KR970052930A - 반도체 소자의 금속배선막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 콘택홀의 크기가 다른 반도체 소자에서 금속배선막을 형성하는 방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 본 발명의 반도체 소자의 금속배선막 형성방법은 다층금속배선을 갖는 반도체 소자에 있어서, 반도체 기판 위에 형성된 절연막의 소정 부분에 제1 콘택홀(또는 비아홀)을 형성하는 단계; 제1 콘택홀에 제1 금속막을 증착하는 단계; 증착된 제1 금속막을 콘택 부분의 제1 플러그만 남기도록 전면식각하는 단계; 매립된 플러그중 특정 플러그의 바로 옆 부분에 제2 콘택홀(또는 비아홀)을 형성하는 단계; 금속막을 제2 콘택홀을 포함한 전면에 증착하고 제2 플러그만 남기도록 전면식각하는 단게; 결과적인 구조의 전면에 제2 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 금속배선막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자에 있어서, 금속배선막을 형성하는 방법을 설명하는 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘 기판 2 : 도전층
3 : 산화막 4, 6` : 텅스텐 플러그
5 : 감광막 6 : 텅스텐
7 : 제1금속망 8 : 제2금속망
9 : 제3금속망

Claims (12)

  1. 다층 금속배선을 갖는 반도체 소자에 있어서, 반도체 기판 위에 형성된 절연막의 소정 부분에 제1 콘택홀(또는 비아홀)을 형성하는 단계; 제1 콘택홀에 제1 금속막을 증착하는 단계; 증착된 제1 금속막을 콘택 부분의 제1 플러그만 남기도록 전면식각하는 단계; 매립된 플러그 중 특정 플러그의 바로 옆 부분에 제2 톤택홀(또는 비아홀)을 형성하는 단계; 제2 금속막을 제2 콘택홀을 포함한 전면에 증착하고 제2 플러그만 남기도록 전면식각하는 단계; 결과적인 구조의 전면에 제3 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1 콘택홀과 제2 콘택홀에 금속막을 도포하기 전에 홀의 벽면에 홀의 형태를 유지할 수 있는 정도의 두께만큼 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속막은 티타늄, 티타늄나이트라이드, 탄탈륨, 몰리브듐, 티타늄텅스텐 중의 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속막과 제2 금속막은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전면식각은 화학기계적 연마법인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3금속막은 제1 금속층, 제2 금속층, 제3 금속층의 3중 구조인 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제 2금속층은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제2 금속층은 구리인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1, 제3 금속층은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 동일한 물질은 티타늄, 티타늄나이트라이드, 탄탈륨, 티타늄텅스텐, 실리콘 중의 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제1, 제3 금속층은 서로 다른 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선막 형성방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 서로 다른 물질은 티타늄, 티타늄나이트라이드, 탄탈륨, 티타늄텅스텐, 실
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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