KR970018034A - 접촉창 형성방법 - Google Patents
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Abstract
접촉창 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판 상에 층간절연층을 형성하는 제1단계, 층간절연층을 부분적으로 식각함으로써 반도체기판을 노출시키는 접촉창을 형성하는 제2단계 및 스텝 커버리지가 불량한 도포방법으로, 스페이서용 질화막을, 접촉창의 측벽 및 층간절연층 상에 도포하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 접촉장의 접촉실패 및 접촉저항 증가를 줄일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 방법에 의해 형성된 접촉창을 도시한 단면도이다.
Claims (3)
- 반도체기판 상에 층간절연층을 형성하는 제1단계; 상기 층간절연층을 부분적으로 식각함으로써 상기 반도체기판을 노출시키는 접촉창을 형성하는 제2단계; 및 스텝 커버리지가 불량한 도포방법으로, 스페이서용 질화막을, 상기 접촉창의 측벽 및 층간절연층 상에 도포하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서용 질화막은 플라즈마 화학기상 증착방식(PE-CVD) 및 저압 화학기상증착방식(LP-CVD) 중 어느 한 방법으로 도포되는 것을 특징으로 하는 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서용 질화막은 500Å 이하의 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 접촉창 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029325A KR970018034A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 접촉창 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029325A KR970018034A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 접촉창 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018034A true KR970018034A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029325A KR970018034A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 접촉창 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018034A (ko) |
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019950029325A patent/KR970018034A/ko not_active Application Discontinuation
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