및 치밀한 티타늄 질화막/ 박막의 티타늄 실리사이드 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100342826B1 (ko) | 반도체소자의베리어금속층형성방법 | |
| KR970052244A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR980005615A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR930006900A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 매립방법 | |
| KR970018230A (ko) | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 | |
| KR930006885A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 방법 | |
| KR100196502B1 (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성 방법 | |
| KR930024105A (ko) | 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법 | |
| KR970053527A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR100318444B1 (ko) | 금속배선형성방법 | |
| KR940001277A (ko) | 반도체장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090121 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |