KR970052244A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970052244A
KR970052244A KR1019950050492A KR19950050492A KR970052244A KR 970052244 A KR970052244 A KR 970052244A KR 1019950050492 A KR1019950050492 A KR 1019950050492A KR 19950050492 A KR19950050492 A KR 19950050492A KR 970052244 A KR970052244 A KR 970052244A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tin
oxygen
plasma treatment
metal
treatment
Prior art date
Application number
KR1019950050492A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100220936B1 (ko
Inventor
서환석
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950050492A priority Critical patent/KR100220936B1/ko
Publication of KR970052244A publication Critical patent/KR970052244A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100220936B1 publication Critical patent/KR100220936B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
    • H01L21/76855—After-treatment introducing at least one additional element into the layer
    • H01L21/76856—After-treatment introducing at least one additional element into the layer by treatment in plasmas or gaseous environments, e.g. nitriding a refractory metal liner

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 확산방지금속으로 사용되는 TiN의 후속 열처리로 스터핑(stutffing) 처리하는 대신에 산소, 또는 산소와 질소의 혼합 가스로서 플라즈마 처리를 해줌으로써 플라즈마 처리에 의해 산소를 TiN과 Ti 표면 층에 함유시키게 되면 박막 증착후 같은 스퍼터링 장비의 같은 챔버에서 플라즈마 처리가 가능하므로 공정시간과 비용이 감소하게 되며, 또한 TiN 표면 이외에 하지층인 Ti의 표면에서 Ti-O 결합을 형성시킴에 따라 TiN의 확산방지막 성능도 더욱 향상된다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성공정단계를 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 기판상의 소정위치에 콘택을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 Ti 금속층을 증착하는 단계와, 산소 플라즈마 처리를 실하여 Ti 표면에 Ti-O 결합을 형성시키는 단계와, 전체구조 상부에 확산방지금속인 TiN 금속을 소정두께 증착하는 단계와, 산소 플라즈마 처리를 실시하여 TiN 표면에 Ti-O 결합을 형성시키는 단계와, 웨팅층인 Ti 금속을 소정두께로 증착하는 단계와, 전체구조 상부에 최종 배선금속인 Al을 증착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Ti(TiN과 Si 콘택 사이의 Ti) 증착 후 산소 플라즈마로 표면 처리를 하는 과정과 TiN 증착 후 산소 플라즈마 처리를 하는 과정에 있어서 산소이외에 산소와 질소의 혼합 가스로 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산소 플라즈마 처리는 100-5000W의 전력, 1-15mTorr의 압력조건하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 Ti 금속층(2)의 증착두께는 250~300Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 TiN 금속층 상부에서 실시되는 산소 플라즈마 처리는 100-5000W 하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 TiN 상부에 증착되는 웨팅층인 Ti의 증착두께는 450~500Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050492A 1995-12-15 1995-12-15 반도체 소자의 금속배선 형성방법 KR100220936B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050492A KR100220936B1 (ko) 1995-12-15 1995-12-15 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050492A KR100220936B1 (ko) 1995-12-15 1995-12-15 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052244A true KR970052244A (ko) 1997-07-29
KR100220936B1 KR100220936B1 (ko) 1999-09-15

Family

ID=19440465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950050492A KR100220936B1 (ko) 1995-12-15 1995-12-15 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100220936B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990026626A (ko) * 1997-09-25 1999-04-15 윤종용 반도체 공정의 금속배선 형성방법
KR102495587B1 (ko) * 2016-01-12 2023-02-03 삼성전자주식회사 관통 비아 구조체를 갖는 반도체 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR100220936B1 (ko) 1999-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960023223A (ko) 실리콘 이동을 감소시키기 위한 질화 금속막의 처리방법
KR970052347A (ko) 금속배선구조 및 형성방법
KR970052244A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR100336655B1 (ko) 반도체 소자의 금속 배선 형성방법
KR960030372A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
JPH03192768A (ja) 半導体装置
KR950021108A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR100214273B1 (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR950009930A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR100406676B1 (ko) 반도체소자의베리어금속층형성방법
KR970030654A (ko) 반도체 소자의 금속 배선 제조방법
KR980006134A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR100342827B1 (ko) 반도체소자의베리어금속층형성방법
KR980005809A (ko) 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법
KR950021425A (ko) 다층 금속배선 형성방법
KR960032644A (ko) 금속배선 형성방법
KR950034690A (ko) 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법
KR970072313A (ko) 반도체 금속박막의 배선방법
KR960026152A (ko) 반도체 소자의 평탄화된 금속 배선 형성 방법
KR970018230A (ko) 금속배선의 장벽금속 형성 방법
KR970003853A (ko) 반도체소자의 금속배선 제조방법
KR950034693A (ko) 반도체 다층박막 금속배선 형성방법
KR980005417A (ko) 금속 배선의 확산 방지층 형성방법
KR980005615A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR970052928A (ko) 반도체 소자의 부식방지용 금속배선 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090526

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee