KR900019151A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR900019151A
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김병준
박승갑
이수천
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 장치의 제조방법에 있어서의 접촉구 확산방지층을 진공증착법으로 도포한 후 알루미늄막을 도포하는 공정을 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 불순물 도우핑 영역위에 형성된 층간 절연막을 사진식각하여 접촉구을 형성하고, 그 위에 접촉구 확산방지층을 도포한 후 알루미늄막을 도포하여 알루미늄 배선을 형성하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 진공증착법으로 접촉구(3)위에 티타늄으로 된 제1접촉구확산 방지층(4)을 도포하고, 질화 티타늄으로 된 제2접촉구 확산방지층(5)을 상기한 제1접촉구 확산방지층보다 두껍게 도포하는 공정과, 스퍼터애칭법으로 제2접촉구 확산방지층(5)을 1/2정도의 두께로 식각하는 공정과, 알루미늄막(6)을 스퍼터링방법으로 도포하여 알루미늄 배선을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 제1접속구 확산방지층(3)을 진공증착법으로 200내지 300Å의 두께로 도포되고, 또한 상기한 제2접속구 확산방지층(4)은 진공증착법으로 3000내지 4000Å의 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 제1 및 제2접속구 확산방지층(3, 4)이 스피터 에칭법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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