KR970008491A - 반도체장치의 다층배선 형성방법 - Google Patents

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Abstract

반도체장치의 다층배선 형성방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 평탄한 절연층에 콘택홀을 형성하는 제1공정, 콘택홀이 형성된 결과물 상에 스퍼터링방법을 사용하여 금속층을 형성하는 제2공정 및 금속층을 고압 리플로우 함으로써 콘택홀을 매몰하는 제3공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 고집적 소자에서 요구하는 평탄한 배선을 구현할 수 있으며, 콘택홀을 완전히 매몰하여 보이드의 발생을 억제할 수 있다.

Description

반도체장치의 다층배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3E도는 본 발명의 일 실시예에 의한 다층배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (15)

  1. 평탄한 절연층에 콘택홀을 형성하는 제1공정; 상기 콘택홀이 형성된 결과몰 상에 스퍼터링방법을 사용하여 금속층을 형성하는 제2공정; 및 상기 금속층을 고압 리플로우 함으로써 상기 콘택홀을 매몰하는 제3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2공정에서, 상기 콘택홀의 상부에서 오버행이 형성될 정도의 두께로 금속층을 증착하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 상온(room temperature) 이상의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  5. 반도체기판 상에 제1 및 제2절연층을 차례로 형성하는 제1공정; 상기 제2절연층 및 제1절연층을 부분적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 제2공정; 상기 콘택홀에 의해 노출된 부분의 제1 및 제2절연층을 HF로 식각하여 상기 콘택홀의 상부에 턱을 형성하는 제3공정; 결과물 상에 금속물질을 증착하는 제4공정; 및 상기 금속물질을 고압 리플로우함으로써 콘택홀을 매몰하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 콘택홀은 바닥의 크기가 0.7㎛ 이하이고, 어스펙트비가 2 이상인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2절연층은 HF용액에 대해 상기 제1절연층을 구성하는 물질과는 그 식각율이 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2절연층은 HF용액에 대해 상기 제1절연층을 구성하는 물질보다 식각율이 느린 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1절연층은 보론-인을 함유한 실리콘 또는 USG로 형성되고, 상기 제2절연층은 실리콘질화막 또는 P-실래인으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 제2절연층 상에, HF에 대해 상기 제2절연층과 식각율이 다른 물질로 구성된 1층 이상의 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  11. 제5항에 있어서, 상기 제2절연층 상에 제1절연층을 구성하는 물질로 구성된 제3절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2절연층은, 제1절연층표면으로부터 상기 제1 및 제3절연층의 두께를 합한 두께의 1/2 이상의 위치를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 제4공정 전에, 상기 콘택홀이 형성된 결과물 상에 장벽층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 장벽층은 티타늄 또는 티타늄 나이트라이드로, 500Å 이상의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
  15. 제5항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 2,000Å 이상의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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