KR970052243A - 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 금속배선 형성과정 중 콘택 구조에서 배선 금속과 Si 사이에 확산으로 인한 정션실패를 방지하기 위한 목적으로 존재하는 확산 방지금속 증착과정이 존재하는데, 차세대 배선 재료로 사용되어질 Cu의 확산방지금속으로 기존의 TiN층 상부에 Al을 소정두께 증착하여 소자 작동시 Al의 Cu보다 먼저 TiN내로 확산해 들어가 Al2O3를 형성시켜 Cu의 확산 경로를 차단하는 효과를 가져오게 함으로써 확산방지 성능을 향상시키는 금속배선 형성방법이다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 방법에 따라 Cu를 금속배선재료로 사용한 경우의 콘택구조를 도시한 도면.

Claims (4)

  1. 반도체 기판 상부에 금속배선 형성을 위한 소정형상의 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 Ti 금속박막을 증착하는 단계와, 상기 Ti 금속박막층 상부에 TiN 금속박막을 증착하는 단계와, 전체구조 상부에 Al 금속을 증착하는 단계와, 상기 Al 금속박막층 상부에 Cu 금속을 증착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서 상기 Al 금속박막층의 두께는 50~500Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서 상기 TiN 금속박막 형성시 CVD 또는 PVD 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서 상기 배선 금속으로서 Cu 이외 W, Au, Ag 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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