KR970052297A - 반도체소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 전처리공정으로 상기 콘택홀 하부에 형성된 자연산화막을 제거하고 전체표면상부에 타이타늄막을 소정두께 형성한 다음, 상기 타이타늄막 상부에 제1타이타늄질화막을 소정두께 형성하고 상기 제1타이타늄질화막 상부에 타이타늄산화질화막을 소정두께 형성하되, 아르곤, 질소 및 산소가스를 이용한 스퍼터링방법으로 형성한 다음, 상기 타이타늄산화질화막 상부에 제2타이타늄질화막을 형성하여 제1타이타늄질화막/타이타늄산화질화막/제2타이타늄질화막의 적층구조로 형성된 확산 방지막을 형성하고 금속배선을 형성하는 후속공정을 실시하여 금속배선을 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (13)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 전처리공정으로 상기 콘택홀 하부에 형성된 자연산화막을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 타이타늄막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 타이타늄막 상부에 제1타이타늄질화막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 제1타이타늄질화막 상부에 타이타늄산화질화막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 타이타늄산화질화막 상부에 제2타이타늄질화막을 형성하여 제1타이타늄질화막/타이타늄산화질화막/제2타이타늄질화막의 적층구조로 형성된 확산 방지막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 금속배선재료인 알루미늄합금을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 알루미늄합금 상부에 반사방지막을 소정두께 형성하는 공정과, 금속배선마스크를 이용한 식각공정으로 금속배선을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 아르곤, 질소 및 산소가스를 이용한 그퍼터링방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 상기 확산방지막 전체두께의 10 내지 80퍼센트 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 막내부에 함유되는 산소의 양이 3 내지 50퍼센트인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 물리기상증착방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 화학기상증착방법의 타이타늄질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 TiWNO, TaNO, WNO 및 CrNO 등으로 이루어진 군에서 한가지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 전처리공정으로 상기 콘택홀 하부에 형성된 자연산화막을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 타이타늄막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 타이타늄막 상부에 제1타이타늄질화막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 제1타이타늄질화막 상부에 타이타늄산화질화막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 타이타늄산화질화막 상부에 제2타이타늄질화막을 형성하여 제1타이타늄질화막/타이타늄산화질화막/제2타이타늄질화막의 적층구조로 형성된 확산 방지막을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 매립하는 콘택플러그를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 금속배선재료인 알루미늄합금을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 알루미늄합금 상부에 반사방지막을 소정두께 형성하는 공정과, 금속배선마스크를 이용한 식각공정으로 금속배선을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제8항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 상기 확산방지막 전체두께의 10 내지 80퍼센트 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제8항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 막내부에 함유되는 산소의 양이 3 내지 50퍼센트인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제8항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 물리기상증착방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제8항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 화학기상증착방법의 타이타늄질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제8항에 있어서, 상기 타이타늄산화질화막은 TiWNO, TaNO, WNO 및 CrNO 등으로 이루어진 군에서 한가지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052456A KR970052297A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052456A KR970052297A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052297A true KR970052297A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66646444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052456A KR970052297A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052297A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8232638B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Interconnection structure having oxygen trap pattern in semiconductor device |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052456A patent/KR970052297A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8232638B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Interconnection structure having oxygen trap pattern in semiconductor device |
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