KR980006134A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, CVD-TiN 밑층으로 존재하는 Ti가 CVD-TiN 내의 산소를 흡수하는 경향이 있기 때문에 Ti가 존재함에 따라 확산 방지막 성능이 저하되는 것을 방지하기 위하여 확산 방지층으로 플라즈마 처리한 CVD-TiN과 플라즈마 처리하지 않은 CVD-TiN의 2층 구조로 증착하여 확산 방지막 성능 및 전기적 특성을 개선하는 금속 배선 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명의 실시예에 의해 실리콘 기판에 콘택되는 금속 배선을 형성하되 확산 방지층으로 플라즈마 처리한 CVD-TiN과 플라즈마 처리하지 않은 CVD-TiN의 2층 구조로 형성하는 단계를 도시한 단면도이다.
Claims (17)
- 금속 배선 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 절연막을 증착하고, 상기 절연막의 일정 부분을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체적으로 Ti를 증착하는 단계와, 상기 Ti 상부에 플라즈마 처리된 CVD-TiN 을 증착하는 단계와, 플라즈마 처리되지 않은 CVD-TiN을 증착하는 단계와, 금속 배선층을 증착하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ti은 PVD 또는 CVD 방법으로 300Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 CVD-TiN는 질소 또는 질소와 수소의 혼합 가스에 의한 플라즈마 처리를 한번 또는 여러번 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 CVD-TiN는 100~500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리되지 않은 CVD-TiN 을 100~500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 배선층은 Al 또는 W으로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 CVD-TiN 과 플라즈마 처리되지 않은 CVD-TiN는 하나의 증착공정 레시키(recipe)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 하지 않은 CVD-TiN을 증착한다음, 대기 노출시켜 플라즈마 처리하지 않은 CVD-TiN이 Ti-C-N-O의 구조를 가지게 된 후에 금속 배선층을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 금속 배선 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 절연막을 증착하고, 상기 절연막의 일정 부분을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체적으로 Ti를 증착하는 단계와, 상기 Ti상부에 플라즈마 처리된 CVD-TiN을 증착하는 단계와, 플라즈마 처리되지 않은 CVD-TiN을 증착하는 단계와, 상기 CVD-TiN 상부에 웨팅층을 증착하는 단계와, 금속 배선층을 증착하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 Ti은 PVD 또는 CVD 방법으로 300Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 CVD-TiN는 질소 또는 질소와 수소의 혼합 가스에 의한 플라즈마 처리를 한번 또는 여러번 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항 또는 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 CVD-TiN는 100~500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 플라즈마 처리되지 않은 CVD-TiN을 100~500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 금속 배선층은 Al 또는 W으로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 CVD-TiN과 플라즈마 처리 되지 않은 CVD-TiN는 하나의 증착 공정 레시피로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 하지 않은 CVD-TiN을 증착한 다음, 대기 노출시켜 플라즈마 처리하지 않은 CVD-TiN이 Ti-C-N-O의 구조를 가지게 된 후에 금속 배선층을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 웨팅층은 Ti로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025780A KR980006134A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025780A KR980006134A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006134A true KR980006134A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025780A KR980006134A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006134A (ko) |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025780A patent/KR980006134A/ko not_active Application Discontinuation
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