KR970053527A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 화학중착법(CVD)으로 TiN금속을 중착한 후, 화학중착법으로 중착된 TiN층으로부터 아웃개싱을 막기 위한 캐핑층으로 상기 화학중착법으로 중착된 TiN층 상부에 TiN층을 물리중착법(PVD)으로 중착하여 Al의 표면조도를 개선하는 방법이며, Al의 확산방지금속으로 CVD-TiN을 사용할 수 있어서 고집적 소자에서의 단차비가 큰 콘택의 매립을 가능하게 할 수 있고, 또한 CVD방법을 사용하여 TiN을 증착함으로써 확산방지금속의 콘택 바닥과 옆 면에서의 두께 균일도가 우수하며, Al고온 공정이 가능함으로써 텅스텐 플러그(W-plug)등의 공정 없이도 Al에 의한 콘택의 매립이 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 방법에 따라 형성된 콘택구조를 도시한 단면이다.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 콘택홀의 상부에 Ti금속을 증착하는 단계와, 전체구조 상부에 화학증착법으로 TiN금속박막을 형성하는 단계와, 상기 TiN 금속층 상부에 물리증착법으로 TiN금속을 증착하여 박막을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 Ti금속을 증착하는 단계와, 상기 Ti금속층 상부에 Al을 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 물리증착법에 의한 TiN금속 증착두께는 100~500Å인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050488A KR970053527A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050488A KR970053527A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053527A true KR970053527A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66595066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050488A KR970053527A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053527A (ko) |
-
1995
- 1995-12-15 KR KR1019950050488A patent/KR970053527A/ko not_active Application Discontinuation
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